公开(公告)号：KR101315558B1

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020087026258

申请日：2007-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에노모토다카시 ,  하기하라마사아키 ,  고아키테루 ,  하마모토신지 ,  우라카와마사후미 ,  라플랭아서에이치쥬니어 ,  헬러에드워드

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: 가스 주입 시스템은 프로세스 가스를 공정 챔버 내에 분배하는 디퓨저를 포함한다. 가스 주입 시스템은 부식성 프로세스 가스를 수반하는 폴리실리콘 에칭 시스템에서 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080110652A

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：KR1020087026258

申请日：2007-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에노모토다카시 ,  하기하라마사아키 ,  고아키테루 ,  하마모토신지 ,  우라카와마사후미 ,  라플랭아서에이치쥬니어 ,  헬러에드워드

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: A gas injection system includes a diffuser to distribute a process gas in a processing chamber. The gas injection system may be utilized in a polysilicon etching system involving corrosive process gases. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 气体注入系统包括用于在处理室中分配处理气体的扩散器。 气体注入系统可以用于涉及腐蚀性工艺气体的多晶硅蚀刻系统中。 ®KIPO＆WIPO 2009