公开(公告)号：KR101295174B1

公开(公告)日：2013-08-09

申请号：KR1020110011834

申请日：2011-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기카마에이지 ,  토이야마사타카 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4554

Abstract: 성막 방법은, 처리 용기 내에서 Si 소스 가스와 산화종(酸化種)을 이용하여 피(被)처리체의 표면에 SiO
2 막을 형성하는 성막 처리와, 상기 피처리체를 상기 처리 용기로부터 반출한 상태에서, 상기 처리 용기 내에 퇴적된 막을 제거하는 처리를 개재시키는 일 없이, 상기 처리 용기 내를 배기하면서 상기 퇴적된 막에 대하여 산화를 시행하는 산화 퍼지 처리를 교대로 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR1020110094245A

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：KR1020110011834

申请日：2011-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기카마에이지 ,  토이야마사타카 ,  시바타테츠야

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4554

Abstract: PURPOSE: A film formation method, a film formation apparatus, and a method for using the film formation apparatus are provided to reduce the number of particles attached to an object by forming the film of a SiO2 on the object through a Si source gas and an oxide repeatedly. CONSTITUTION: In a film formation method, a film formation apparatus, and a method for using the film formation apparatus, a ceiling plate of quartz is installed in the top of a reaction container(1). A manifold(3) is mounted in a seal member in the lower opening part of the reaction chamber. A wafer(W) is supported by a groove which is formed in the pillar of a wafer board. A magnetic fluid seal(11) is formed in the penetration part of a rotary shaft. A Si source gas supply unit(15) supplies Si source gas to a reaction chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜方法，成膜装置和使用该成膜装置的方法，用于通过Si源气体在物体上形成SiO 2膜，从而减少附着到物体上的颗粒的数量， 反复氧化 构成：在成膜方法中，成膜装置和成膜装置的使用方法，石英顶板安装在反应容器（1）的顶部。 歧管（3）安装在反应室的下开口部分中的密封构件中。 晶片（W）由形成在晶片板的支柱中的槽支撑。 磁性流体密封件（11）形成在旋转轴的贯穿部分中。 Si源气体供给单元（15）向反应室供给Si源气体。