公开(公告)号：KR100615763B1

公开(公告)日：2006-08-25

申请号：KR1020000050637

申请日：2000-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키후지오 ,  사카모토코이치 ,  왕웬링 ,  야스하라모유루 ,  팬디프라디프 ,  샤선일

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C30B25/10 ,  C30B31/12 ,  F27D19/00 ,  H01L21/67248

Abstract: 참조용의 제 1 종형 열처리 장치(1A)에 의한 열처리 결과에 근거하여 제 2 종형 열처리 장치(1B)의 온도 교정을 실행한다. 우선, 제 1 장치(1A)에 있어서, 온도 측정용 웨이퍼(MW)를 히터(47 내지 49)에 의해 가열하여, 측정 온도를 온도 목표값에 수렴시키기 위한 온도 제어기(51 내지 53)의 온도 설정값을 구한다. 다음에 제 1 장치(1A)에 있어서, 이들의 온도 설정값을 사용하여, 열처리용의 웨이퍼(W)를 산화 처리하여, 산화막을 형성한다. 그리고, 이 산화막의 두께를 측정하여, 이것을 기준 막두께로서 기록한다. 다음에 제 2 장치(1B)에 있어서, 온도 목표값 근방에서 열처리용의 웨이퍼(W)를 산화 처리하여, 산화막을 형성한다. 그리고 이 산화막의 두께를 측정하여, 기준 막두께와의 막두께 차를 구한다. 제 2 장치(1B)에 있어서의 산화 처리를 반복하여, 막두께 차가 "0"으로 될 때의 제 2 장치(1B)의 온도 제어기(51 내지 53)의 온도 설정값을 구한다. 이와 같이 하여 얻어진 온도 설정값에 근거하여, 제 2 장치(1B)의 온도 교정을 실행한다.

公开(公告)号：KR1020010030160A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000050637

申请日：2000-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키후지오 ,  사카모토코이치 ,  왕웬링 ,  야스하라모유루 ,  팬디프라디프 ,  샤선일

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C30B25/10 ,  C30B31/12 ,  F27D19/00 ,  H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: To raise precision of a temperature controller by measuring the film thickness of a thin-film of object which is to be thermally processed, measuring the film thickness of a thin film of object for a second thermal process device, and so adjusting the temperature controller that these film thickness is identical before the later process is repeated. CONSTITUTION: A wafer W is carried into a thermal process oven 1 for oxidation, and the thickness of oxide film thus obtained is measured with a film- thickness measuring part 8. The wafer W is set in a second thermal process device, and a temperature controller is set to the same temperature for oxidation, before a film thickness is measured. A difference between the film-thickness and that acquired in the previous process is acquired. Temperature difference = film thickness difference/film thickness temperature coefficient. If, for example, a film is thicker than that acquired in the previous process by 2.4 Å, a temperature difference is 2.4/1.2=2, so the temperature setting of a temperature controller 5 should be lowered by 2°. So, an oxidizing process with the second thermal process device is repeated until the thickness of the latter oxide film is equal to that acquired in the previous process.

Abstract translation: 目的：通过测量被加热物体的薄膜的膜厚度来测量温度控制器的精度，测量第二热处理装置的物体薄膜的膜厚，从而调节温度 控制器，这些膜厚度在后续处理之前是相同的。 构成：将晶片W搬入热处理炉1进行氧化，用膜厚测定部8测定由此得到的氧化膜的厚度。将晶片W置于第二热处理装置中， 在测量膜厚度之前，将控制器设置为相同的氧化温度。 获得了薄膜厚度与先前工艺中获得的厚度之间的差异。 温度差=膜厚差/膜厚温度系数。 例如，如果薄膜比以前的方法中所获得的薄膜厚，则温度差为2.4 / 1.2 = 2，因此温度控制器5的温度设置应降低2°。 因此，重复使用第二热处理装置的氧化过程，直到后一氧化膜的厚度等于在先前工艺中获得的厚度。