中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

31 records (took 0.027 seconds)

    스페이서 측벽 마스크를 스컬프팅하기 위한 방법 및 시스템
    1.
    发明公开
    스페이서 측벽 마스크를 스컬프팅하기 위한 방법 및 시스템 审中-实审
    用于分离间隔件面罩的方法和系统

    公开(公告)号：KR1020170021217A

    公开(公告)日：2017-02-27

    申请号：KR1020160104402

    申请日：2016-08-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 루옹빈 ,  고아키테루

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/033

    CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

    Abstract: 제공되는것은스페이서측벽마스크를형성하는방법인데, 그방법은, 공정챔버내의기판 - 그기판은탄소맨드렐패턴및 하지층을갖고하지층은실리콘질화물층 위에비정질실리콘층을포함함 - 을제공하는단계; ALD 패터닝된구조체를생성하기위해, 컨포멀자연실리콘산화물층의성장을포함하는파과에칭공정을수행하는단계; ALD 패터닝된구조체상에서스페이서측벽스컬프팅공정을수행하는단계; ALD 패터닝된구조체상에서비정질실리콘메인에칭(ME) 공정 - ME 공정은스페이서산화물개방및 탄소맨드렐제거를유발함 - 을수행하는단계; 및사다리꼴형상을갖는제 1 스컬프팅된하위구조체를포함하는제 1 스컬프팅된패턴을생성하기위해, ALD 스페이서산화물패턴상에서비정질실리콘 ME 오버에칭(OE) 공정 - ME OE 공정은 ALD 스페이서산화물패턴을비정질실리콘층으로전사함 - 을수행하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 提供一种形成间隔壁侧壁的方法，所述方法包括：在处理室中提供衬底，所述衬底具有碳心轴图案和下层，所述下层包括位于氮化硅层上方的非晶硅层; 执行突破蚀刻工艺，包括保形天然氧化硅层的生长，产生ALD图案化结构; 在ALD图案结构上执行间隔壁侧壁雕刻工艺; 在ALD图案化结构上进行非晶硅主蚀刻（ME）工艺，ME工艺引起间隔氧化物开放和碳芯棒去除; 以及在所述ALD间隔物氧化物图案上对蚀刻（OE）工艺执行无定形硅ME，所述ME OE工艺将所述ALD间隔物氧化物图案转移到所述非晶硅层中，产生包含具有梯形的第一雕刻子结构的第一雕刻图案 形状。

    ＳＦ６ 및 탄화수소를 이용하여 ＡＲＣ층을 패터닝하는 방법
    2.
    发明公开
    ＳＦ６ 및 탄화수소를 이용하여 ＡＲＣ층을 패터닝하는 방법 有权
    使用SF6和碳氢化合物燃烧电弧层的方法

    公开(公告)号：KR1020110018266A

    公开(公告)日：2011-02-23

    申请号：KR1020100072010

    申请日：2010-07-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 콜크리스토퍼 ,  고아키테루

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138

    Abstract: PURPOSE: A method of pattering an arc layer using SF6 and a carbon gas is provided to reduce CD bias in a feature part by adding C2H4 gas to SF6 gas. CONSTITUTION: In a method of pattering an arc layer using SF6 and a carbon gas, a feature pattern is etched in an ARC layer containing silicon by using plasma(510). Plasma is formed from the process gas containing the SF6 and the carbon gas. The flow rate of carbon gas related to the flow rate of the SF gas is adjusted to reduce a CD bias between a final CDs(520).

    Abstract translation: 目的：提供使用SF6和碳气的弧形图案的方法，通过向SF6气体添加C2H4气体来减少特征部分的CD偏差。 构成：在使用SF6和碳气来刻画电弧层的方法中，通过使用等离子体（510）在含硅的ARC层中蚀刻特征图案。 等离子体由含有SF6和碳气的工艺气体形成。 调节与SF气体的流量相关的碳气体的流量，以减少最终CD（520）之间的CD偏压。

    스페이서 프로파일을 변경하기 위한 방법
    4.
    发明公开
    스페이서 프로파일을 변경하기 위한 방법 审中-实审
    修改间隔剖面的方法

    公开(公告)号：KR1020170028287A

    公开(公告)日：2017-03-13

    申请号：KR1020160113879

    申请日：2016-09-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모한티니하 ,  고아키테루

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81C1/00404 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

    Abstract: 본명세서의기법들은정확한패턴전사를위해대칭적스페이서들을생성하는정사각프로파일을형성하기위하여비대칭스페이서들을리폼하거나평평하게하기위한프로세스를제공한다. 처음의스페이서형성은통상적으로곡선형또는경사형상부면들을갖는스페이서프로파일들을초래한다. 이러한비대칭상부면은스페이서의나머지하부부분을보호하면서분리된다. 상부면은추가적패터닝및/또는정확한패턴전사를가능하게하는사각화된(squared) 프로파일을갖는스페이서들을초래하는플라즈마프로세싱단계를사용하여제거된다.

    Abstract translation: 本文的技术提供了改造或平坦化不对称间隔物以形成方形轮廓的方法，其形成用于精确图案转印的对称间隔物。 初始间隔物形成通常导致具有弯曲或倾斜的顶表面的间隔物分布。 隔离该非对称顶表面，同时保护间隔物的剩余下部。 使用等离子体处理步骤去除顶部表面，得到具有能够进一步图案化和/或精确图案转印的平面轮廓的间隔物。

    10ＮＭ 이하의 패터닝을 달성하기 위한 물질 처리
    5.
    发明公开
    10ＮＭ 이하의 패터닝을 달성하기 위한 물질 처리 审中-实审
    材料加工实现了10％以下的图案

    公开(公告)号：KR1020160102356A

    公开(公告)日：2016-08-30

    申请号：KR1020160019697

    申请日：2016-02-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오'메라데이비드엘. ,  레일리안젤리크디. ,  고아키테루 ,  이토기요히토

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/06 ,  H01L21/3105 ,  H01J49/10 ,  H01L21/48

    CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/32139

    Abstract: 제1 조성을갖는패터닝된층을갖는구조물및 상기구조물상에형성된제2 조성의캡 층및 측벽을포함하는기판상의패턴밀도를증가시키는방법이제공된다. 측벽은화학적인환경에노출되어제3 조성의화학적으로변형된측벽층을생성한다. 캡층 및상기구조물의내부의비변형부분이에칭프로세스를사용하여제거되어뒤에상기화학적으로변형된측벽층이남게된다. 상기기판의하부층 상에상기측벽화학적변형층의패턴전사에칭이수행된다. 하나이상의통합동작변수가상기구조물의폭, 높이, 측벽각도, 라인폭 거칠기, 및/또는라인에지거칠기를포함하는타깃임계치수를달성하기위해제어된다.

    Abstract translation: 提供了一种用于增加衬底上的图案密度的方法，其包括具有第一组成的图案层和在该结构上形成的第二组合物的盖层和侧壁的结构。 侧壁暴露于化学环境并产生第三组合物的化学改性的侧壁层。 通过使用蚀刻工艺除去化学改性侧壁层的盖层和结构的内部和未改性部分。 执行侧壁化学改性层到衬底的下层上的图案转移蚀刻。 控制一个或多个集成操作变量以实现包括结构的宽度，高度，侧壁角度，线宽粗糙度和/或线边缘粗糙度的目标临界尺寸。

    유도 자기 어셈블리 패턴 결함률을 감소시키기 위한 에칭 프로세스
    6.
    发明公开
    유도 자기 어셈블리 패턴 결함률을 감소시키기 위한 에칭 프로세스 有权
    用于减少方向自组装图形缺陷的蚀刻过程

    公开(公告)号：KR1020160019948A

    公开(公告)日：2016-02-22

    申请号：KR1020167000927

    申请日：2014-05-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 차크라파니비드햐 ,  고아키테루 ,  쿠마르카우쉬크

    IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/67

    CPC classification number: H01L21/31138 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

    Abstract: 패터닝된유도자기어셈블리(directed self-assembly; DSA) 층을준비하기위한방법이제공되며, 이방법은표면상에블록코폴리머층(block copolymer layer)을갖고있는기판을제공하는단계로서, 상기블록코폴리머층은블록코폴리머층에서제 1 패턴을정의하는제 1 위상-분리폴리머(phase-separated polymer) 및블록코폴리머층에서제 2 패턴을정의하는제 2 위상-분리폴리머를포함하는, 상기기판을제공하는단계; 및기판의표면상에제 1 위상-분리폴리머의제 1 패턴을남겨두면서, 제 2 위상-분리폴리머를선택적으로제거하기위한에칭프로세스를수행하는단계를포함하고, 에칭프로세스는약 20℃이하의기판온도에서수행된다. 이방법은중앙영역에서제 1 온도를제어하기위한제 1 온도제어엘리먼트및 기판의에지영역의제 2 온도제어엘리먼트를갖는기판홀더를제공하는단계; 및제 1 및제 2 온도에대한타겟값을선택하는단계를더 포함한다.

    레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화
    7.
    发明公开
    레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화 审中-实审
    直接电流保护固化反应温度提高

    公开(公告)号：KR1020160012932A

    公开(公告)日：2016-02-03

    申请号：KR1020150103655

    申请日：2015-07-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 모한티니할 ,  고아키테루 ,  리우치천

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01J37/32091 ,  B81C1/00428 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058

    Abstract: 본원의기술은, 상대적으로더 높은열 리플로우내성을가능하게하기위해, 기판상의재료(예컨대레지스트)의층을경화하는방법을포함한다. 리플로우내성을증가시키는것은, 블록코폴리머의성공적인방향성자기조립을가능하게한다. 기술은패턴화된포토레지스트층을갖는기판을수용하는것 및용량결합플라즈마시스템의프로세싱챔버에이 기판을위치시키는것을포함한다. 패턴화된포토레지스트층은, 플라즈마프로세싱동안음극의직류전력을플라즈마프로세싱시스템의상부전극에커플링하는것에의해전자의플럭스로처리된다. 전자의플럭스는플라즈마와그 시스(sheath)를통과할충분한에너지로상부전극으로부터가속되어, 패턴화된포토레지스트층이물리적특성이변경되도록기판에충돌하게되는데, 물리적특성에서의변화는증가된유리-액체전이온도를포함할수 있다.

    Abstract translation: 在本发明中公开了一种在基板上固化材料层（例如抗蚀剂）的方法，以实现相对更大的耐热回流性。 增加回流电阻使嵌段共聚物成功引导自组装。 技术包括接收具有图案化光致抗蚀剂层的基板并将基板定位在电容耦合等离子体系统的处理室中。 通过在等离子体处理期间将负极性直流电力耦合到等离子体处理系统的顶部电极，用电子束来处理图案化的光致抗蚀剂层。 电子通量从顶部电极以足够的能量被加速以通过等离子体及其鞘，并且撞击基板，使得图案化的光致抗蚀剂层的物理性质发生变化，这可能包括玻璃 - 液体转变温度升高。

    다층 마스크에서의 패턴의 ＣＤ 및 무결성을 제어하기 위한 에칭 프로세스
    8.
    发明公开
    다층 마스크에서의 패턴의 ＣＤ 및 무결성을 제어하기 위한 에칭 프로세스 审中-实审
    用于控制多层掩模中的图案CD和完整性的ETCH过程

    公开(公告)号：KR1020140031224A

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：KR1020137027624

    申请日：2012-03-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 루옹빈호앙 ,  고아키테루

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

    CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/26 ,  H01L21/0274

    Abstract: 본 발명에서는 다층 마스크(150, 150', 220)를 패터닝하는 방법을 설명한다. 이 패터닝 방법은, 기판(110, 110', 200) 상에 다층 마스크(150, 150', 220)를 마련하는 공정을 포함하며, 상기 다층 마스크(150, 150', 220)는 리소그래피층(226)과 이 리소그래피층(226)의 아래에 놓이는 중간 마스크층(222)을 포함하고, 상기 중간 마스크층(222)은 탄소-함유 화합물을 포함한다. 이 패터닝 방법은: 리소그래피층(226)에 형성되며 초기 패턴 임계 치수(CD)(152, 152', 232, 232')로 특징지어지는 패턴(230)을 중간 마스크층(222)에 전사하는 에칭 프로세스 레시피를 수립하는 공정; 상기 중간 마스크층(222)에 형성되는 중간 패턴 CD(154, 154', 252, 252', 262, 262', 272, 272')와 적어도 하나의 공정 파라미터 사이의 적어도 하나의 파라미터 관계를 수립하는 공정으로서, 상기 적어도 하나의 파라미터 관계는 상기 초기 패턴 CD(152, 152', 232, 232')를 상기 중간 패턴 CD(154, 154', 252, 252', 262, 262', 272, 272')로 증감시킬 수 있는 프로세스 조건을 제공하는 것인 파라미터 관계 수립 공정; 상기 초기 패턴 CD(152, 152', 232, 232')와 상기 중간 패턴 CD(154, 154', 252, 252', 262, 262', 272, 272') 사이에서 타겟 CD를 조정하도록 타겟 프로세스 조건을 선택하는 공정; 및 상기 타겟 프로세스 조건을 사용하여 패턴을 리소그래피층(226)으로부터 중간 마스크층(222)으로 전사하는 공정을 포함한다.

Patent Agency Ranking