公开(公告)号：KR1020130049743A

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：KR1020120123505

申请日：2012-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  아시자와히로아키 ,  하라준야 ,  이와이다카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L28/65

Abstract: PURPOSE: A method for forming a ruthenium oxide layer and a storage medium are provided to reduce incubation time by forming the ruthenium oxide layer with a high rate. CONSTITUTION: A chamber(1) is cylindrical. A susceptor(2) horizontally supports the wafer and is supported by a support member. A heater(5) is buried in the susceptor. A heater power source is connected to a heater. [Reference numerals] (23) Exhaust device; (51) Process controller; (52) User interface; (53) Memory unit; (53a) Memory medium; (6) Heater power; (8) Heater controller

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氧化钌层和存储介质的方法，以通过以高速率形成氧化钌层来减少孵育时间。 构成：室（1）为圆柱形。 感受器（2）水平地支撑晶片并由支撑构件支撑。 加热器（5）埋在基座中。 加热器电源连接到加热器。 （附图标记）（23）排气装置; （51）过程控制器; （52）用户界面; （53）存储单元; （53a）存储介质; （6）加热器功率; （8）加热器控制器

公开(公告)号：KR101493130B1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：KR1020120123505

申请日：2012-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노로나오타카 ,  아시자와히로아키 ,  하라준야 ,  이와이다카아키

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/40 ,  H01L28/65

Abstract: CVD법에 의해, 인큐베이션 시간이 짧고 또한 고성막 레이트로 성막 가능하며, 또한 스텝 커버리지가 높아, 50 이상의 높은 어스펙트비의 오목부에의 성막이 가능한 산화루테늄막의 성막 방법을 제공하는 것이다.
처리 용기 내에 기판을 수용하고, Ru에 2개의 β-디케톤, 및 올레핀, 아민, 니트릴 및 카르보닐로부터 선택되는 2개의 기가 배위된 이하의 화학식 1의 구조를 가지는 루테늄 화합물을 기상 상태로 기판 상에 공급하고, 또한 산소 가스를 기판 상에 공급하여, 상기 루테늄 화합물 가스와 산소 가스의 반응에 의해 기판 상에 산화루테늄막을 성막한다.
(화학식 1)

단, R
1 , R
2 는 총 탄소수가 2∼5인 알킬기이며, R
3 은 올레핀기, 아민기, 니트릴기 및 카르보닐기로부터 선택되는 기이다.