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    텅스텐막의 성막 방법
    2.
    发明授权
    텅스텐막의 성막 방법 有权
    TUNGSTEN膜形成方法

    公开(公告)号：KR101414358B1

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：KR1020120133964

    申请日：2012-11-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사토고이치

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/4814 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

    Abstract: 처리용기 내에 있어서, 감압 분위기에서 기판을 가열하면서 상기 기판의 표면에 텅스텐막을 성막하는 텅스텐막의 성막 방법으로서, 상기 처리용기 내에 텅스텐 원료인 WF
    6 가스의 공급과 환원 가스인 H
    2 가스의 공급을 상기 처리용기 내의 퍼지를 사이에 두고 교대로 반복하는 것에 의해, 상기 기판의 표면에 텅스텐의 핵을 생성하기 위한 초기 텅스텐막을 형성하는 공정과, 상기 초기 텅스텐막의 표면에 핵 형성을 위한 물질을 포함하는 가스를 흡착시키는 공정과, 상기 처리용기 내에 텅스텐 원료인 WF
    6 가스와 환원 가스인 H
    2 가스를 공급하여, 상기 초기 텅스텐막의 결정성을 차단하는 결정성 차단 텅스텐막을 성막하는 공정과, 상기 결정성 차단 텅스텐막 성막 종료 후, WF
    6 가스의 공급을 정지하고, 상기 처리용기 내의 압력을 상승시킨 후, 상기 결정성 차단 텅스텐막의 성막시보다 고압 상태에서, 상기 결정성 차단 텅스텐막의 성막시보다 WF
    6 가스의 유량을 많게 하고, WF
    6 가스와 H
    2 가스를 공급해서 주 텅스텐막을 성막하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐막의 성막 방법이 제공된다.

    텅스텐 막의 성막 방법
    3.
    发明公开
    텅스텐 막의 성막 방법 有权
    形成电泳膜的方法

    公开(公告)号：KR1020130006314A

    公开(公告)日：2013-01-16

    申请号：KR1020120071114

    申请日：2012-06-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카미츠오 ,  사토고이치 ,  아이바야스시 ,  우라노도모나리 ,  이시카와마유코 ,  호리코시도코

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/205

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a tungsten film is provided to prevent an air gap or seam in a buried part by forming the tungsten film two or more times with a CIF3 gas or F2 gas etching process. CONSTITUTION: A buried part of tungsten is formed in a hole by forming a tungsten film on a substrate with the hole with CVD. The upper side of the buried part is etched by supplying CIF3 gas or F2 gas to a processing container. A tungsten film is formed in the processing container with CVD. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Forming a buried part by burying a hole with tungsten; (S2) Etching an upper side of a buried part by forming an opening hole on the upper side through CIF_3(or F_2); (S3) Forming a tungsten film for burying a hole with tungsten from an opening hole after etching

    Abstract translation: 目的：提供一种形成钨膜的方法，以通过用CIF3气体或F2气体蚀刻工艺形成钨膜两次或更多次来防止掩埋部分中的气隙或接缝。 构成：通过在具有CVD的孔的基板上形成钨膜，在孔中形成钨的埋入部分。 通过向处理容器提供CIF3气体或F2气体来蚀刻掩埋部分的上侧。 在CVD处理容器中形成钨膜。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）通过用钨掩埋孔形成埋藏部分; （S2）通过在上侧通过CIF_3（或F_2）形成开孔来蚀刻埋藏部的上侧; （S3）在蚀刻后，形成用于从开口孔埋入钨的钨膜

    텅스텐막의 형성 방법
    4.
    发明授权
    텅스텐막의 형성 방법 有权
    形成钨膜的方法

    公开(公告)号：KR100783844B1

    公开(公告)日：2007-12-10

    申请号：KR1020067015538

    申请日：2002-08-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

    IPC: C23C16/08

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

    Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
    진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.

    Abstract translation: 埋入孔的较小直径，所以能够抑制空隙和程度的火山的发生产生的特征尺寸造成不利影响，并提供了良好的钨膜形成方法埋藏性质。

    텅스텐막의 형성 방법
    6.
    发明公开
    텅스텐막의 형성 방법 有权
    形成电泳膜的方法

    公开(公告)号：KR1020060097066A

    公开(公告)日：2006-09-13

    申请号：KR1020067015538

    申请日：2002-08-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

    IPC: C23C16/08

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

    Abstract: A method of forming a tungsten film, capable of restricting voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and providing good burying characteristics. When forming a tungsten film on the surface of an object of treating (W) in a vacuumizing-enabled treating vessel (22), a reduction gas supplying process (70) and a tungsten gas supplying process (72) for supplying a tungsten-containing gas are alternately repeated with a purge process (74), for supplying an inert gas while vacuumizing, intervened therebetween to thereby form an initial tungsten film (76). Therefore, an initial tungsten film can be formed as a nucleation layer high in film thickness uniformity; and, accordingly, when main tungsten films are subsequently deposited, it is possible to restrict voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and provide good burying characteristics.

    Abstract translation: 形成钨膜的方法，其能够限制空洞和火山，尽管埋孔的直径小，但具有很大的不利影响特性，并且具有良好的埋藏特性。 在真空化处理容器（22）的处理对象（W）的表面形成钨膜时，还原气体供给工序（70）和供给钨的钨气体供给工序（72） 在吹扫过程（74）中交替重复气体，用于在抽真空时供给惰性气体，从而形成初始钨膜（76）。 因此，可以形成初始钨膜作为膜厚均匀性高的成核层; 因此，随后沉积主钨膜时，尽管埋孔的直径很小，但可以限制大小不利地影响特性的空隙和火山，并提供良好的埋藏特性。

    텅스텐막의 성막 방법
    7.
    发明公开
    텅스텐막의 성막 방법 有权
    TUNGSTEN膜形成方法

    公开(公告)号：KR1020130058636A

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：KR1020120133964

    申请日：2012-11-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사토고이치

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/4814 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a tungsten film is provided to prevent the deterioration of the electrical property and the adhesion of a lower layer due to the diffusion of boron. CONSTITUTION: A wafer having a TiN film(102) is prepared(step 1). An initiation process for forming a Si nucleus on the surface of the wafer is performed(step 2). A process for forming an initial tungsten layer to form a tungsten nucleus is performed(step 3). A gas including a material for forming a nucleus on the surface of the initial tungsten layer is adsorbed(step 4). A crystallization prevention tungsten layer for blocking the crystallization of the initial tungsten layer is formed(step 5). A process for forming a main tungsten layer is performed(step 6). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Prepare a wafer having a TiN film; (CC) Step 1; (DD) Perform an initiation process on the surface of a wafer; (EE) Step 2; (FF) Form an initial tungsten layer by an ALD using WF6 gas and H2 gas; (GG) Step 3; (HH) Adsorb gas including a material for forming a nucleus on the initial tungsten layer; (II) Step 4; (JJ) Form a crystallization prevention tungsten layer; (KK) Step 5; (LL) Form a main tungsten layer; (MM) Step 6; (NN) End

    Abstract translation: 目的：提供一种形成钨膜的方法，以防止由于硼的扩散而引起的电性能的劣化和下层的粘附。 构成：制备具有TiN膜（102）的晶片（步骤1）。 进行在晶片表面形成Si核的起始工序（步骤2）。 进行形成钨原子层的初始钨层的工序（步骤3）。 包含在初始钨层的表面上形成核的材料的气体被吸附（步骤4）。 形成用于阻止初始钨层的结晶的防结晶钨层（步骤5）。 进行主钨层的形成工序（步骤6）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）准备具有TiN膜的晶片; （CC）步骤1; （DD）在晶片表面上进行引发处理; （EE）步骤2; （FF）使用WF6气体和H2气体通过ALD形成初始钨层; （GG）步骤3; （HH）包含在初始钨层上形成核的材料的吸附气体; （二）第四步; （JJ）形成防结晶钨层; （KK）步骤5; （LL）形成主钨层; （MM）步骤6; （NN）结束

    텅스텐막의 형성 방법
    8.
    发明公开
    텅스텐막의 형성 방법 失效
    텅스텐막의형성방법

    公开(公告)号：KR1020040030965A

    公开(公告)日：2004-04-09

    申请号：KR1020047002213

    申请日：2002-08-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

    IPC: C23C16/08

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

    Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
    진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.

    Abstract translation: 一种在能够抽真空的容器中在待处理物体的表面上形成钨膜的方法包括以下步骤：通过交替地重复用于供应还原气体的还原气体供应处理和供应钨气体的供应处理来形成钨膜 用于供应含钨气体的中间清洗过程用于在抽真空容器的同时供应惰性气体。 重复还原气体供给工序中的还原气体供给工序的还原气体供给期间被设定为比其余的还原气体供给工序长。

    기판지지대 및 그 제조방법과 처리장치
    9.
    发明公开
    기판지지대 및 그 제조방법과 처리장치 无效
    基板支撑台，其制造方法和加工系统

    公开(公告)号：KR1020020066198A

    公开(公告)日：2002-08-14

    申请号：KR1020020007113

    申请日：2002-02-07

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 우시오다조이치 ,  사토고이치 ,  사토요시츠토무 ,  이토히로미치

    IPC: G02F1/13

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/4581 ,  H01J2237/022 ,  Y10T279/23

    Abstract: PURPOSE: A substrate-supporting table, a method for producing the substrate-supporting table and a processing system are provided to prevent ununiformity of etching and to prevent a substrate from being absorbed on the substrate-supporting table. CONSTITUTION: A plasma processing system has a susceptor(4) for supporting a substrate(G). A process gas is supplied into the processing vessel to produce the plasma of the process gas. The susceptor has a dielectric film(6) formed on a base, and a plurality of protrusions(7) formed on the film. The protrusions of the susceptor are formed by thermal-spraying a ceramic onto the dielectric film via an aperture plate having a plurality of circular apertures.

    Abstract translation: 目的：提供基板支撑台，基板支撑台的制造方法以及处理系统，以防止蚀刻不均匀，防止基板被吸收在基板支撑台上。 构成：等离子体处理系统具有用于支撑基板（G）的基座（4）。 将处理气体供应到处理容器中以产生处理气体的等离子体。 基座具有形成在基底上的电介质膜（6）和形成在膜上的多个突起（7）。 通过经由具有多个圆形孔的孔板将陶瓷热喷涂到电介质膜上而形成基座的突出部。

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