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公开(公告)号：KR100783844B1
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020067015538
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.Abstract translation: 埋入孔的较小直径，所以能够抑制空隙和程度的火山的发生产生的特征尺寸造成不利影响，并提供了良好的钨膜形成方法埋藏性质。
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公开(公告)号：KR1020040030965A
公开(公告)日：2004-04-09
申请号：KR1020047002213
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.Abstract translation: 一种在能够抽真空的容器中在待处理物体的表面上形成钨膜的方法包括以下步骤：通过交替地重复用于供应还原气体的还原气体供应处理和供应钨气体的供应处理来形成钨膜 用于供应含钨气体的中间清洗过程用于在抽真空容器的同时供应惰性气体。 重复还原气体供给工序中的还原气体供给工序的还原气体供给期间被设定为比其余的还原气体供给工序长。
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公开(公告)号：KR100688652B1
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020047002213
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: A method of forming a tungsten film on a surface of an object to be processed in a vessel capable of being vacuumized, includes the steps of forming a tungsten film by alternately repeating a reduction gas supplying process for supplying a reduction gas and a tungsten gas supplying process for supplying a tungsten-containing gas with an intervening purge process therebetween for supplying an inert gas while vacuumizing the vessel. A reduction gas supplying period of a reduction gas supplying process among the repeated reduction gas supplying processes is set to be longer than that of the remaining reduction gas supplying processes.
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公开(公告)号：KR1020060097066A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020067015538
申请日：2002-08-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/08
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/0281 , C23C16/14 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: A method of forming a tungsten film, capable of restricting voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and providing good burying characteristics. When forming a tungsten film on the surface of an object of treating (W) in a vacuumizing-enabled treating vessel (22), a reduction gas supplying process (70) and a tungsten gas supplying process (72) for supplying a tungsten-containing gas are alternately repeated with a purge process (74), for supplying an inert gas while vacuumizing, intervened therebetween to thereby form an initial tungsten film (76). Therefore, an initial tungsten film can be formed as a nucleation layer high in film thickness uniformity; and, accordingly, when main tungsten films are subsequently deposited, it is possible to restrict voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and provide good burying characteristics.
Abstract translation: 形成钨膜的方法，其能够限制空洞和火山，尽管埋孔的直径小，但具有很大的不利影响特性，并且具有良好的埋藏特性。 在真空化处理容器（22）的处理对象（W）的表面形成钨膜时，还原气体供给工序（70）和供给钨的钨气体供给工序（72） 在吹扫过程（74）中交替重复气体，用于在抽真空时供给惰性气体，从而形成初始钨膜（76）。 因此，可以形成初始钨膜作为膜厚均匀性高的成核层; 因此，随后沉积主钨膜时，尽管埋孔的直径很小，但可以限制大小不利地影响特性的空隙和火山，并提供良好的埋藏特性。
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