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公开(公告)号：KR101538204B1
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020120100400
申请日：2012-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45551 , H01L21/6719 , H01L21/68771
Abstract: 기판처리장치는, 처리용기와, 상기처리용기내에설치되어, 반응가스를각각공급하고, 기판에가스처리를행하기위한복수의처리영역과, 상기처리용기내에설치된회전테이블이며, 상기회전테이블의상면측의적재영역에적재된기판을, 상기복수의처리영역을순차통과시키도록회전하는회전테이블과, 상기복수의처리영역의적어도하나에설치되고, 상기적재영역의이동방향과교차하도록신장됨과동시에, 그길이방향을따라서토출구가형성된반응가스공급용의가스노즐과, 상기복수의처리영역의분위기를서로분리하기위한분리가스가공급되고, 상기회전방향에있어서이들처리영역의사이에위치하는분리영역과, 상기처리용기내를배기하기위한배기구와, 상기가스노즐에대하여상기회전테이블의회전방향상류측및 회전방향하류측에각각설치되는측벽부와, 가스노즐의상측에설치되고, 상기회전방향상류측으로부터흐르는분리가스를, 그상방영역에서하류측으로통류시키는상벽부를포함하는, 가스노즐의주위에반응가스를체류시키기위한커버부재를구비한다. 상기커버부재에는, 상기회전방향상류측의측벽부의하부로부터, 회전방향상류측으로부터흐르는분리가스를상기커버부재의상방으로가이드하기위한가이드면이설치되고, 가스노즐과회전방향상류측의측벽부의간격은 8㎜이상이다.
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公开(公告)号：KR101463295B1
公开(公告)日：2014-11-18
申请号：KR1020110143384
申请日：2011-12-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/45561 , B08B3/04 , B08B9/02 , C23C16/4402 , Y10T137/4238 , Y10T137/4259
Abstract: 본 발명의 목적은, 원료 공급관을 통해 하방측으로부터 상방측에 액체 재료를 공급할 때에, 당해 원료 공급관 내로부터 액체 재료를 용이하게 배출하는 것으로, 기화기(11)에 근접하여 액 제거 기구를 설치하여, 원료 공급관(15)의 상단부를 이 액 제거 기구의 제2 원료 공급 밸브(74)에 있어서의 바이패스 유로(54)에 접속하는 동시에, 이 제2 원료 공급 밸브(74)의 상단부측으로부터 N
2 가스 및 옥탄이 공급되도록 각 밸브를 배치한다. 그리고, 원료 공급관(15)의 하방측에 다른 액 제거 기구를 설치하여, 당해 액 제거 기구에 원료 저류부(14)로부터 신장되는 공급관(14a) 및 액체 재료를 배출하기 위한 제1 원료 배출관(61)을 접속하여, 원료 공급관(15) 내의 액 제거를 행하는 경우에는, 당해 원료 공급관(15) 내에 대하여 상방측으로부터 하방측을 향해 N
2 가스나 옥탄을 공급한다.-
公开(公告)号：KR1020060047371A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050033359
申请日：2005-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , Y10S438/90
Abstract: 본 발명의 과제는 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실 내면에 부착하는 부생성물막을 제거하는 공정을 포함하는 것이다. 여기서 상기 반응실 내에 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 물이 액막으로서 존재할 수 있는『제1 환경』으로 설정한다.
클리닝 가스, 성막 장치, 반응실, 히터, 배기계, 웨이퍼 보트-
公开(公告)号：KR101139083B1
公开(公告)日：2012-04-30
申请号：KR1020080023621
申请日：2008-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 후루야하루히꼬
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/405 , C23C16/45578 , C23C18/00
Abstract: 금속 산화막을 형성하는 성막 방법은, 진공 유지 가능한 처리 용기 내에 피처리체를 반입하는 공정과, 성막 원료를 상기 처리 용기 내에 공급하는 공정과, 산화제를 상기 처리 용기 내에 공급하는 공정과, 상기 성막 원료와 상기 산화제를 반응시킴으로써 상기 피처리체 상에 금속 산화막을 형성하는 공정을 구비한다. 상기 성막 원료는, 상기 금속 산화막을 구성하는 금속을 포함하는 유기 금속 화합물로 이루어지고, 상기 유기 금속 화합물은 상온에서 고체이고 또한 고증기압인 제1 유기 금속 화합물에, 상온에서 액체인 제2 유기 금속 화합물을 혼합하여 이루어지고, 상온에서 액체이다.
금속 산화막, 처리 용기, 성막 원료, 산화제, 유기 금속 화합물-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100771799B1
公开(公告)日：2007-10-30
申请号：KR1020047018895
申请日：2004-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/44
Abstract: 반도체 처리 장치(1)에 있어서 피처리 기판(10)을 처리하는 방법은, 처리 용기(2) 내에서 제1 기판(10)을 처리 온도로 온도 제어하면서 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하고, 상기 제1 기판에 대해 반도체 처리를 행한다. 상기 반도체 처리에 있어서, 상기 처리 용기(2)의 내면 상에 부산물막이 형성된다. 상기 반도체 처리 후에 또한 상기 처리 용기(2)로부터 상기 제1 기판(10)을 취출한 후, 상기 처리 용기 내에 개질 가스를 공급하고 상기 부산물막에 대해 개질 처리를 행한다. 상기 개질 처리는 상기 부산물막의 열 반사성을 저하시키도록 설정된다. 상기 개질 처리 후, 상기 처리 용기(2) 내에서 제2 기판(10)을 상기 처리 온도로 온도 제어하면서 상기 처리 용기 내에 상기 처리 가스를 공급하고, 상기 제2 기판에 대해 상기 반도체 처리를 행한다.
처리 용기, 피처리 기판, 반도체 처리 장치, 웨이퍼, 매니폴드-
公开(公告)号：KR1020050094345A
公开(公告)日：2005-09-27
申请号：KR1020047018895
申请日：2004-02-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/44
Abstract: A method for processing a substrate (10) to be processed by means of a semiconductor processing apparatus (1), wherein a process gas is supplied into a processing vessel (2) while controlling the temperature of a first substrate (10) to a processing temperature in the processing vessel (2) so as to conduct a semiconductor processing of the first substrate. During the semiconductor processing, a by-product film is formed on the inner surface of the processing vessel (2). After the first substrate (10) is taken out of the processing vessel (2) after the semiconductor processing, a reforming gas is supplied into the processing vessel (2) so as to conduct a reforming processing of the by-product film. The reforming processing is so set as to lower the heat reflectivity of the by-product film. The process gas is again supplied into the processing vessel (2) after the reforming processing while controlling the temperature of a second substrate (10) in the processing vessel (2) so as to conduct a semiconductor processing of the second substrate.
Abstract translation: 一种通过半导体处理装置（1）处理待处理的基板（10）的方法，其中在将第一基板（10）的温度控制为处理的同时，将处理气体供应到处理容器（2） 处理容器（2）中的温度，以便进行第一衬底的半导体处理。 在半导体加工期间，在处理容器（2）的内表面上形成副产物膜。 在半导体处理后将第一基板（10）从处理容器（2）中取出后，将重整气体供给到处理容器（2）中，以进行副产物膜的重整处理。 重整处理被设定为降低副产物膜的热反射率。 在重整处理之后，再次将处理气体供给到处理容器（2），同时控制处理容器（2）中的第二基板（10）的温度，以进行第二基板的半导体处理。
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公开(公告)号：KR1020130028876A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：KR1020120100400
申请日：2012-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/455 , C23C16/45506 , C23C16/45551 , H01L21/6719 , H01L21/68771
Abstract: 기판처리장치는, 처리용기와, 상기처리용기내에설치되어, 반응가스를각각공급하고, 기판에가스처리를행하기위한복수의처리영역과, 상기처리용기내에설치된회전테이블이며, 상기회전테이블의상면측의적재영역에적재된기판을, 상기복수의처리영역을순차통과시키도록회전하는회전테이블과, 상기복수의처리영역의적어도하나에설치되고, 상기적재영역의이동방향과교차하도록신장됨과동시에, 그길이방향을따라서토출구가형성된반응가스공급용의가스노즐과, 상기복수의처리영역의분위기를서로분리하기위한분리가스가공급되고, 상기회전방향에있어서이들처리영역의사이에위치하는분리영역과, 상기처리용기내를배기하기위한배기구와, 상기가스노즐에대하여상기회전테이블의회전방향상류측및 회전방향하류측에각각설치되는측벽부와, 가스노즐의상측에설치되고, 상기회전방향상류측으로부터흐르는분리가스를, 그상방영역에서하류측으로통류시키는상벽부를포함하는, 가스노즐의주위에반응가스를체류시키기위한커버부재를구비한다. 상기커버부재에는, 상기회전방향상류측의측벽부의하부로부터, 회전방향상류측으로부터흐르는분리가스를상기커버부재의상방으로가이드하기위한가이드면이설치되고, 가스노즐과회전방향상류측의측벽부의간격은 8㎜이상이다.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和成膜装置，通过在接触孔中形成阻挡层来提高薄膜的质量。 构成：工艺区域形成在处理室（11）中。 旋转台（2）旋转基板以将其传递到处理区域。 在过程区域中安装了用于反应气体供应的气体喷嘴。 盖构件保持气体喷嘴周围的反应气体。
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公开(公告)号：KR1020120075420A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020110143384
申请日：2011-12-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/45561 , B08B3/04 , B08B9/02 , C23C16/4402 , Y10T137/4238 , Y10T137/4259
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and a raw material supplying apparatus are provided to easily discharge a liquid material from a raw material supplying pipe by extruding the liquid material from the upper side toward the lower side. CONSTITUTION: A reaction pipe(12) accepts a wafer(W). A raw material supplying apparatus(13) provides a liquid material to a vaporizer(11) from a raw material reservoir(14) through a raw material supplying pipe(15). A first raw material discharging pipe is branched from the lower end side of the raw material supplying pipe. An exhaust port(12a) makes the inner side of the reaction pipe vacuous. A heater(24) for heating the wafer within the reaction pipe is installed at the outer side of the reaction pipe.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置和原料供给装置，用于通过从上侧向下侧挤出液体材料，容易地从原料供给管排出液体材料。 构成：反应管（12）接受晶片（W）。 原料供给装置（13）通过原料供给管（15）从原料容器（14）向蒸发器（11）提供液体材料。 第一原料排出管从原料供给管的下端侧分支。 排气口（12a）使反应管的内侧真空。 用于加热反应管内的晶片的加热器（24）安装在反应管的外侧。
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公开(公告)号：KR1020080084698A
公开(公告)日：2008-09-19
申请号：KR1020080023621
申请日：2008-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 후루야하루히꼬
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45546 , C23C16/405 , C23C16/45578 , C23C18/00
Abstract: A material, a method and an apparatus for formation of metal oxide film are provided to make a film formation source material for forming a metal oxide film on a target object, wherein the material has a sufficient vapor pressure and is less troubled for line transportation by mixing an organic metal organic metal compound which is solid at room temperature and has a higher vapor pressure with an organic metal organic metal compound which is liquid at room temperature. In a film formation source material for forming a metal oxide film on a target object, the film formation source material is an organic metal compound containing a metal of the metal oxide film and prepared by mixing a first organic metal compound that is solid at room temperature and has a higher vapor pressure with a second organic metal compound that is liquid at room temperature such that the organic metal compound is liquid at room temperature.
Abstract translation: 提供用于形成金属氧化物膜的材料，方法和装置，以制造用于在目标物体上形成金属氧化物膜的成膜源材料，其中该材料具有足够的蒸汽压力并且对于线路运输而言不那么麻烦 将在室温下为固体的有机金属有机金属化合物与室温下为液体的有机金属有机金属化合物混合而成的蒸气压较高。 在用于在目标物体上形成金属氧化物膜的成膜源材料中，成膜源材料是含有金属氧化物膜的金属的有机金属化合物，其通过将室温下为固体的第一有机金属化合物 并且在室温下具有液体的第二有机金属化合物具有较高的蒸气压，使得有机金属化合物在室温下为液体。
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