公开(公告)号：KR101991550B1

公开(公告)日：2019-06-20

申请号：KR1020160021341

申请日：2016-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR101759157B1

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：KR1020170061254

申请日：2017-05-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  초우파오화

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  C07F7/02 ,  C07F7/10

CPC classification number: H01L21/02304 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02312

Abstract: (과제) 텅스텐막또는산화텅스텐막상에산화실리콘막을형성해도, 산화실리콘막의인큐베이션시간을단축하는것이가능한텅스텐막또는산화텅스텐막상으로의산화실리콘막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 피처리체상에텅스텐막또는산화텅스텐막을형성하는공정 (스텝 1)과, 텅스텐막또는산화텅스텐막상에시드층을형성하는공정(스텝 2)과, 시드층상에산화실리콘막을형성하는공정(스텝 3)을구비하고, 상기시드층을텅스텐막또는산화텅스텐막상에, 피처리체를가열하고, 텅스텐막또는산화텅스텐막의표면에아미노실란계가스를공급하여형성한다.

公开(公告)号：KR1020170052505A

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020160145665

申请日：2016-11-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/30655 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 기판처리장치는, 처리실과, 당해처리실내에설치되며, 기판을보유지지가능한오목부형상의기판보유지지영역이주위방향을따라표면에복수형성된회전테이블을갖는다. 요철패턴의형성에의해상기표면의표면적을평탄면보다도증가시킨표면적증가영역이, 상기기판보유지지영역주위의상기표면에형성된다. 상기회전테이블의상기표면에처리가스를공급가능한처리가스공급수단이설치된다.

Abstract translation: 基板处理装置具有处理室和设置在处理室内的旋转台，该旋转台具有能够沿着周向保持基板的多个凹状的基板保持区域。 在衬底保持区域周围的表面上形成通过形成不平坦图案而使表面的表面积比平坦表面的表面积大的表面积增大区域。 并且提供能够向旋转台的表面供应处理气体的处理气体供应装置。

公开(公告)号：KR1020150098203A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020150022365

申请日：2015-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  고바야시다케시 ,  요네자와마사토

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 소정의 출력을 갖는 제1 고주파 전력을 전극에 공급해서 플라즈마를 발생시키고, 피처리체(W)에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치의 운전 방법이며, 상기 플라즈마 처리 장치의 전회의 운전 종료로부터의 시간 간격이 소정 간격을 초과했을 때에, 상기 소정의 출력보다도 작은 출력을 갖는 제2 고주파 전력을 상기 전극에 공급하는 전하 축적 공정을 행하고 나서 상기 플라즈마 처리를 행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置的操作方法，其将具有设定输出的第一高频功率提供给电极以产生等离子体，并且对目标体（W）执行等离子体处理。 当在等离子体处理装置的先前操作结束之后经过设定的时间段时，执行向电极提供具有小于设定输出的输出的第二高频功率的电荷累积处理，然后执行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020100087636A

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：KR1020100003967

申请日：2010-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치키요타카 ,  무라카미히로키 ,  나카지마시게루 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: PURPOSE: A film forming device for processing a semiconductor, a using method thereof, and a computer readable medium for executing the same are provided to improve the property of a device related to throughput or particle generation by efficiently generating an oxide radical. CONSTITUTION: A main cleaning process and a post cleaning process are successively performed on a substrate for removing a thin film byproduct. In the main cleaning process, the film byproduct is etched by supplying a cleaning gas including fluorine in a reaction chamber. In the post cleaning process, the fluorine material including silicon is changed into the intermediate product through oxidation by supplying an oxide gas to the reaction chamber to remove the fluorine including the silicon. The process for reacting with the intermediate product is repeated several times by supplying hydrogen fluoride gas to the reactive chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的成膜装置，其使用方法和用于执行该半导体的使用方法和用于执行该半导体的使用方法和计算机可读介质，以通过有效地产生氧化物自由基来改善与生产量或颗粒产生有关的装置的性质。 构成：在用于除去薄膜副产物的基板上连续进行主要清洁处理和后清洗处理。 在主要清洗过程中，通过在反应室中提供包括氟的清洁气体来蚀刻膜副产物。 在后清洗工序中，通过向反应室供给氧化物气体，除去包含硅的氟，将包含硅的氟材料变为氧化的中间体。 通过向反应室供应氟化氢气体，重复多次与中间产物反应的方法。

公开(公告)号：KR1020170102810A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：KR1020170024488

申请日：2017-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  무라타마사히로 ,  사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/50 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32752

Abstract: 기판(W)의표면에 Si 함유가스를공급하고, 상기기판의상기표면에상기 Si 함유가스를흡착시키는공정과, 상기기판의상기표면에질화가스를제1 플라즈마에의해활성화해서공급하고, 상기기판의상기표면상에흡착된상기 Si 함유가스를질화하고, SiN막을퇴적시키는공정과, 상기기판의상기표면에 NH및 N를소정의비율로포함하는개질가스를제2 플라즈마에의해활성화해서공급하고, 상기기판의상기표면상에퇴적한상기 SiN 질화막을개질하는공정을갖는다.

Abstract translation: 含Si气体到基板（W）的表面的供给，和含Si气体吸附到所述基板的表面，通过由氮化气体激活，以在衬底的第一等离子体的表面供给的步骤，和 以预定的速率吸附在基板和含Si气体，沉积SiN步骤的氮化物的表面上，并且进料至活化通过含有NH和N衬底的表面上的改质气体为膜上的第二等离子体 并且修改衬底表面上沉积的SiN氮化物膜。

公开(公告)号：KR1020170092462A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：KR1020170013593

申请日：2017-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  무라타마사히로 ,  사토준 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/687

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  H01J37/32

Abstract: 기판의표면에형성된오목부패턴내에 SiN막을매립하는성막방법이며, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 NH을포함하는제1 처리가스를플라즈마화해서공급하여, 상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 NH기를흡착시키는질화공정과, 해당 NH기가흡착된상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에 N를포함하는제2 처리가스를플라즈마화해서공급하여, 상기 NH기의일부를 N기로변환하는흡착사이트제어공정과, 실리콘함유가스를상기 NH기및 상기 N기가흡착된상기오목부패턴을포함하는상기기판의표면에공급하여, 상기 NH기에선택적으로흡착시키는실리콘흡착공정을갖고, 상기질화공정, 상기흡착사이트제어공정및 상기실리콘흡착공정을주기적으로복수회반복한다.

Abstract translation: 包括以下步骤：通过等离子体将包含NH 3的第一处理气体提供给包括凹形图案的基板的表面，并提供凹形图案; 并且，将含有N的第2处理气体供给至包含凹部图案的基板的表面，该凹部图案中NH基被等离子体吸附而供给至基板的表面， 向含有NH基和其上吸附有N基的凹图案的基板表面供给含硅气体并选择性地将NH 3基吸附到NH基上的硅吸附步骤， 并且氮化处理，吸附位置控制处理和硅吸附处理周期性地重复多次。

公开(公告)号：KR1020150131997A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020150067219

申请日：2015-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  나카츠보도시유키 ,  기쿠치히로유키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68764

Abstract: 소정의플라즈마처리영역내에처리가스를공급하여, 플라즈마발생영역에서상기처리가스를플라즈마화해서기판(W) 상에형성된막에플라즈마처리를실시하는플라즈마처리방법이다. 기판상에형성된막의플라즈마처리에의한면내처리량의분포가취득된다. 이어서, 취득한상기면내처리량의분포에기초하여, 상기플라즈마처리의처리량을증가시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로높아지거나, 또는상기플라즈마처리의처리량을감소시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로낮아지도록상기처리가스의유속이조정된다. 그리고, 유속이조정된상기처리가스를상기소정의플라즈마처리영역내에공급하여, 상기기판상에형성된막에상기플라즈마처리가실시된다.

Abstract translation: 等离子体处理方法技术领域本发明涉及一种等离子体处理方法，其通过将处理气体供给到等离子体处理区域中，将处理气体转化成等离子体产生区域中的等离子体，能够在形成于基板（W）上的膜上进行等离子体处理。 通过在基板上形成的膜的等离子体处理获得面内通过量的分布。 基于平面内吞吐量的分布，控制处理气体的速度，使得供给到等离子体处理的生产量增加的区域的处理气体的速度相对增加，或者等于 供给到等离子体处理的生产量降低的区域的处理气体相对减少。 具有受控速度的处理气体被提供给等离子体处理区域，因此，对形成在基板上的膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020150094533A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315

Abstract: 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 분리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제1 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 제1 거리인 상태에서 제1 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제2 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리인 상태에서 제2 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 상기 분리 가스를 공급하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的基板处理方法包括：向基板提供处理气体的过程; 将分离气体供给到基板的工序; 在第一等离子体产生装置和旋转台之间的距离是第一距离的同时向基板供应第一等离子体处理气体的过程; 在第二等离子体产生装置和旋转台之间的距离比第一距离短的第二距离的情况下，向基板供给第二等离子体处理气体的过程; 以及将分离气体供给到基板的工序。

公开(公告)号：KR101285211B1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：KR1020100003967

申请日：2010-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토준 ,  기쿠치키요타카 ,  무라카미히로키 ,  나카지마시게루 ,  하세베카즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 성막 장치의 사용 방법은, 반응실 내에서, 주(主) 클리닝 처리와 포스트 클리닝 처리를 이 순서로 행하는 것을 구비한다. 주 클리닝 처리는, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여, 실리콘을 포함하는 성막 부(副)생성물을 에칭한다. 포스트 클리닝 처리는, 주 클리닝 처리에 의해 발생하고 그리고 반응실 내에 잔류하는 실리콘 함유 불화물을 제거하기 위해, 반응실 내에 산화 가스를 공급하여, 실리콘 함유 불화물을 산화함으로써 중간 생성물로 변환하는 공정과, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내에 불화 수소 가스를 공급하여, 중간 생성물과 반응시켜서 제거하는 공정을 번갈아 복수회 반복한다.