公开(公告)号：KR1020070023560A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：KR1020060079642

申请日：2006-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이비덴 가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 오크테크

Inventor： 시노다도모따까 ,  야마다긴지 ,  기따노다까히로 ,  야마니시요시끼 ,  하라다무네오 ,  가와구찌다쯔죠오 ,  히로따요시히로 ,  오꾸무라가쯔야 ,  가와노슈우이찌

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: 유전체막 커패시터는 개구부를 갖고, 백금을 포함하는 재료로 이루어지는 하부 전극과, 하부 전극의 상방에 마련된 ABOx형 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물을 포함하는 유전체막과, 유전체막의 상방에 마련된 상부 전극을 포함한다. 유전체막의 형성 영역의 면적에 대한 하부 전극의 평면 면적의 비율이 50 ％ 이상이다. 유전체막 커패시터는, 백금을 포함하는 재료로 이루어지는 막 두께 10 내지 100 ㎚의 하부 전극과, 하부 전극의 상방에 마련된 ABOx형 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물을 포함하는 유전체막과, 유전체막의 상방에 마련된 상부 전극을 포함한다.
유전체막 형성용 조성물, 절연층, 유전체막 커패시터, 하부 전극, 개구부, 상부 전극

公开(公告)号：KR101580704B1

公开(公告)日：2015-12-28

申请号：KR1020107027573

申请日：2009-05-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로따요시히로 ,  사또오요시히로 ,  오꾸무라노부오

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/318 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881

Abstract: 플라즈마질화처리공정후에, 선택에칭처리공정에있어서, 전극층에형성된질화규소막을남기면서, 소자분리막및 절연막의표면에형성된질화산화규소막이제거된다. 선택에칭공정에의해, 소자분리막및 절연막의표면에형성된질화산화규소막이제거된다.

公开(公告)号：KR1020120136295A

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：KR1020120060317

申请日：2012-06-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까바야시하지메 ,  오야마겐이찌 ,  히로따요시히로

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1683 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A phase change memory and a manufacturing method thereof are provided to form the phase change memory with high reliability at low costs by forming a GeSbTe film through sputtering. CONSTITUTION: Insulating layers(16,20) are formed on a substrate(11). An electrode layer(13a) having one pole and an electrode layer(18a) having another pole are installed in the insulating layer. An opening part(25) is installed on the upper part of the insulating layer. A phase change part(33) is formed parallel to a surface of the substrate along a respective side of the opening part. The phase change part is formed by GeSbTe or AgInSbTe. [Reference numerals] (AA) Current direction; (BB) Hole flow direction

Abstract translation: 目的：提供相变存储器及其制造方法，以通过溅射形成GeSbTe膜，以低成本形成高可靠性的相变存储器。 构成：在衬底（11）上形成绝缘层（16,20）。 具有一极的电极层（13a）和具有另一极的电极层（18a）安装在绝缘层中。 绝缘层的上部安装有开口部（25）。 相变部分（33）沿着开口部分的相应侧与基板的表面平行地形成。 相变部由GeSbTe或AgInSbTe形成。 （标号）（AA）电流方向; （BB）孔流动方向

公开(公告)号：KR1020110010628A

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：KR1020107027573

申请日：2009-05-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로따요시히로 ,  사또오요시히로 ,  오꾸무라노부오

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/318 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/66833

Abstract: 플라즈마 질화 처리 공정 후에, 선택 에칭 처리 공정에 있어서, 전극층에 형성된 질화규소막을 남기면서, 소자 분리막 및 절연막의 표면에 형성된 질화산화규소막이 제거된다. 선택 에칭 공정에 의해, 소자 분리막 및 절연막의 표면에 형성된 질화산화규소막이 제거된다.

Abstract translation: 在等离子体氮化处理之后，在选择性蚀刻工艺中，在形成于电极层上的氮化硅膜留下的同时，去除在隔离膜和绝缘膜的表面上形成的氮氧化硅膜。 通过选择性蚀刻工艺，去除了形成在绝缘膜表面上的器件隔离膜和氮氧化硅膜。