公开(公告)号：KR1020110010628A

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：KR1020107027573

申请日：2009-05-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로따요시히로 ,  사또오요시히로 ,  오꾸무라노부오

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/318 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/66833

Abstract: 플라즈마 질화 처리 공정 후에, 선택 에칭 처리 공정에 있어서, 전극층에 형성된 질화규소막을 남기면서, 소자 분리막 및 절연막의 표면에 형성된 질화산화규소막이 제거된다. 선택 에칭 공정에 의해, 소자 분리막 및 절연막의 표면에 형성된 질화산화규소막이 제거된다.

Abstract translation: 在等离子体氮化处理之后，在选择性蚀刻工艺中，在形成于电极层上的氮化硅膜留下的同时，去除在隔离膜和绝缘膜的表面上形成的氮氧化硅膜。 通过选择性蚀刻工艺，去除了形成在绝缘膜表面上的器件隔离膜和氮氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020100106602A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020107018924

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오따긴야 ,  티안카이중 ,  고바야시히로시 ,  사또오요시히로 ,  시오자와도시히꼬 ,  마에까와고오지

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, 플라즈마를 형성하기 위한 마이크로파를 방사하는 평면 안테나(31)는 그 면을 동심 형상으로 중앙 영역(31a), 외주 영역(31c), 이들의 중간 영역(31b)으로 나눈 경우에, 서로 방향이 다른 마이크로파 방사 구멍(32)의 쌍이, 중앙 영역(31a) 및 외주 영역(31c)에 동심원 형상으로 복수 배열되고, 중간 영역(31b)에는 마이크로파 방사 구멍이 형성되어 있지 않고, 마이크로파 투과판(28)은 그 마이크로파 방사면에 오목부(28a)가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR101580704B1

公开(公告)日：2015-12-28

申请号：KR1020107027573

申请日：2009-05-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로따요시히로 ,  사또오요시히로 ,  오꾸무라노부오

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/318 ,  H01L21/321 ,  H01L21/762 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7881

Abstract: 플라즈마질화처리공정후에, 선택에칭처리공정에있어서, 전극층에형성된질화규소막을남기면서, 소자분리막및 절연막의표면에형성된질화산화규소막이제거된다. 선택에칭공정에의해, 소자분리막및 절연막의표면에형성된질화산화규소막이제거된다.