公开(公告)号：KR1020140135709A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：KR1020147023355

申请日：2013-02-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 오목부가 형성된 절연층과, 상기 오목부의 저면에 노출된 제 1 도전층을 가지는 하지층 상에 제 2 도전층을 형성하는 공정과, 상기 제 2 도전층 상에 제 3 도전층을 형성하는 공정과, 상기 제 3 도전층에, 상기 제 3 도전층에 고용 가능한 재료를 날리는 공정과, 상기 고용 가능한 재료가 날려진 상기 제 3 도전층을 가열하는 공정을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.

公开(公告)号：KR1020140041745A

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020147001078

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  고미아츠시 ,  하타노타츠오 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 매립 전극이 형성되는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 저비용으로 얻기 위하여, 기판 표면에 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에 형성된 개구부의 내부에 금속 산화물로 이루어지는 제 1 막을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기 제 1 막에 원자 형상 수소를 조사하는 수소 라디칼 처리 공정과, 상기 수소 라디칼 처리 공정 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 제 2 막을 성막하는 제 2 성막 공정과, 상기 제 2 막을 성막한 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 전극을 형성하는 전극 형성 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020170106461A

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：KR1020177023498

申请日：2016-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  창프엉 ,  마츠모토켄지

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76864 ,  C23C14/025 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/46 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76877

Abstract: 정해진패턴의트렌치, 및트렌치의바닥에형성된비아를가지는막이표면에형성된기판에대하여, 트렌치및 비아에 Cu 또는 Cu 합금을매립하여 Cu 배선을형성하는방법으로서, 배리어막을형성하는공정(단계 2)과, 배리어막표면에 Ru 등으로이루어지는피습윤층을형성하는공정(단계 3)과, 이어서, 피습윤층의표면에 PVD에의해 Cu계시드막을형성하는공정(단계 4)과, 이어서, 기판을가열하여, Cu계시드막을비아내에유입시켜비아를메우는공정(단계 5)과, 이어서, 기판표면에 Cu 또는 Cu 합금으로이루어지는 Cu계막을, 피습윤층상에서유동가능한조건의 PVD에의해형성하여, Cu계막을상기트렌치내에매립하는공정(단계 6)을가진다.

Abstract translation: 与经由形成于在一个给定的图案的沟槽，以及一个沟槽，通过在沟槽和通孔中填充铜或铜合金，形成Cu布线，步骤（步骤2）的方法的底部形成一个表面上设置有相对于基片膜以形成阻挡膜 并且，阻挡过程（步骤3）和成膜的piseup yuncheung由PVD的piseup yuncheung步骤（步骤4），以形成脱膜的Cu启示，并且随后的表面上形成由Ru等表面的，然后将它，加热衬底 于Cu揭示德膜和（5）填充流入通孔中的通孔中的步骤，然后，由Cu或Cu合金的到衬底表面Cu系膜，是通过PVD在piseup yuncheung可流动状态形成的，铜 - 它基于 还有一个将薄膜嵌入沟槽的步骤（步骤6）。

公开(公告)号：KR101358114B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020117023503

申请日：2010-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 네이시코지 ,  고이케준이치 ,  마츠모토켄지

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/406 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: Cu와의 밀착성을 양호하게 하는 것이 가능한 산화 망간막의 형성 방법을 개시한다. 이 산화 망간막의 형성 방법은, 산화물 상에 망간을 포함한 가스를 공급하여, 산화물 상에 산화 망간막을 형성한다. 이 때의 산화 망간막의 성막 온도를 100℃ 이상 400℃ 미만으로 한다.

公开(公告)号：KR101659469B1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：KR1020147001078

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  고미아츠시 ,  하타노타츠오 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 매립전극이형성되는신뢰성이높은반도체장치를저비용으로얻기위하여, 기판표면에절연막이형성되어있고, 상기절연막에형성된개구부의내부에금속산화물로이루어지는제 1 막을성막하는제 1 성막공정과, 상기제 1 막에원자형상수소를조사하는수소라디칼처리공정과, 상기수소라디칼처리공정후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는제 2 막을성막하는제 2 성막공정과, 상기제 2 막을성막한후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는전극을형성하는전극형성공정을가지는것을특징으로하는반도체장치의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR1020010043512A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007012604

申请日：2000-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쉬니리키히로시 ,  마츠모토켄지

IPC: C23C16/40

Abstract: 반응기(101)내의 진공도는 0.1Torr 의 저진공 상태로 하고, 이 상태에서 Pb 원료 생성부(105)로부터, Pb(DPM)
2 가 0.1 몰 농도로 용해되어 있는 아세트산부틸 용액을 유량 제어 수단(105a)에 의해 예정된 유량으로 유량 제어하여 기화기(105b)에 수송하고, 아세트산부틸과 함께 용해되어 있는 Pb(DPM)
2 를 기화기(105b)로 기화한다. 이들에 헬륨 가스를 유량 "250sccm" 으로 첨가하여 샤워 헤드(103)에 수송함으로써, 반응기(101)내의 웨이퍼(104)상에 각각의 분압을 낮춘 상태에서 각 원료 가스를 공급한다.

公开(公告)号：KR102008475B1

公开(公告)日：2019-08-07

申请号：KR1020177023498

申请日：2016-01-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이히로유키 ,  창프엉 ,  마츠모토켄지

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR1020140143095A

公开(公告)日：2014-12-15

申请号：KR1020140064590

申请日：2014-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 구리 배선층의 배리어막으로서 필요한 배리어성을 유지하면서, 구리 배선층 상에서는 악영향을 미치지 않는 산화 망간막을 형성할 수 있는 산화 망간막의 형성 방법을 제공한다. 기판 상에 하층 구리 배선층과, 그 위에 층간막으로서의 실리콘 함유 산화막이 형성되고, 상기 실리콘 함유 산화막에, 상기 하층 구리 배선층에 달하는 오목부가 형성된 구조체에, 배리어막으로서 산화 망간막을 형성한다. 이 산화 망간막은 ALD법에 의해 형성되고, 얻어지는 산화 망간막이, 실리콘 함유 산화막 상에서는 허용되는 배리어성을 가지고, 노출되는 하층 구리 배선층 상에서는 오목부에 구리가 매립되었을 시 허용되는 저항값이 되도록, 반복 횟수를 조정하여 소정의 막 두께로 한다.

Abstract translation: 公开了一种形成氧化锰膜的方法，同时保持作为铜布线层的阻挡膜所需的阻挡性能，而不会对铜布线层产生不良影响。 在基板上形成下铜布线层，在下铜布线层上形成作为层间膜的含硅氧化膜，在含硅氧化膜上形成凹部，到达下铜布线层。 氧化锰膜通过ALD工艺形成。 通过调节氧化硅膜在含硅氧化物膜上具有预定的阻挡性能的重复次数来控制氧化锰膜的厚度，并且埋入凹槽中的铜在暴露的下部具有预设的电阻值 铜布线层。

公开(公告)号：KR1020110129940A

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：KR1020117023503

申请日：2010-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 네이시코지 ,  고이케준이치 ,  마츠모토켄지

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/406 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: Cu와의 밀착성을 양호하게 하는 것이 가능한 산화 망간막의 형성 방법을 개시한다. 이 산화 망간막의 형성 방법은, 산화물 상에 망간을 포함한 가스를 공급하여, 산화물 상에 산화 망간막을 형성한다. 이 때의 산화 망간막의 성막 온도를 100℃ 이상 400℃ 미만으로 한다.

公开(公告)号：KR100391026B1

公开(公告)日：2003-07-12

申请号：KR1020007012604

申请日：2000-03-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쉬니리키히로시 ,  마츠모토켄지

IPC: C23C16/40

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/409 ,  H01L21/31691

Abstract: The vacuum degree in a reactor 101 is set to as low as 0.1 Torr. In this state, a butyl acetate solution in which Pb(DPM)2 is dissolved at a concentration of 0.1 mol is transported from a Pb source generator 105 to an evaporator 105b, while the flow rate of the butyl acetate solution is controlled to a predetermined flow rate by a massflow controller 105a, to evaporate the Pb(DPM)2 dissolved together with the butyl acetate by the evaporator 105b. Helium gas is added to these at a flow rate "250 sccm", and the mixed gas is transported to a shower head 103. With this operation, source gases are supplied to a wafer 104 in the reactor 101, while the partial pressure of each source gas is set low.

Abstract translation: 反应器101中的真空度设定为低至0.1乇。 在该状态下，将Pb（DPM）2以0.1mol的浓度溶解于其中的乙酸丁酯溶液从Pb源发生器105输送到蒸发器105b，同时乙酸丁酯溶液的流量被控制为预定的 通过质量流量控制器105a的流量，蒸发器105b蒸发与乙酸丁酯一起溶解的Pb（DPM）2。 氦气以“250sccm”的流速添加到这些气体中，并且混合气体被输送到喷头103.通过该操作，将源气体供应到反应器101中的晶片104，同时将分压 每种源气都设定为低。 ＆lt;图像＆GT;