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    기판 처리 장치
    1.
    发明公开
    기판 처리 장치 有权
    基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020120002460A

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：KR1020110063340

    申请日：2011-06-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

    Abstract: PURPOSE: The temperature management in the peripheral part and central part of a substrate and temperature control independently without interfering them respectively. CONSTITUTION: A board loading stand(20) is arranged within a process chamber(10). A plurality of support pins(28) supporting the substrate(W) are installed in the process chamber. An elevating mechanism(29) raises the support pin up and down. A periphery loading member(40) loads a substrate rim part(W1). A center loading member(50) loads a substrate central part(W2). A support stand(55) supports the periphery loading member and the center loading member.

    Abstract translation: 目的：分别对基板周边部分和中央部分进行温度管理，并独立进行温度控制。 构成：在加工室（10）内布置有板装载台（20）。 支撑衬底（W）的多个支撑销（28）安装在处理室中。 升降机构（29）上下升起支撑销。 外围装载构件（40）装载基板边缘部分（W1）。 中心加载构件（50）装载基板中心部分（W2）。 支撑台（55）支撑周边装载构件和中心装载构件。

    기판 처리 장치
    2.
    发明授权
    기판 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101321677B1

    公开(公告)日：2013-10-23

    申请号：KR1020120003992

    申请日：2012-01-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오다기리마사야 ,  도자와시게끼 ,  우가진하지메

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  Y10T137/8593

    Abstract: 본 발명의 과제는 기판 상의 가스 흐름을 균일화하여, 기판 처리를 균일하게 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
    기판을 처리하는 감압 가능한 처리 챔버를 갖는 기판 처리 장치이며, 기판을 적재하는 기판 적재대와, 상기 처리 챔버의 내부를 처리 공간과 배기 공간으로 구획하도록 상기 기판 적재대의 주위에 설치되는 배플판과, 상기 처리 챔버의 내부를 배기하는 배기구를 구비하고, 상기 기판 적재대와 상기 배플판 사이에는 간극이 형성되고, 상기 배플판에는 상기 처리 공간과 상기 배기 공간을 연통시키는 복수의 연통 구멍이 형성되어 있는 기판 처리 장치가 제공된다.

    기판 처리 장치
    3.
    发明授权
    기판 처리 장치 有权

    公开(公告)号：KR101299891B1

    公开(公告)日：2013-08-23

    申请号：KR1020110063340

    申请日：2011-06-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오다기리마사야 ,  무라끼유우스께 ,  후지하라진

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32779 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/201 ,  H01L21/68771

    Abstract: 본 발명의 과제는, 기판의 주연부와 중심부의 온도 관리ㆍ온도 제어를 각각 독립적으로 정밀하게 행하는 것이 가능하고, 또한 배관 구성을 간소화한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
    기판을 진공 처리 공간에 있어서 처리하는 기판 처리 장치이며, 적어도 2매 이상의 기판을 적재하는 기판 적재대를 구비하고, 상기 기판 적재대는 적재되는 기판의 수에 대응하는 수의 기판 적재부로 구성되고, 상기 기판 적재부에는 적재된 기판의 중앙부를 냉각시키는 중앙 온도 조절 유로와, 기판의 주연부를 냉각시키는 주연 온도 조절 유로가 서로 독립적으로 형성되고, 상기 기판 적재대에는 상기 주연 온도 조절 유로에 온도 조절 매체를 도입시키는 온도 조절 매체 도입구가 1개 설치되고, 상기 주연 온도 조절 유로로부터 온도 조절 매체를 배출시키는 온도 조절 매체 배출구가 적재되는 기판의 수에 대응하는 수만큼 설치되는, 기판 처리 장치가 제공된다.

    하드 마스크 트리밍에 의한 기판 프로세싱 방법 및 기판 처리 프로세싱 시스템
    4.
    发明公开
    하드 마스크 트리밍에 의한 기판 프로세싱 방법 및 기판 처리 프로세싱 시스템 有权
    操作化学氧化物去除系统的方法

    公开(公告)号：KR1020060113688A

    公开(公告)日：2006-11-02

    申请号：KR1020067008420

    申请日：2004-11-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 토모야스마사유키 ,  펑크메리트레인 ,  핀토케빈오거스틴 ,  오다기리마사야 ,  천레무엘 ,  야마시타아사오 ,  이와미아키라 ,  타카하시히로유키

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C25D11/02 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67155 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/20

    Abstract: A processing system and method for chemical oxide removal (COR) is presented, wherein the processing system comprises a first treatment chamber and a second treatment chamber, wherein the first and second treatment chambers are coupled to one another. The first treatment chamber comprises a chemical treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, and an independently temperature controlled substrate holder for supporting a substrate for chemical treatment. The substrate is exposed to a gaseous chemistry, such as HF/NH3, under controlled conditions including surface temperature and gas pressure. The second treatment chamber comprises a heat treatment chamber that provides a temperature controlled chamber, thermally insulated from the chemical treatment chamber. The heat treatment chamber provides a substrate holder for controlling the temperature of the substrate to thermally process the chemically treated surfaces on the substrate.

    Abstract translation: 提出了一种用于化学氧化物去除（COR）的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此耦合。 第一处理室包括提供温度控制室的化学处理室和用于支撑用于化学处理的基板的独立温度控制的基板保持器。 在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将基底暴露于气态化学物质，例如HF / NH 3。 第二处理室包括热处理室，其提供与化学处理室热绝缘的温度控制室。 热处理室提供用于控制基板的温度以热处理基板上化学处理的表面的基板保持器。

    기판 처리 장치
    10.
    发明公开
    기판 처리 장치 有权
    基板加工设备

    公开(公告)号：KR1020120082369A

    公开(公告)日：2012-07-23

    申请号：KR1020120003992

    申请日：2012-01-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오다기리마사야 ,  도자와시게끼 ,  우가진하지메

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  Y10T137/8593

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly process a substrate by making the flow of gas uniform. CONSTITUTION: A substrate is loaded on a substrate loading stand. A baffle substrate(60) is installed in around the substrate loading stand in order to divide the interior of a process chamber into a process space and an exhaust space. An exhaust pipe(5) exhausts the interior of the process chamber. The exhaust pipe is arranged on the bottom of the process chamber. A gap(62) is formed between the substrate loading stand and the baffle substrate. A plurality of through holes(65) connecting the process space and the exhaust space is formed on the baffle substrate.

    Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过使气体流动均匀地均匀地处理基板。 构成：将基板装载到基板装载台上。 挡板基板（60）安装在基板装载台周围，以便将处理室的内部分成处理空间和排气空间。 排气管（5）排出处理腔室的内部。 排气管布置在处理室的底部。 在基板装载台与挡板基板之间形成间隙（62）。 在挡板基板上形成连接处理空间和排气空间的多个通孔（65）。

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