公开(公告)号：KR1020160036488A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：KR1020150130594

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시히로유키 ,  고시겐타로 ,  오츠카다카히사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02052

Abstract: 보다적은처리액의사용량으로, 기판의피처리영역을처리액의액막으로덮을수 있는기술을제공한다. 기판(W)을수평자세로하여연직축선을중심으로회전시키면서, 제1 노즐(400)로부터, 기판(W)의표면의중앙부에제1 처리액을제1 유량으로공급하고, 제1 처리액의액막(L)이적어도피처리영역에형성된상태에서, 제2 노즐(600)로부터, 기판(W)의중앙부에제2 처리액을공급한다. 그후, 기판(W) 주변부에제2 처리액의공급을행하면서, 기판의중앙부에제1 처리액을제1 유량보다적은제2 유량으로공급한다.

Abstract translation: 提供一种能够利用处理流体少的处理流体的液膜覆盖基板的被处理区域的基板液体处理方法。 基板液体处理方法包括以下步骤：当基板（W）围绕垂直轴线水平旋转时，将第一处理流体以第一量的液体供应到基板（W）的表面上的中心部分; 用第二量的液体将第二处理流体从第二喷嘴（600）供应到所述基板（W）的中心部分; 当第一处理流体的液膜（L）至少形成在待处理的区域中时，用第二量的液体将第一处理流体提供给基板（W）的中心部分; 以及在将所述第二处理流体供给到所述基板（W）的相邻部分的同时，将所述第一处理流体供给到所述第二流体的第二量的第一量的流体。