公开(公告)号：KR101659469B1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：KR1020147001078

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  고미아츠시 ,  하타노타츠오 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 매립전극이형성되는신뢰성이높은반도체장치를저비용으로얻기위하여, 기판표면에절연막이형성되어있고, 상기절연막에형성된개구부의내부에금속산화물로이루어지는제 1 막을성막하는제 1 성막공정과, 상기제 1 막에원자형상수소를조사하는수소라디칼처리공정과, 상기수소라디칼처리공정후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는제 2 막을성막하는제 2 성막공정과, 상기제 2 막을성막한후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는전극을형성하는전극형성공정을가지는것을특징으로하는반도체장치의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020140135709A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：KR1020147023355

申请日：2013-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 오목부가 형성된 절연층과, 상기 오목부의 저면에 노출된 제 1 도전층을 가지는 하지층 상에 제 2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 제 2 도전층 상에 제 3 도전층을 형성하는 공정과, 상기 제 3 도전층에, 상기 제 3 도전층에 고용 가능한 재료를 날리는 공정과, 상기 고용 가능한 재료가 날려진 상기 제 3 도전층을 가열하는 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.

公开(公告)号：KR1020140041745A

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020147001078

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  고미아츠시 ,  하타노타츠오 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 매립 전극이 형성되는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 저비용으로 얻기 위하여, 기판 표면에 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에 형성된 개구부의 내부에 금속 산화물로 이루어지는 제 1 막을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기 제 1 막에 원자 형상 수소를 조사하는 수소 라디칼 처리 공정과, 상기 수소 라디칼 처리 공정 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 제 2 막을 성막하는 제 2 성막 공정과, 상기 제 2 막을 성막한 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 전극을 형성하는 전극 형성 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.