公开(公告)号：KR1020110131220A

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020117022152

申请日：2010-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나루시마겐사쿠 ,  가키모토아키노부 ,  홋타다카노부

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75

Abstract: 챔버내에 피처리 기판인 웨이퍼를 반입하고, 챔버내를 진공으로 유지한 상태로 하고, 웨이퍼를 가열하면서, 챔버내에 TiCl
4 가스와 MMH 가스를 교대로 공급하여 웨이퍼 상에 TiN막을 성막한다.