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公开(公告)号：KR101846109B1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR1020167025792
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/70608 , G03F7/2022 , G03F7/70633 , G03F7/70675
Abstract: 감광성화학적증폭레지스트(Photo-Sensitized Chemically-Amplified resist; PS-CAR) 패터닝공정에서감광제농도들을측정하는방법이설명된다. 측정된감광제농도들은패터닝공정과후속처리단계들의피드백및 피드포워드제어에서이용될수 있다. 또한, 패터닝공정제어를촉진시키기위해 PS-CAR 레지스트를이용하여형성된계측타겟, 및이러한복수의계측타겟들을포함한기판이설명된다.
Abstract translation: 描述了用于测量光敏化学放大光刻胶（PS-CAR）图案化过程中的光敏剂浓度的方法。 测得的光敏剂浓度可用于图案化过程和后续处理步骤和前馈控制的反馈。 此外，描述了使用PS-CAR抗蚀剂形成的测量目标以促进图案化处理的控制，以及包括这种多个测量目标的基板。
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公开(公告)号：KR1020160127069A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020167026319
申请日：2015-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/203 , H01L21/0271
Abstract: 본발명은반도체기판상에감광성필름(예를들어, 반사방지코팅상의포토레지스트)을패터닝하기위한감광성화학증폭레지스트화학물(PS-CAR)을위한방법을설명하고있다. 일실시예에서, 2단계노광프로세스가포토레지스트층내에더 높은산 농도영역을발생할수도있다. PS-CAR 화학물은광산발생제(PAG) 및산으로의 PAG의분해를향상시키는감광제원소를포함할수도있다. 제1 노광은산 및감광제의초기량을발생하는패터닝된 EUV 또는 UV 노광일수도있다. 제2 노광은감광제가필름스택내에위치되는산 발생율을증가시키는감광제를여기하는비-EUV 플러드노광일수도있다. 노광중에에너지의분포는포토레지스트층, 하위층, 및/또는상위층의특정특성(예를들어, 두께, 굴절률, 도핑)을사용하여최적화될수도있다.
Abstract translation: 本文的公开内容描述了用于光敏化学放大抗蚀化学品（PS-CAR）在半导体衬底上图案感光膜（例如抗反射涂层上的光致抗蚀剂）的方法。 在一个实施方案中，两步曝光工艺可在光致抗蚀剂层内产生更高的酸浓度区域。 PS-CAR化学品可以包括光酸产生剂（PAG）和增强PAG分解成酸的光敏剂元素。 第一次曝光可以是产生初始量的酸和光敏剂的图案化的EUV或UV曝光。 第二次暴露可能是非EUV泛滥暴露，其激发光敏剂，其增加了光敏剂位于膜堆中的酸产生速率。 可以通过使用光致抗蚀剂层，下层和/或上覆层的某些特性（例如，厚度，折射率，掺杂）来优化曝光期间的能量分布。
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公开(公告)号：KR1020160124844A
公开(公告)日：2016-10-28
申请号：KR1020167025792
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/70608 , G03F7/2022 , G03F7/70633 , G03F7/70675 , G03F7/38
Abstract: 감광성화학적증폭레지스트(Photo-Sensitized Chemically-Amplified resist; PS-CAR) 패터닝공정에서감광제농도들을측정하는방법이설명된다. 측정된감광제농도들은패터닝공정과후속처리단계들의피드백및 피드포워드제어에서이용될수 있다. 또한, 패터닝공정제어를촉진시키기위해 PS-CAR 레지스트를이용하여형성된계측타겟, 및이러한복수의계측타겟들을포함한기판이설명된다.
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