公开(公告)号：KR101883015B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：KR1020130021175

申请日：2013-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카다카히사 ,  마루야마히로타카 ,  오가타노부히로 ,  구도가즈유키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: B08B3/04 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715

Abstract: 본발명은, 산성약액, 알칼리성약액을전환하여공급하는장치에있어서발생하는파티클을저감할수 있는액 처리장치등을제공하는것을목적으로한다. 액처리장치는, 회전하는기판(W)의표면에처리액을전환하여공급함으로써액 처리를행하고, 제1 노즐블록(42)과제1 이동기구를구비하는제1 처리액공급부는, 산성약액, 린스액을전환하여공급하고, 제2 노즐블록(52)과제2 이동기구를구비하는제2 처리액공급부는, 알칼리성약액, 린스액을전환하여공급한다. 그리고, 한쪽측의노즐블록(42)으로부터기판(W)으로약액을공급할때에는다른쪽 측의노즐블록(52)을후퇴위치로후퇴시키고, 한쪽측의노즐블록(42)으로부터기판(W)으로린스액을공급하고있을때에다른쪽 측의노즐블록(52)을처리위치로이동시킨다. 또한, 다른쪽 측의노즐블록(52)으로부터약액을공급할때에는한쪽측의노즐블록(42)을후퇴위치로후퇴시켜둔다.

公开(公告)号：KR1020090096332A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020090018510

申请日：2009-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카다카히사

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3028 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70625 ,  H01L2924/00

Abstract: A substrate processing method, a computer storage medium, and a substrate processing system are provided to form the both end of a first and a second resistance pattern by a desired measurement by performing a first and a second process under a correction condition. In a substrate processing method, a computer storage medium, and a substrate processing system, at least a first processing and a second processing are performed to the substrate(W). A first resist pattern(P1) and a second resist pattern(P2) in which more than one dimensions are different are formed on the substrate. More than one dimension is measured of a register part and a spacer part of the first resist pattern and the second resist pattern. A processing requirement at the first processing and the second processing is corrected based on the measured dimension.

Abstract translation: 提供基板处理方法，计算机存储介质和基板处理系统，通过在校正条件下执行第一和第二处理，通过期望的测量形成第一和第二电阻图案的两端。 在基板处理方法中，对基板（W）进行至少第一处理和第二处理的计算机存储介质和基板处理系统。 在基板上形成有多于一个尺寸不同的第一抗蚀剂图案（P1）和第二抗蚀剂图案（P2）。 测量第一抗蚀剂图案和第二抗蚀剂图案的寄存器部分和间隔部分的多于一个维度。 基于所测量的尺寸来校正第一处理和第二处理的处理要求。

公开(公告)号：KR1020160103511A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：KR1020160016976

申请日：2016-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미다준야 ,  아이우라가즈히로 ,  츠가오게이스케 ,  다나카미츠오 ,  후지모토세이야 ,  요네카와히로키 ,  가메시마야스코 ,  오츠카다카히사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

Abstract: 처리실의분위기조정용의가스의사용량의삭감. 기판처리장치는, 처리실(20) 내에분위기조정용의제1 가스예컨대드라이에어를공급하는가스공급부(80)와, 기판(W)을유지하는기판유지부(30)의주위를둘러싸는컵(50) 내의가스를배기하는컵 배기로(53)와, 컵밖의처리실내의가스를배기하는처리실배기로(55)와, 처리실로부터배기된컵 밖의처리실내의가스를처리실로복귀시키는복귀로(59)를갖는다. 처리실로부터배기된컵 밖의가스처리실배기로로부터배기되는제1 상태와, 처리실로부터배기된컵 밖의가스가복귀로를통하여처리실에복귀되는제2 상태를전환하는배기전환기구(60)가마련되어있다.

Abstract translation: 用于调节处理室气氛的废气量减少了。 衬底处理室包括：气体供应单元（80），其供应第一气体，例如用于调节处理室（20）中的气氛的干燥空气; 在包围保持基板（W）的基板保持单元（30）的杯（50）内排出气体的杯排出路径（53）。 处理室排出路径（55），其将处理室内的气体排出杯外; 以及返回路径（59），其将处理室中的处理室中的气体从处理室排出的杯子返回到处理室。 设置有排出切换机构60，其切换从处理室排出的杯外的气体处理室排出路径排出气体的第一状态，以及使从处理室排出的杯外的气体返回的第二状态， 通过返回路径到处理室。

公开(公告)号：KR1020160036488A

公开(公告)日：2016-04-04

申请号：KR1020150130594

申请日：2015-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시히로유키 ,  고시겐타로 ,  오츠카다카히사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02052

Abstract: 보다적은처리액의사용량으로, 기판의피처리영역을처리액의액막으로덮을수 있는기술을제공한다. 기판(W)을수평자세로하여연직축선을중심으로회전시키면서, 제1 노즐(400)로부터, 기판(W)의표면의중앙부에제1 처리액을제1 유량으로공급하고, 제1 처리액의액막(L)이적어도피처리영역에형성된상태에서, 제2 노즐(600)로부터, 기판(W)의중앙부에제2 처리액을공급한다. 그후, 기판(W) 주변부에제2 처리액의공급을행하면서, 기판의중앙부에제1 처리액을제1 유량보다적은제2 유량으로공급한다.

Abstract translation: 提供一种能够利用处理流体少的处理流体的液膜覆盖基板的被处理区域的基板液体处理方法。 基板液体处理方法包括以下步骤：当基板（W）围绕垂直轴线水平旋转时，将第一处理流体以第一量的液体供应到基板（W）的表面上的中心部分; 用第二量的液体将第二处理流体从第二喷嘴（600）供应到所述基板（W）的中心部分; 当第一处理流体的液膜（L）至少形成在待处理的区域中时，用第二量的液体将第一处理流体提供给基板（W）的中心部分; 以及在将所述第二处理流体供给到所述基板（W）的相邻部分的同时，将所述第一处理流体供给到所述第二流体的第二量的第一量的流体。

公开(公告)号：KR1020130101464A

公开(公告)日：2013-09-13

申请号：KR1020130021175

申请日：2013-02-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카다카히사 ,  마루야마히로타카 ,  오가타노부히로 ,  구도가즈유키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: B08B3/04 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715

Abstract: PURPOSE: A liquid processing device, a liquid processing method, and a storage medium are provided to prevent the adsorption of vapor or mist by using a first nozzle and a second nozzle. CONSTITUTION: A first processing liquid supply part includes a first nozzle block (42). The first processing solution supply part includes a first transport device. A second processing liquid supply part includes a second nozzle block (52). The second processing liquid supply part includes a second transport device. The second processing liquid supply part converts and supplies an alkaline chemical and a rinsing solution. [Reference numerals] (7) Control unit

Abstract translation: 目的：提供液体处理装置，液体处理方法和存储介质，以通过使用第一喷嘴和第二喷嘴来防止蒸汽或雾气的吸附。 构成：第一处理液体供应部分包括第一喷嘴块（42）。 第一处理溶液供应部分包括第一输送装置。 第二处理液体供应部分包括第二喷嘴块（52）。 第二处理液供给部包括第二输送装置。 第二处理液供给部转换并供给碱性化学品和漂洗溶液。 （附图标记）（7）控制单元

公开(公告)号：KR101207046B1

公开(公告)日：2012-11-30

申请号：KR1020090018510

申请日：2009-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오츠카다카히사

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3028 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명에서는, 소밀한 레지스트 패턴이 기판 상에 형성되는 경우, 각각의 레지스트 패턴 치수를 측정하여, 조밀한 레지스트 패턴의 치수 측정 결과에 기초해 제1 처리 장치의 보정값을 산출하고, 성긴 레지스트 패턴의 치수 측정 결과에 기초해 제2 처리 장치의 보정값을 산출한다. 이들 산출 결과에 기초하여, 제1 처리 장치, 제2 처리 장치에서의 처리 조건을 변경하며, 이후 변경 후의 조건에서 이들 처리 장치에서의 처리를 실시한다.