公开(公告)号：KR1020120002460A

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020110063340

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

Abstract: PURPOSE: The temperature management in the peripheral part and central part of a substrate and temperature control independently without interfering them respectively. CONSTITUTION: A board loading stand(20) is arranged within a process chamber(10). A plurality of support pins(28) supporting the substrate(W) are installed in the process chamber. An elevating mechanism(29) raises the support pin up and down. A periphery loading member(40) loads a substrate rim part(W1). A center loading member(50) loads a substrate central part(W2). A support stand(55) supports the periphery loading member and the center loading member.

Abstract translation: 目的：分别对基板周边部分和中央部分进行温度管理，并独立进行温度控制。 构成：在加工室（10）内布置有板装载台（20）。 支撑衬底（W）的多个支撑销（28）安装在处理室中。 升降机构（29）上下升起支撑销。 外围装载构件（40）装载基板边缘部分（W1）。 中心加载构件（50）装载基板中心部分（W2）。 支撑台（55）支撑周边装载构件和中心装载构件。

公开(公告)号：KR101299891B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020110063340

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명의 과제는, 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 냉각시키는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 냉각시키는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR101439562B1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：KR1020090082583

申请日：2009-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지하라진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0273

Abstract: 본 발명은 플라즈마 에칭을 위한 미세 레지스트 패턴을 플라즈마에 의해 에칭해서 트리밍하는 플라즈마 처리 방법 및 트리밍에 앞서 레지스트 패턴을 개질하는 레지스트 패턴의 개질 방법을 제공한다．
본 발명의 플라즈마 처리 방법은 피처리 기판이 수용되고 내부가 진공배기 가능한 처리용기와, 상기 처리용기내에 배치되고 기판의 탑재대로서 기능하는 하부 전극과, 상기 하부 전극에 대향하도록 상기 처리용기내에 배치된 상부 전극과, 상기 처리용기내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 상부 전극 또는 하부 전극의 적어도 한쪽에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성하는 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 상부 전극에 부의 직류 전압을 인가하는 직류 전원을 구비하는 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 상기 하부 전극에 표면에 레지스트 패턴이 형성된 피처리 기판을 탑재한 상태에서, 상기 처리용기내에 상기 처리 가스 공급 유닛으로부터 개질용 처리 가스를 공급하고, 상기 고주파 전력 인가 유닛으로부터 고주파 전력을 인가해서 개질용 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 또한 상기 상부 전극에 상기 직류 전원으로부터 부의 직류 전압을 인가하는 것에 의해 상기 레지

公开(公告)号：KR1020120002465A

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020110063428

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  Y10T156/17 ,  Y10T156/1702

Abstract: PURPOSE: A substrate stage, a substrate processing apparatus and a substrate processing system are provided to perform a temperature management of the surface of a substrate accurately by adjusting a gap between the peripheral part and a system substrate. CONSTITUTION: A board loading stand(20) is arranged within a process chamber(10). A protrusion(30) is installed in the top side of the board loading stand. A plurality of support pins(28) supporting the substrate(W) are installed in the process chamber An elevating mechanism(29) raises the support pin up and down and is comprised of a driving part(29a) and a lifting unit(29b). A periphery loading member(40) loads a substrate rim part(W1). A center loading member(50) loads a substrate central part(W2).

Abstract translation: 目的：提供基板台，基板处理装置和基板处理系统，通过调整周边部和系统基板之间的间隙，精确地进行基板表面的温度管理。 构成：在加工室（10）内布置有板装载台（20）。 突起（30）安装在板装载台的顶侧。 支撑衬底（W）的多个支撑销（28）安装在处理室中。升降机构（29）上下支撑销，并由驱动部分（29a）和提升单元（29b）组成， 。 外围装载构件（40）装载基板边缘部分（W1）。 中心加载构件（50）装载基板中心部分（W2）。

公开(公告)号：KR101317992B1

公开(公告)日：2013-10-14

申请号：KR1020110063428

申请日：2011-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6719 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  Y10T156/17 ,  Y10T156/1702

Abstract: 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능한 기판 적재대, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템을 제공한다.
기판을 적재하는 기판 적재대이며, 상기 기판의 주연부를 적재하여 온도 제어를 행하는 주연 적재 부재와, 상기 기판의 중앙부를 적재하여 온도 제어를 행하는 중앙 적재 부재와, 상기 주연 적재 부재 및 상기 중앙 적재 부재를 지지하는 지지대를 구비하고, 상기 주연 적재 부재와 상기 중앙 적재 부재의 사이에는 간극이 형성되고, 상기 주연 적재 부재와 상기 중앙 적재 부재는 서로 비접촉인 기판 적재대가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020100028486A

公开(公告)日：2010-03-12

申请号：KR1020090082583

申请日：2009-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지하라진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0273 ,  G03F7/36 ,  G03F7/427 ,  H01L21/32136

Abstract: PURPOSE: A method for processing plasma and a method for modifying a resist pattern are provided to effectively modify the resist pattern by applying a negative direct current voltage to an upper electrode while a substrate is treated. CONSTITUTION: A substrate(W) including a resist pattern is placed on a lower electrode(16). A process gas for modification is injected into a process container from an injection unit. Plasma is generated from the process gas for the modification using a high frequency power. A negative direct current voltage is applied to an upper electrode(34) from the DC power supply. The resist pattern is modified by applying the negative direct current voltage. The modified resist pattern is trimmed by a plasma etching.

Abstract translation: 目的：提供一种处理等离子体的方法和修改抗蚀剂图案的方法，以在处理基板时，通过向上电极施加负的直流电压来有效地修改抗蚀剂图案。 构成：将包含抗蚀图案的基板（W）放置在下电极（16）上。 用于改性的处理气体从注入单元注入到处理容器中。 使用高频功率从用于修改的处理气体产生等离子体。 从直流电源向上电极（34）施加负的直流电压。 通过施加负直流电压来修改抗蚀剂图案。 通过等离子体蚀刻修整改性的抗蚀剂图案。