公开(公告)号：KR1020040037079A

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：KR1020047003562

申请日：2003-07-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코이히로아키 ,  젠코데쓰 ,  아시자와히로아키 ,  하시모토쓰요시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404

Abstract: 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 처리실내에 반입하기 전에 탑재대(32)를 프리코팅으로 피복하는 프리코팅 공정, 및 프리코팅 공정 후, 피처리 기판(W)을 처리실(21)내에 반입하여 피처리 기판(W) 상에 주요막을 형성하는 성막 공정을 포함한다. 프리코팅 공정은 제 1 및 제 2 공정을 여러회 반복함으로써, 복수의 세그먼트막을 적층하여 프리코팅을 형성한다. 제 1 공정에서는 제 1 및 제 2 처리 가스를 처리실(21)내에 공급하여, 탑재대(32) 상에 금속 원소를 포함하는 세그먼트막을 형성한다. 제 2 공정에서는, 금속 원소를 포함하지 않는 제 2 처리 가스를 처리실(21)내에 공급하여, 제 1 공정에서 생성된 세그먼트막을 형성하는 성분 이외의 부 생성물을 배기에 의해 처리실(21)로부터 제거한다.

Abstract translation: 用于半导体加工的成膜方法包括：预涂覆步骤，用于在将待处理的衬底（W）输送至处理室之前通过预涂覆来涂覆载置台（32）;以及用于输送衬底（W）的步骤， 在预涂层步骤之后加工到处理室（21）中并在待处理的衬底（W）上形成主膜。 预涂层步骤多次重复第一和第二步骤，使得多个分段膜叠加以形成预涂层。 在第一步骤中，将第一和第二处理气体供应到处理室（21）中，并且在载置台（32）上形成包含金属元素的分段膜。 在第二步骤中，将不含金属元素的第二处理气体供给到处理室（21）中，并且将第一步骤中生成的用于形成节段膜的组件以外的副产物从处理室（21）中移除 排气。

公开(公告)号：KR100855767B1

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020067005453

申请日：2004-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  하시모토쓰요시

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: 이 기판처리방법 및 기판처리장치는, MOSFET(11)의 게이트(21), 소스(15), 드레인(17) 표층에 형성된 자연 산화막을, 활성화된 NF
3 가스로 제거하고, 이 자연산화막이 제거된 게이트(21), 소스(15), 드레인(17)의 표면에 Co막(91)을 형성하고, 이 MOSFET에 대해서 저온 어닐을 실시하여, 이 Co막(91)과 게이트(21), 소스(15), 드레인(17)의 실리콘 화합물을 반응시켜 이 실리콘 화합물의 표층에 금속 실리사이드층을 형성한다. 따라서, 열이력이 기판중의 불순물의 분포에 바람직하지 않은 영향을 주게 되는 고온 어닐을 필요로 하지 않는 처리방법을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060090224A

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：KR1020067005453

申请日：2004-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  하시모토쓰요시

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

Abstract: In the provided method of substrate processing and apparatus for substrate processing, natural oxide films formed on surface layers of MOSFET (11) gate (21), source (15) and drain (17) are removed with activated NF3 gas. Co film (91) is formed on the surfaces of gate (21), source (15) and drain (17) after removal of the natural oxide films. The MOSFET is subjected to low-temperature anneal, and the Co film (91) is reacted with the silicon compounds of gate (21), source (15) and drain (17), thereby forming a metal silicide layer on the surface layer of the silicon compounds. Thus, there can be provided a processing method not requiring high-temperature anneal wherein thermal history adversely affects the impurity distribution within the substrate.

Abstract translation: 在所提供的基板处理方法和基板处理装置中，用激活的NF 3气体除去形成在MOSFET（11）栅极（21），源极（15）和漏极（17）的表面层上的自然氧化膜。 在除去天然氧化物膜之后，在栅极（21），源极（15）和漏极（17）的表面上形成Co膜（91）。 对MOSFET进行低温退火，Co膜（91）与栅极（21），源极（15）和漏极（17）的硅化合物反应，从而在表面层上形成金属硅化物层 硅化合物。 因此，可以提供不需要高温退火的加工方法，其中热历史不利地影响基板内的杂质分布。

公开(公告)号：KR100606398B1

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1020047003562

申请日：2003-07-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코이히로아키 ,  젠코데쓰 ,  아시자와히로아키 ,  하시모토쓰요시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404

Abstract: A film formation method for semiconductor processing includes a pre-coat step for coating a placing table (32) by a pre-coat before conveying a substrate (W) to be processed into a processing chamber and a step for conveying the substrate (W) to be processed into the processing chamber (21) after the pre-coat step and forming a main film on the substrate (W) to be processed. The pre-coat step repeats a first and a second step a plurality of times so that a plurality of segment films are superimposed to form a pre-coat. In the first step, a first and a second processing gas are supplied into a processing chamber (21) and a segment film containing a metal element is formed on the placing table (32). In the second step, a second processing gas not containing a metal element is supplied into the processing chamber (21) and a byproduct other than the component to form the segment film generated in the first step is removed from the processing chamber (21) by exhaust of air.