公开(公告)号：KR101315558B1

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020087026258

申请日：2007-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에노모토다카시 ,  하기하라마사아키 ,  고아키테루 ,  하마모토신지 ,  우라카와마사후미 ,  라플랭아서에이치쥬니어 ,  헬러에드워드

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: 가스 주입 시스템은 프로세스 가스를 공정 챔버 내에 분배하는 디퓨저를 포함한다. 가스 주입 시스템은 부식성 프로세스 가스를 수반하는 폴리실리콘 에칭 시스템에서 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020027588A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020027002517

申请日：2000-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하기하라마사아키 ,  이나자와고이치로 ,  나이토와카코

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치(100)의 처리실(102)내에, CH
2 F
2, O
2 및 Ar로 이루어진 처리 기체를 도입한다. 처리 기체의 유량비는 CH
2 F
2 /O
2 /Ar=20sccm/10sccm/100sccm으로 설정한다. 또한, 처리실(102)내의 압력은 50mTorr으로 설정한다. 웨이퍼(W)가 탑재된 하부 전극(108)에, 13.56㎒에서 500W의 고주파 전력을 인가한다. 처리 기체가 플라즈마화되고, Cu층(204)상에 형성된 SiNx층(206)이 에칭된다. 노출된 Cu층(204)은 거의 산화되지 않고, 또한 C 또는 F가 함유되지 않는다.

公开(公告)号：KR101037308B1

公开(公告)日：2011-05-27

申请号：KR1020057022970

申请日：2004-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  이와마노부히로 ,  코메이키 ,  모치키히로마사 ,  하기하라마사아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 본 발명은 플라즈마 처리 시스템에서 기판 상의 고-k 유전층을 에칭하는 방법에 관한 것이다. 상기 고-k 유전층은 예컨대 HfO
2 를 포함할 수 있다. 상기 고-k 유전층 에칭 방법은 상기 기판의 온도를 200 ℃ 이상(즉, 통상 대략 400 ℃)으로 상승시키는 단계와, 할로겐 함유 가스를 포함하는 처리 가스를 도입하는 단계와, 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 점화하는 단계와, 상기 기판을 상기 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 처리 가스는 Si 및 SiO
2 에 대한 HfO
2 의 에칭 레이트를 향상시키기 위해서 환원 가스를 더 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070104589A

公开(公告)日：2007-10-26

申请号：KR1020077018253

申请日：2005-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 발라슈브라마니암바이디아나탄 ,  하타무라야스노리 ,  하기하라마사아키 ,  니시무라에이이치 ,  이나자와고이치로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/26

Abstract: A method is provided for plasma ashing to remove photoresist remnants and etch residues formed during preceding plasma etching of dielectric layers. The ashing method uses a two-step plasma process involving a hydrogen-containing gas, where low or zero bias is applied to the substrate in the first cleaning step to remove significant amount of photoresist remnants and etch residues from the substrate, in addition to etching and removing detrimental fluoro-carbon residues from the chamber surfaces. An increased bias is applied to the substrate in the second cleaning step to remove the remains of the photoresist and etch residues from the substrate. A chamber pressure less than 20 mTorr is utilized in the second cleaning step. The two-step process reduces the memory effect commonly observed in conventional one-step ashing processes. A method of endpoint detection can be used to monitor the ashing process.

Abstract translation: 提供了一种用于等离子体灰化以去除光刻胶残留物的蚀刻残留物和在电介质层的先前等离子体蚀刻期间形成的蚀刻残留物的方 灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低或零偏压，以除去蚀刻之外的大量光致抗蚀剂残余物和蚀刻残留物 并从室表面除去有害的氟碳残余物。 在第二清洗步骤中对衬底施加增加的偏压以除去光刻胶的残余物并从衬底上蚀刻残留物。 在第二清洗步骤中使用小于20mTorr的室压力。 两步法减少了常规一步灰化过程中常见的记忆效应。 端点检测方法可用于监测灰化过程。

公开(公告)号：KR101226297B1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：KR1020077017431

申请日：2005-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 발라스브라마니암바이디야나탄 ,  하기하라마사아키 ,  니시무라에이치 ,  이나자와고이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063

Abstract: 본 발명은 유전체층에 대한 이전의 플라즈마 에칭 동안에 형성된 포토레지스트 잔류물 및 에칭 찌꺼기를 제거하기 위한 저압 플라즈마 애싱 방법을 제공한다. 이 애싱 방법은, 산소 함유 가스를 수반하며, 제1 세정 단계에서 기판으로부터 포토레지스트 잔류물 및 에칭 찌꺼기의 상당한 양을 제거하는 한편, 챔버 표면으로부터 플루오로-카본 찌꺼기를 에칭 제거하기 위해 기판에 낮은 바이어스 또는 제로 바이어스가 인가되는 투스텝 애싱 공정을 이용한다. 제2 세정 단계에서 증가된 바이어스가 인가되어, 기판으로부터 포토레지스트 잔류물 및 에칭 찌꺼기를 제거한다. 제2 세정 단계에서, 20 mTorr 미만의 챔버 압력이 이용된다. 투스텝 공정은 종래의 원스탭 애싱 공정에서 통상적으로 관찰되는 기억 효과를 감소시킨다. 애싱 공정을 모니터링하는 데에 종료 시점 검출 방법이 사용될 수 있다.
반도체, 애싱, 애칭 찌꺼기, 투스텝 공정

公开(公告)号：KR1020080110652A

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：KR1020087026258

申请日：2007-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 에노모토다카시 ,  하기하라마사아키 ,  고아키테루 ,  하마모토신지 ,  우라카와마사후미 ,  라플랭아서에이치쥬니어 ,  헬러에드워드

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069

Abstract: A gas injection system includes a diffuser to distribute a process gas in a processing chamber. The gas injection system may be utilized in a polysilicon etching system involving corrosive process gases. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 气体注入系统包括用于在处理室中分配处理气体的扩散器。 气体注入系统可以用于涉及腐蚀性工艺气体的多晶硅蚀刻系统中。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR100686761B1

公开(公告)日：2007-02-23

申请号：KR1020000062233

申请日：2000-10-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와미츠루 ,  하기하라마사아키 ,  이나자와고이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 선택비의 향상 및 에칭형상의 개선을 도모할 수 있는 에칭 방법을 제공한다.
기밀한 처리실(104)내에 처리 가스를 도입하고, 처리실내에 배치된 기판상에 형성된 에칭 대상막에 대한 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는 CF
4 와 N
2 와 Ar로 이루어지고, 에칭 대상막은 상층의 유기 폴리실록산막 및 하층의 무기 SiO
2 막으로 이루어진다. 처리 가스인 CF
4 와 N
2 의 유량비는 실질적으로 1≤(N
2 의 유량/CF
4 의 유량)≤4이다. (N
2 의 유량/CF
4 의 유량)이 1미만이면 에칭정지를 일으켜 깊게 에칭할 수 없다. 또한, (N
2 의 유량/CF
4 의 유량)이 4보다 크면, 보잉이 발생하는 등, 에칭형상이 좋지 않다. 이 때문에, 처리 가스인 CF
4 와 N
2 의 유량비는 실질적으로 1≤(N
2 의 유량/CF
4 의 유량)≤4인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR1020010040160A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000062233

申请日：2000-10-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시카와미츠루 ,  하기하라마사아키 ,  이나자와고이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: To provide an etching method which can enhance the selectivity ratio and improvement of etching form. CONSTITUTION: In an etching method for a film being the target of etching made on a substrate arranged within a processing chamber, the processing gas introduced into an air-tight processing chamber 104 consists of CF4, N2, and Ar, and the film being the target of etching consists of an upper organic polysiloxane film and a lower organic SiO2 film. The flow ratio of CF4 to N2 in the processing gas is substantially 1

Abstract translation: 目的：提供可提高选择比和蚀刻形式改进的蚀刻方法。 构成：在作为在配置在处理室内的基板上进行的蚀刻对象的膜的蚀刻方法中，导入气密处理室104的处理气体由CF4，N2，Ar构成，膜为 蚀刻目标由上部有机聚硅氧烷膜和下部有机SiO 2膜组成。 处理气体中CF4与N2的流量比例基本上为1（流量为CF4）/ = 4.如果（流量为CF4）的N2 /流量小于1，则会引起蚀刻停止， 深刻蚀将无法实现。 否则，如果（CF4的N2 /流量）大于4，则会引起弯曲，蚀刻形式将不令人满意。 因此，处理气体中CF4与N2的流量比应为1 <=（N2 /流量为CF4）<= 4。

公开(公告)号：KR1020070094015A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：KR1020077017431

申请日：2005-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 발라스브라마니암바이디야나탄 ,  하기하라마사아키 ,  니시무라에이치 ,  이나자와고이치로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31138 ,  G03F7/427 ,  H01L21/02063

Abstract: A method is provided for low-pressure plasma ashing to remove photoresist remnants and etch residues that are formed during preceding plasma etching of dielectric layers. The ashing method uses a two-step plasma process involving an oxygen-containing gas, where low or zero bias is applied to the substrate in the first cleaning step to remove significant amount of photoresist remnants and etch residues from the substrate, in addition to etching and removing detrimental fluoro-carbon residues from the chamber surfaces. An increased bias is applied to the substrate in the second cleaning step to remove the remains of the photoresist and etch residues from the substrate. A chamber pressure less than 20mTorr is utilized in the second cleaning step. The two-step process reduces the memory effect commonly observed in conventional one-step ashing processes. A method of endpoint detection can be used to monitor the ashing process.

Abstract translation: 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除光刻胶残余物和蚀刻在电介质层的先前等离子体蚀刻期间形成的残留物的方法。 灰化方法使用包含含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低或零偏压，以除去蚀刻之外的大量光致抗蚀剂残余物和蚀刻残留物 并从室表面除去有害的氟碳残余物。 在第二清洗步骤中对衬底施加增加的偏压以除去光刻胶的残余物并从衬底上蚀刻残留物。 在第二清洗步骤中使用小于20mTorr的室压力。 两步法减少了常规一步灰化过程中常见的记忆效应。 端点检测方法可用于监测灰化过程。

公开(公告)号：KR100739909B1

公开(公告)日：2007-07-16

申请号：KR1020027002517

申请日：2000-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하기하라마사아키 ,  이나자와고이치로 ,  나이토와카코

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치(100)의 처리실(102) 내에, CH
2 F
2, O
2 및 Ar로 이루어진 처리 기체를 도입한다. 처리 기체의 유량비는 CH
2 F
2 /O
2 /Ar=20sccm/10sccm/100sccm으로 설정한다. 또한, 처리실(102) 내의 압력은 50mTorr로 설정한다. 웨이퍼(W)가 탑재된 하부 전극(108)에, 13.56㎒에서 500W의 고주파 전력을 인가한다. 처리 기체가 플라즈마화되고, Cu층(204)상에 형성된 SiNx층(206)이 에칭된다. 노출된 Cu층(204)은 거의 산화되지 않고, 또한 C 또는 F가 주입되지 않는다.