公开(公告)号：KR101659469B1

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：KR1020147001078

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  고미아츠시 ,  하타노타츠오 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 매립전극이형성되는신뢰성이높은반도체장치를저비용으로얻기위하여, 기판표면에절연막이형성되어있고, 상기절연막에형성된개구부의내부에금속산화물로이루어지는제 1 막을성막하는제 1 성막공정과, 상기제 1 막에원자형상수소를조사하는수소라디칼처리공정과, 상기수소라디칼처리공정후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는제 2 막을성막하는제 2 성막공정과, 상기제 2 막을성막한후, 상기개구부의내부에금속으로이루어지는전극을형성하는전극형성공정을가지는것을특징으로하는반도체장치의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR100289515B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019970013561

申请日：1997-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타노타츠오 ,  무라카미세이시

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명의 베리어 메탈층은 질소 원자를 포함하는 질소 화합물에 의해서 그 표면이 질화되어 개질(改質)된 티탄막, 티탄막의 표면에 형성되는 티탄나이트라이드막으로 이루어지고, 티탄막과 티탄나이트라이드막은 반도체 디바이스의 하층의 베이스층과 상층의 금속막층 사이에 개재된다. 또, 본 발명의 베리어 메탈층 형성방법은, 반도체 디바이스의 다층 배선 구조를 구성하는 제 1 배선층과 이 제 1 배선층 위에 퇴적된 절연층 상에 형성되는 제 2 배선층을 전기적으로 접속하기 위해, 절연층의 소정의 부위에 제 1 배선층에 도달하도록 형성된 홀의 내면과 이 홀의 바닥부에 노출된 제 1 배선층의 표면을 포함하고, 절연층의 상면 전체에 걸쳐서 티탄막을 형성하며, 질소 원자를 포함하는 질소 화합물의 분위기 중에 티탄막을 노출시킴으로써 티탄막의 표면을 질화해서 개질하고, 그 위에 제 2 배선층이 퇴적되는 티탄나이트라이드막을 개질된 티탄막 위에 형성한다.

公开(公告)号：KR1019970072294A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019970013561

申请日：1997-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타노타츠오 ,  무라카미세이시

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：KR1019960037102A

公开(公告)日：1996-11-19

申请号：KR1019960012081

申请日：1996-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지카와유이치로 ,  무라카미세이시 ,  하타노타츠오

IPC: B01D53/34

Abstract: 본 발명은, 배기가스내에 함유된 미반응 처리가스나 반응생성물 등의 혼입물을 효율좋게 제거할 수 있는 혼입물 제거장치 및 제거방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 트랩본체는, 진공펌프의 상류측에 위치하고 있는 배기통로에 삽입된 하우징에 착탈자재로 부착되고, 접촉하는 배기가스중의 혼입물을 냉각하여 이 혼입물을 액화하기 위한 냉각핀을 갖추고 있다. 따라서, 배기통로를 통해 흐르는 배기가스내에 함유된 미반응 처리가스나 반응생성물 등의 혼입물은 이들이 트랩본체와 접촉함으로써 냉각핀에 의해 냉각되어 액화하여 트랩본체의 표면에 부착된다. 따라서, 배기가스내의 혼입물을 제거할 수 있고, 하류측의 진공펌프에 손상을 주거나 배기통로가 막히는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120109333A

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020120028624

申请日：2012-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  이시자카타다히로 ,  사쿠마타카시 ,  하타노타츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877

Abstract: PURPOSE: Methods for forming a film and Cu wiring are provided to prevent a protrusion from being formed on an opening of a wrench and hole by putting a metal particle ion on a processed substrate with a plasma generation gas ion to form a metal film. CONSTITUTION: An exhaust pipe(53) and a gas inlet(57) are formed on a bottom(52) of a processing container(51). A slot valve(55) and a vacuum pump(56) are connected to a vent pipe(54). A mounting device(62) is installed in the processing container to mount a wafer(W). An electrode(66b) of an electrostatic chuck(66) is connected to a power supply(73) for chuck through a feed line(72). A high frequency power supply(74) for bias is connected to the feed line. [Reference numerals] (101) Process controller; (102) User interface; (103) Memory unit; (103a) Memory medium; (56) Vacuum pump; (59) Gas supply source; (89) Electric heating gas

Abstract translation: 目的：提供用于形成膜和Cu布线的方法，以通过用等离子体产生气体离子将金属颗粒离子放置在处理的基板上以形成金属膜来防止在扳手和孔的开口上形成突起。 构成：在处理容器（51）的底部（52）上形成排气管（53）和气体入口（57）。 排气阀（55）和真空泵（56）连接到排气管（54）。 安装装置（62）安装在处理容器中以安装晶片（W）。 静电吸盘（66）的电极（66b）通过馈电线（72）连接到用于卡盘的电源（73）。 用于偏置的高频电源（74）连接到馈线。 （附图标记）（101）过程控制器; （102）用户界面; （103）存储单元; （103a）存储介质; （56）真空泵; （59）供气源; （89）电加热气

公开(公告)号：KR1020110014185A

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：KR1020107027538

申请日：2009-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노타츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  다가사토시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

Abstract: 본 발명은, 가역성을 갖는 열분해 반응을 발생시키는 원료 가스를 이용하여 처리 용기 내에서 피처리체에 대하여 박막을 형성하기 위해, 상기 처리 용기 내에 설치되어 상기 피처리체를 배치하는 배치대 구조에 있어서, 그 상면인 배치면에 상기 피처리체를 배치하기 위한 배치대와, 상기 배치대 내에 설치된, 상기 원료 가스의 열분해를 억제하는 분해 억제 가스를 상기 배치대의 배치면에 배치되는 상기 피처리체의 주변부를 향해 공급하기 위한 분해 억제 가스 공급 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 배치대 구조이다.

公开(公告)号：KR100260246B1

公开(公告)日：2000-07-01

申请号：KR1019960012081

申请日：1996-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지카와유이치로 ,  무라카미세이시 ,  하타노타츠오

IPC: B01D53/34

CPC classification number: B01D8/00 ,  C23C16/4412 ,  F28F3/02 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S417/901

Abstract: 본 발명은, 배기가스내에 함유된 미반응 처리가스나 반응생성물 등의 혼입물을 효율좋게 제거할 수 있는 제거장치 및 제거방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 트랩 본체는, 진공펌프의 상류측에 위치하고 있는 배기통로에 삽입된 하우징에 착탈자재로 부착되고, 접촉하는 배기가스중의 혼입물을 냉각하여 이 혼입물을 액화하기 위한 냉각핀을 갖추고 있다. 따라서, 배기 통로를 통해 흐르는 배기가스내에 함유된 미반응 처리가스나 반응 생성물 등의 혼입물은 이들이 트랩 본체와 접촉함으로써 냉각핀에 의해 냉각되어 액체하여 트랩 본체의 표면에 부착된다. 따라서, 배기가스내의 혼입물을 제거할 수 있고, 하류측의 진공펌프에 손상을 주거나 배기통로가 막히는 것을 방지할 수 있다.

Abstract translation: 捕集体可拆卸地安装在插入在位于真空泵的上游侧的排气通道的该部分中的壳体中，并且具有用于冷却与冷却装置接触的废气中的废气材料的冷却翅片， 从而液化流质物料。 因此，流经排气通路的排气中含有的未受影响的处理气体，反应产物等的流质物质被被冷却单元冷却的捕集体接触时被冷却和液化，并粘附 到陷阱体的表面。 因此，废气中的垃圾物质可以被去除，以免损坏下游侧的真空泵或关闭排气通道。

公开(公告)号：KR101382376B1

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：KR1020120028624

申请日：2012-03-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와마타마사야 ,  이시자카타다히로 ,  사쿠마타카시 ,  하타노타츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/28

Abstract: 피처리 기판을 가열하여 트렌치 및 홀의 폭부의 오버행을 억제하면서 금속막을 성막하고, 또한 성막 후에 신속하게 피처리 기판의 온도를 저하시킬 수 있는 성막 방법을 제공하는 것이다. 재치대를 저온으로 유지하여, 재치대 상에 피처리 기판을 흡착시키지 않고 재치하는 공정과, 플라즈마 생성 가스의 플라즈마를 생성하고, 재치대에 고주파 바이어스를 인가한 상태에서, 피처리 기판에 플라즈마 생성 가스의 이온을 인입하여 피처리 기판을 예비 가열하는 공정과, 타겟에 전압을 인가하여 금속 입자를 방출시키고, 플라즈마 생성 가스의 이온과 함께 이온화한 금속 이온을 피처리 기판에 인입하여 금속막을 형성하는 공정과, 피처리 기판을 저온으로 유지된 재치대에 흡착시키고, 재치대와 피처리 기판의 사이로 전열 가스를 공급하여 피처리 기판을 냉각시키는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020140041745A

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020147001078

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토켄지 ,  고미아츠시 ,  하타노타츠오 ,  하마다타츠후미

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 매립 전극이 형성되는 신뢰성이 높은 반도체 장치를 저비용으로 얻기 위하여, 기판 표면에 절연막이 형성되어 있고, 상기 절연막에 형성된 개구부의 내부에 금속 산화물로 이루어지는 제 1 막을 성막하는 제 1 성막 공정과, 상기 제 1 막에 원자 형상 수소를 조사하는 수소 라디칼 처리 공정과, 상기 수소 라디칼 처리 공정 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 제 2 막을 성막하는 제 2 성막 공정과, 상기 제 2 막을 성막한 후, 상기 개구부의 내부에 금속으로 이루어지는 전극을 형성하는 전극 형성 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101210210B1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：KR1020107027538

申请日：2009-08-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미아츠시 ,  미즈사와야스시 ,  하타노타츠오 ,  하라마사미치 ,  야마모토가오루 ,  다가사토시

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

Abstract: 본발명은, 가역성을갖는열분해반응을발생시키는원료가스를이용하여처리용기내에서피처리체에대하여박막을형성하기위해, 상기처리용기내에설치되어상기피처리체를배치하는배치대구조에있어서, 그상면인배치면에상기피처리체를배치하기위한배치대와, 상기배치대내에설치된, 상기원료가스의열분해를억제하는분해억제가스를상기배치대의배치면에배치되는상기피처리체의주변부를향해공급하기위한분해억제가스공급수단을포함한것을특징으로하는배치대구조이다.