公开(公告)号：KR1020150131967A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020150062914

申请日：2015-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히사마츠도루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069

Abstract: 에칭에의해형성되는라인의거칠기를억제하고, 또한, 에칭후에잔존하는포토레지스트의높이를유지하는것. 플라즈마에칭방법은, 퇴적공정과, 에칭공정을포함한다. 퇴적공정은, 하지층과, 미리정해진패턴을갖는포토레지스트가순서대로적층된피처리체의포토레지스트에대하여, 4염화규소가스, 메탄가스및 수소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마에의해규소및 탄소를포함하는보호층을퇴적시킨다. 에칭공정은, 보호층이퇴적된포토레지스트를마스크로하여, 제1 처리가스와는상이한제2 처리가스의플라즈마에의해하지층을에칭한다.

Abstract translation: 本发明抑制由蚀刻形成的线的粗糙度，并且保持蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度。 等离子体蚀刻方法包括沉积工艺和蚀刻工艺。 在沉积工艺中，包括硅和碳的保护层通过包括四氯化硅气体，甲烷气体和氢气的第一处理气体的等离子体沉积在加工对象物体的光致抗蚀剂上，其中基层和 具有预定图案的光致抗蚀剂依次层压在处理目标物体上。 在蚀刻工艺中，通过使用其上沉积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模，通过与第一处理气体不同的第二处理气体的等离子体蚀刻基底层。

公开(公告)号：KR1020160127674A

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：KR1020160051301

申请日：2016-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  오이시도모유키 ,  히사마츠도루

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: (과제) 피처리체를처리하는방법을제공한다. (해결수단) 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한처리용기내에, 실리콘함유가스를포함하는제 1 가스를공급하는제 1 공정과, 제 1 공정의실행후에, 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하는제 2 공정과, 제 2 공정의실행후에, 처리용기내에서산소가스를포함하는제 2 가스의플라즈마를생성하는제 3 공정과, 제 3 공정의실행후에, 처리용기내에서희가스의플라즈마를생성하는제 4 공정을포함한다. 이방법에서는, 제 1~제 4 공정을포함하는시퀀스가반복하여실행되는것에의해, 실리콘산화막이형성된다. 또한, 이방법에서는, 제 2 공정, 제 3 공정, 및제 4 공정중 적어도어느한쪽에있어서, 용량결합형의플라즈마처리장치의상부전극에음의직류전압이인가된다.

Abstract translation: 通过使用电容耦合的等离子体处理装置来处理目标物体的方法包括：将含有含硅气体的第一气体供给到容纳有目标物体的处理室中的第一步骤; 在执行第一步骤之后在处理室中产生稀有气体的等离子体的第二步骤; 在执行第二步骤之后，在处理室中产生含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤; 以及在执行第三步之后在处理室中产生稀有气体的等离子体的第四步骤。 通过重复执行包括第一步骤至第四步骤的序列来形成氧化硅膜。 在第二步骤至第四步骤中的至少任一步骤中，对上部电极施加负的直流电压。

公开(公告)号：KR1020160041764A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020150134479

申请日：2015-09-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  히사마츠도루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0337

Abstract: 마스크의개구폭을조정하기위해, 전용성막장치를이용하지않고, 저온에서실리콘산화막을형성한다. 일실시형태의방법은, (a) 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에서, 할로겐화규소가스를포함하는제1 가스의플라즈마를생성하여반응전구체를형성하는제1 공정과, (b) 처리용기내의공간을퍼지하는제2 공정과, (c) 처리용기내에서산소가스를포함하는제2 가스의플라즈마를생성하여실리콘산화막을형성하는제3 공정과, (d) 처리용기내의공간을퍼지하는제4 공정을포함하는시퀀스를반복하여실리콘산화막을성막한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理待处理物体的方法，其能够通过在低温下形成氧化硅膜来调节掩模的开口宽度，而无需专门的成膜装置。 用于处理待处理物体的方法可以通过重复序列来形成二氧化硅膜，所述序列包括：通过在等离子体处理装置的处理容器中产生包括卤化硅的第一气态等离子体来形成响应前体的第一工艺（a） 容纳待处理的物体; 吹扫处理容器中的空间的第二工序（b）; 通过在处理容器中产生包括氧气的气态等离子体来形成二氧化硅膜的第三工序（c）; 以及清除处理容器中的空间的第四工序（d）。

公开(公告)号：KR1020160014543A

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：KR1020150106221

申请日：2015-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  혼다마사노부 ,  히사마츠도루

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

Abstract: 챔버내의전극에타겟으로서기능하는막을성막하고, 성막된막을스퍼터링하는것을목적으로한다. 기판을탑재하는제 1 전극과, 상기제 1 전극과대향해서배치되는제 2 전극을소정의갭으로대향해서배치한플라즈마처리장치로서, 상기제 2 전극에제 1 고주파전력을공급하는제 1 고주파전원과, 상기제 2 전극에직류전력을공급하는직류전원과, 챔버내에가스를공급하는가스공급원을갖되, 상기제 2 전극은, 제 1 가스와상기제 1 고주파전력을공급함으로써생성된플라즈마에의해서성막되는반응생성물의막을갖고, 상기제 2 전극은, 제 2 가스와상기제 1 고주파전력과상기직류전력을공급함으로써생성된플라즈마에의해서상기반응생성물의막을스퍼터링하는타겟으로되는플라즈마처리장치가제공된다.

Abstract translation: 本发明是在室内的电极上形成作为靶的薄膜，并溅射成膜。 其中用于安装基板的第一电极和与第一电极相对设置的第二电极的等离子体处理装置通过在其之间放置预定的间隙而彼此相对设置，包括：第一高频电源， 向第二电极提供第一高频电力; 向第二电极提供直流电力的直流电源; 以及向气室供给气体的气体供给源。 第二电极具有通过供给第一气体和第一高频电力而产生的等离子体形成的反应产物的膜，反应产物的膜是通过供给第二气体而产生的等离子体的溅射靶，第一高频 电源和直流电源。

公开(公告)号：KR101853167B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR1020150062914

申请日：2015-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히사마츠도루 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069

Abstract: 에칭에의해형성되는라인의거칠기를억제하고, 또한, 에칭후에잔존하는포토레지스트의높이를유지하는것. 플라즈마에칭방법은, 퇴적공정과, 에칭공정을포함한다. 퇴적공정은, 하지층과, 미리정해진패턴을갖는포토레지스트가순서대로적층된피처리체의포토레지스트에대하여, 4염화규소가스, 메탄가스및 수소가스를포함하는제1 처리가스의플라즈마에의해규소및 탄소를포함하는보호층을퇴적시킨다. 에칭공정은, 보호층이퇴적된포토레지스트를마스크로하여, 제1 처리가스와는상이한제2 처리가스의플라즈마에의해하지층을에칭한다.

公开(公告)号：KR1020170041154A

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：KR1020160128933

申请日：2016-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기하라요시히데 ,  히사마츠도루 ,  혼다마사노부 ,  오이시도모유키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

Abstract: (과제) 피처리체상의패턴형성에있어서정밀한최소선폭의제어와안정된최소선폭의재현성등을실현하기위한방법을제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치의처리용기내에아미노실란계가스를포함하는제 1 가스를공급하는제 1 공정과제 1 공정의실행후에처리용기내의공간을퍼지하는제 2 공정과제 2 공정의실행후에처리용기내에서산소가스를포함하는제 2 가스의플라즈마를생성하는제 3 공정과제 3 공정의실행후에처리용기내의공간을퍼지하는제 4 공정을포함하는시퀀스를반복실행하여처리용기내에실리콘산화막을형성하는형성공정과, 피처리체를처리용기내에수용하기전에행하는준비공정과, 처리용기내에수용된피처리체에대하여에칭처리를행하는처리공정을구비하고, 준비공정은처리공정의전에행해지고형성공정은준비공정에서실행되고또한처리공정에서실행되고제 1 공정은제 1 가스의플라즈마를생성하지않는다.

Abstract translation: （要解决的问题）提供一种用于实现准确的最小线宽控制和在待处理对象上的图案形成中稳定的最小线宽再现性的方法。 向等离子体处理装置的处理容器内供给含有氨基硅烷系气体的第一气体的第一处理;在处理执行后清除处理容器内的空间的第二处理。 在容器内产生含有氧气的第二气体的等离子体的第三步骤;以及第四步骤，在执行第三步骤之后清洗处理容器中的空间，由此在处理容器中形成氧化硅膜 以及处理工序，对容纳在处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，在处理工序之前进行准备工序，在准备工序中进行成形处理 并且也在处理步骤中执行，并且第一处理不产生第一气体的等离子体。