公开(公告)号：KR1020140043879A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.

Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。

公开(公告)号：KR102117127B1

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101636093B1

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020110059090

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노츠요시 ,  난바히로미츠 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고 ,  하라다가츠시게 ,  하야세후미아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23F1/08

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 표면및 이면에티탄함유막이형성된기판의이면으로부터티탄함유막을제거할때에, 기판의이면에잔류하는티탄원소를종래부터짧은시간에제거할수 있는액 처리방법을제공한다. 본발명은처리액에의해기판의이면을처리하는액 처리방법으로, 회전가능하게설치되고기판을지지하는지지부에의해, 표면및 이면에티탄함유막이형성되어있는기판을지지하고, 지지부에지지되어있는기판을, 지지부와함께회전시키고, 회전하는기판의이면에플루오르화수소산을포함하는제1 처리액을공급하고, 공급한제1 처리액에의해기판의이면을처리하는제1 공정(S11)과, 제1 공정(S11) 후에, 회전하는기판의이면에암모니아과수를포함하는제2 처리액을공급하고, 공급한제2 처리액에의해기판의이면을처리하는제2 공정(S12)을포함한다.

公开(公告)号：KR1020120029987A

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：KR1020110059090

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노츠요시 ,  난바히로미츠 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고 ,  하라다가츠시게 ,  하야세후미아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23F1/08

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: PURPOSE: A liquid processing method and apparatus, and a recording medium recording a program for executing the liquid processing method are provided to eliminate a titanium element in a short time by supplying processing liquids having different etching rate. CONSTITUTION: A substrate supported in a supporting part is rotated with a supporting part. First processing liquid including hydrofluoric acid is provided to the rear side of the rotated substrate(S11). The rear side of the substrate is processed by the first processing liquid. Second processing liquid including ammonium hydrogen peroxide is provided to the rear side of the rotated substrate(S12). The rear side of the substrate is processed by the second processing liquid. DeIonized water is supplied to the bottom side of the substrate(S13). The substrate is dried(S14).

Abstract translation: 目的：提供液体处理方法和装置以及记录用于执行液体处理方法的程序的记录介质，以通过提供具有不同蚀刻速率的处理液来在短时间内消除钛元素。 构成：支撑在支撑部上的基板与支撑部一起旋转。 将包含氢氟酸的第一处理液体设置在旋转基板的后侧（S11）。 基板的后侧由第一处理液处理。 将包含过氧化氢铵的第二处理液体设置在旋转基板的后侧（S12）。 基板的后侧由第二处理液处理。 将去离子水供给到基板的底侧（S13）。 将基板干燥（S14）。