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公开(公告)号：KR101919641B1
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：KR1020147000351
申请日：2012-06-01
Applicant: 램 리써치 코포레이션
Inventor： 수칭 , 루수카멜리아 , 위닉젝자로스로우더블유. , 린프랭크와이. , 밀러알란제이
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01L21/76802 , H01L21/76898
Abstract: 복수의사이클들을포함하는플라즈마프로세싱챔버에서에칭층으로피쳐들을에칭하기위한방법이제공된다. 각각의사이클은증착페이즈및 에칭페이즈를포함한다. 증착페이즈는, 증착가스의흐름을제공하는단계, 플라즈마프로세싱챔버에서증착가스로부터플라즈마를형성하는단계, 이방성증착을제공하기위해증착페이즈동안제 1 바이어스를제공하는단계, 및플라즈마프로세싱챔버로의증착가스의흐름을중지하는단계를포함한다. 에칭페이즈는에칭가스의흐름을제공하는단계, 플라즈마프로세싱챔버에서에칭가스로부터플라즈마를형성하는단계, 에칭페이즈동안제 2 바이어스를제공하는단계로서, 제 1 바이어스는제 2 바이어스보다더 큰, 제 2 바이어스를제공하는단계, 및플라즈마프로세싱챔버로의에칭가스의흐름을중지하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140052998A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020137030018
申请日：2012-05-09
Applicant: 램 리써치 코포레이션
IPC: B81C1/00 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00619 , B81C2201/0112 , H01L21/3086
Abstract: 동작 압력 및 동작 바이어스를 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 실리콘을 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 방법은: 제 1 깊이 및 측벽을 갖는 홀을 생성하기 위해 실리콘에서 제 1 수직 에칭을 수행하는 단계; 측벽 상에서 보호층의 증착을 수행하는 단계; 홀을 제 2 깊이로 깊게 하고 제 2 측벽을 생성하기 위해 제 2 수직 에칭을 수행하는 단계로서, 제 2 측벽은 제 1 골, 제 2 골 및 피크를 포함하고, 제 1 골은 제 1 측벽에 대응하고, 제 2 골은 제 2 측벽에 대응하며, 피크는 제 1 골과 제 2 골 사이에 배치되는, 제 2 수직 에칭을 수행하는 단계; 및 피크를 감소시키기 위해 제 3 에칭을 수행하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101941312B1
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：KR1020137030018
申请日：2012-05-09
Applicant: 램 리써치 코포레이션
IPC: B81C1/00 , H01L21/3065 , C23F1/00
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公开(公告)号：KR1020140036299A
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020147000351
申请日：2012-06-01
Applicant: 램 리써치 코포레이션
Inventor： 수칭 , 루수카멜리아 , 위닉젝자로스로우더블유. , 린프랭크와이. , 밀러알란제이
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01L21/76802 , H01L21/76898
Abstract: 복수의 사이클들을 포함하는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 에칭층으로 피쳐들을 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 각각의 사이클은 증착 페이즈 및 에칭 페이즈를 포함한다. 증착 페이즈는, 증착 가스의 흐름을 제공하는 단계, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 증착 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 이방성 증착을 제공하기 위해 증착 페이즈 동안 제 1 바이어스를 제공하는 단계, 및 플라즈마 프로세싱 챔버로의 증착 가스의 흐름을 중지하는 단계를 포함한다. 에칭 페이즈는 에칭 가스의 흐름을 제공하는 단계, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 에칭 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 에칭 페이즈 동안 제 2 바이어스를 제공하는 단계로서, 제 1 바이어스는 제 2 바이어스보다 더 큰, 제 2 바이어스를 제공하는 단계, 및 플라즈마 프로세싱 챔버로의 에칭 가스의 흐름을 중지하는 단계를 포함한다.
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