높은 에칭 레이트를 제공하기 위한 방법

    公开(公告)号:KR101919641B1

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:KR1020147000351

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 복수의사이클들을포함하는플라즈마프로세싱챔버에서에칭층으로피쳐들을에칭하기위한방법이제공된다. 각각의사이클은증착페이즈및 에칭페이즈를포함한다. 증착페이즈는, 증착가스의흐름을제공하는단계, 플라즈마프로세싱챔버에서증착가스로부터플라즈마를형성하는단계, 이방성증착을제공하기위해증착페이즈동안제 1 바이어스를제공하는단계, 및플라즈마프로세싱챔버로의증착가스의흐름을중지하는단계를포함한다. 에칭페이즈는에칭가스의흐름을제공하는단계, 플라즈마프로세싱챔버에서에칭가스로부터플라즈마를형성하는단계, 에칭페이즈동안제 2 바이어스를제공하는단계로서, 제 1 바이어스는제 2 바이어스보다더 큰, 제 2 바이어스를제공하는단계, 및플라즈마프로세싱챔버로의에칭가스의흐름을중지하는단계를포함한다.

    높은 에칭 레이트를 제공하기 위한 방법
    5.
    发明公开
    높은 에칭 레이트를 제공하기 위한 방법 审中-实审
    提供高刻蚀速率的方法

    公开(公告)号:KR1020140036299A

    公开(公告)日:2014-03-25

    申请号:KR1020147000351

    申请日:2012-06-01

    Abstract: 복수의 사이클들을 포함하는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 에칭층으로 피쳐들을 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 각각의 사이클은 증착 페이즈 및 에칭 페이즈를 포함한다. 증착 페이즈는, 증착 가스의 흐름을 제공하는 단계, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 증착 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 이방성 증착을 제공하기 위해 증착 페이즈 동안 제 1 바이어스를 제공하는 단계, 및 플라즈마 프로세싱 챔버로의 증착 가스의 흐름을 중지하는 단계를 포함한다. 에칭 페이즈는 에칭 가스의 흐름을 제공하는 단계, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 에칭 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 에칭 페이즈 동안 제 2 바이어스를 제공하는 단계로서, 제 1 바이어스는 제 2 바이어스보다 더 큰, 제 2 바이어스를 제공하는 단계, 및 플라즈마 프로세싱 챔버로의 에칭 가스의 흐름을 중지하는 단계를 포함한다.

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