公开(公告)号：KR1020060002756A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057014315

申请日：2004-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02148 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31645

Abstract: It is intended to increase the crystallization temperature of a hafnium compound film useful as a film of high dielectric constant such as a gate oxide film of MOSFET. In a heated vacuum atmosphere, a vapor of hafnium organic compound together with monosilane gas or disilane gas is introduced in a reaction vessel and reacted with each other to thereby form a hafnium silicate film on a substrate. The obtained film exhibits a high crystallization temperature due to the crystallization inhibiting effect of silicon. In another embodiment, an oxygen-containing hafnium compound film is annealed in a heated ammonia gas atmosphere. This annealing also increases the crystallization temperature of the oxygen-containing hafnium compound film.

Abstract translation: 旨在提高用作高介电常数的膜的铪化合物膜的结晶温度，例如MOSFET的栅极氧化膜。 在加热的真空气氛中，将铪有机化合物与甲硅烷气体或乙硅烷气体一起蒸气引入反应容器中并彼此反应，从而在基材上形成硅酸铪膜。 由于硅的结晶抑制作用，所得膜具有高的结晶温度。 在另一个实施方案中，将氧含铪化合物膜在加热的氨气气氛中退火。 该退火还增加含氧铪化合物膜的结晶温度。

公开(公告)号：KR100944831B1

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：KR1020040086943

申请日：2004-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 MOSFET의 게이트 절연막 등의 고유전율막으로서 유효한 하프늄 화합물막 상에 폴리실리콘 전극을 형성하는 데 있어서, 플랫 밴드 전압의 시프트를 억제하는 것이다.
감압 분위기이고 또한 가열 분위기 하에 있어서 반응 용기 내에서 하프늄 유기 화합물의 증기와, 예를 들어 디실란 가스를 반응시켜 실리콘막 상에 하프늄 실리케이트막을 성막하고, 이 하프늄 실리케이트막 상에 디클로로실란 가스와 산화이질소 가스를 반응시켜 배리어층이 되는 실리콘 산화막을 적층하고, 그 위에 게이트 전극이 되는 폴리실리콘막을 형성한다.
플랫 밴드 전압, 하프늄 실리케이트막, 반도체 웨이퍼, 실리콘 산화막

公开(公告)号：KR1020050041930A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020040086943

申请日：2004-10-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까지마시게루 ,  최동균 ,  후지와라도모노리 ,  이께가와히로아끼 ,  나까무라겐지

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명의 과제는, 예를 들어 MOSFET의 게이트 절연막 등의 고유전율막으로서 유효한 하프늄 화합물막 상에 폴리실리콘 전극을 형성하는 데 있어서, 플랫 밴드 전압의 시프트를 억제하는 것이다.
감압 분위기이고 또한 가열 분위기 하에 있어서 반응 용기 내에서 하프늄 유기 화합물의 증기와, 예를 들어 디실란 가스를 반응시켜 실리콘막 상에 하프늄 실리케이트막을 성막하고, 이 하프늄 실리케이트막 상에 디클로로실란 가스와 산화이질소 가스를 반응시켜 배리어층이 되는 실리콘 산화막을 적층하고, 그 위에 게이트 전극이 되는 폴리실리콘막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100771799B1

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：KR1020047018895

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하루히꼬 ,  모로즈미유우이찌로 ,  이께가와히로아끼 ,  히라야마마꼬또 ,  이또오유우이찌

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: 반도체 처리 장치(1)에 있어서 피처리 기판(10)을 처리하는 방법은, 처리 용기(2) 내에서 제1 기판(10)을 처리 온도로 온도 제어하면서 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하고, 상기 제1 기판에 대해 반도체 처리를 행한다. 상기 반도체 처리에 있어서, 상기 처리 용기(2)의 내면 상에 부산물막이 형성된다. 상기 반도체 처리 후에 또한 상기 처리 용기(2)로부터 상기 제1 기판(10)을 취출한 후, 상기 처리 용기 내에 개질 가스를 공급하고 상기 부산물막에 대해 개질 처리를 행한다. 상기 개질 처리는 상기 부산물막의 열 반사성을 저하시키도록 설정된다. 상기 개질 처리 후, 상기 처리 용기(2) 내에서 제2 기판(10)을 상기 처리 온도로 온도 제어하면서 상기 처리 용기 내에 상기 처리 가스를 공급하고, 상기 제2 기판에 대해 상기 반도체 처리를 행한다.
처리 용기, 피처리 기판, 반도체 처리 장치, 웨이퍼, 매니폴드

公开(公告)号：KR1020050094345A

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：KR1020047018895

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하루히꼬 ,  모로즈미유우이찌로 ,  이께가와히로아끼 ,  히라야마마꼬또 ,  이또오유우이찌

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/44

Abstract: A method for processing a substrate (10) to be processed by means of a semiconductor processing apparatus (1), wherein a process gas is supplied into a processing vessel (2) while controlling the temperature of a first substrate (10) to a processing temperature in the processing vessel (2) so as to conduct a semiconductor processing of the first substrate. During the semiconductor processing, a by-product film is formed on the inner surface of the processing vessel (2). After the first substrate (10) is taken out of the processing vessel (2) after the semiconductor processing, a reforming gas is supplied into the processing vessel (2) so as to conduct a reforming processing of the by-product film. The reforming processing is so set as to lower the heat reflectivity of the by-product film. The process gas is again supplied into the processing vessel (2) after the reforming processing while controlling the temperature of a second substrate (10) in the processing vessel (2) so as to conduct a semiconductor processing of the second substrate.

Abstract translation: 一种通过半导体处理装置（1）处理待处理的基板（10）的方法，其中在将第一基板（10）的温度控制为处理的同时，将处理气体供应到处理容器（2） 处理容器（2）中的温度，以便进行第一衬底的半导体处理。 在半导体加工期间，在处理容器（2）的内表面上形成副产物膜。 在半导体处理后将第一基板（10）从处理容器（2）中取出后，将重整气体供给到处理容器（2）中，以进行副产物膜的重整处理。 重整处理被设定为降低副产物膜的热反射率。 在重整处理之后，再次将处理气体供给到处理容器（2），同时控制处理容器（2）中的第二基板（10）的温度，以进行第二基板的半导体处理。