公开(公告)号：KR100771799B1

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：KR1020047018895

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하루히꼬 ,  모로즈미유우이찌로 ,  이께가와히로아끼 ,  히라야마마꼬또 ,  이또오유우이찌

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: 반도체 처리 장치(1)에 있어서 피처리 기판(10)을 처리하는 방법은, 처리 용기(2) 내에서 제1 기판(10)을 처리 온도로 온도 제어하면서 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하고, 상기 제1 기판에 대해 반도체 처리를 행한다. 상기 반도체 처리에 있어서, 상기 처리 용기(2)의 내면 상에 부산물막이 형성된다. 상기 반도체 처리 후에 또한 상기 처리 용기(2)로부터 상기 제1 기판(10)을 취출한 후, 상기 처리 용기 내에 개질 가스를 공급하고 상기 부산물막에 대해 개질 처리를 행한다. 상기 개질 처리는 상기 부산물막의 열 반사성을 저하시키도록 설정된다. 상기 개질 처리 후, 상기 처리 용기(2) 내에서 제2 기판(10)을 상기 처리 온도로 온도 제어하면서 상기 처리 용기 내에 상기 처리 가스를 공급하고, 상기 제2 기판에 대해 상기 반도체 처리를 행한다.
처리 용기, 피처리 기판, 반도체 처리 장치, 웨이퍼, 매니폴드

公开(公告)号：KR1020050094345A

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：KR1020047018895

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하루히꼬 ,  모로즈미유우이찌로 ,  이께가와히로아끼 ,  히라야마마꼬또 ,  이또오유우이찌

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: A method for processing a substrate (10) to be processed by means of a semiconductor processing apparatus (1), wherein a process gas is supplied into a processing vessel (2) while controlling the temperature of a first substrate (10) to a processing temperature in the processing vessel (2) so as to conduct a semiconductor processing of the first substrate. During the semiconductor processing, a by-product film is formed on the inner surface of the processing vessel (2). After the first substrate (10) is taken out of the processing vessel (2) after the semiconductor processing, a reforming gas is supplied into the processing vessel (2) so as to conduct a reforming processing of the by-product film. The reforming processing is so set as to lower the heat reflectivity of the by-product film. The process gas is again supplied into the processing vessel (2) after the reforming processing while controlling the temperature of a second substrate (10) in the processing vessel (2) so as to conduct a semiconductor processing of the second substrate.

Abstract translation: 一种通过半导体处理装置（1）处理待处理的基板（10）的方法，其中在将第一基板（10）的温度控制为处理的同时，将处理气体供应到处理容器（2） 处理容器（2）中的温度，以便进行第一衬底的半导体处理。 在半导体加工期间，在处理容器（2）的内表面上形成副产物膜。 在半导体处理后将第一基板（10）从处理容器（2）中取出后，将重整气体供给到处理容器（2）中，以进行副产物膜的重整处理。 重整处理被设定为降低副产物膜的热反射率。 在重整处理之后，再次将处理气体供给到处理容器（2），同时控制处理容器（2）中的第二基板（10）的温度，以进行第二基板的半导体处理。