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公开(公告)号：KR101941312B1
公开(公告)日：2019-01-23
申请号：KR1020137030018
申请日：2012-05-09
Applicant: 램 리써치 코포레이션
IPC: B81C1/00 , H01L21/3065 , C23F1/00
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公开(公告)号：KR1020160140416A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160062625
申请日：2016-05-23
Applicant: 램 리써치 코포레이션
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/6831 , H01L21/0217 , H01L21/32136 , H05H1/46
Abstract: 실리콘옥사이드에대해실리콘나이트라이드를선택적으로에칭하기위한방법이제공된다. H와 CF또는 CHF(X1, Y1, Z1) 를포함하는산소프리실리콘나이트라이드에칭가스가제공된다. 에칭가스를플라즈마로형성하도록 RF 전력이제공되고, 실리콘나이트라이드는플라즈마에노출된다.
Abstract translation: 提供了一种相对于氧化硅选择性地蚀刻氮化硅的方法。 提供了包含H2和CF4或CXHYFZ（X≥1，Y≥1，Z≥1）的无氧氮化硅蚀刻气体。 提供RF功率以将蚀刻气体形成为等离子体，其中氮化硅暴露于等离子体。
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公开(公告)号：KR1020140052998A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020137030018
申请日：2012-05-09
Applicant: 램 리써치 코포레이션
IPC: B81C1/00 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00619 , B81C2201/0112 , H01L21/3086
Abstract: 동작 압력 및 동작 바이어스를 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 실리콘을 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 방법은: 제 1 깊이 및 측벽을 갖는 홀을 생성하기 위해 실리콘에서 제 1 수직 에칭을 수행하는 단계; 측벽 상에서 보호층의 증착을 수행하는 단계; 홀을 제 2 깊이로 깊게 하고 제 2 측벽을 생성하기 위해 제 2 수직 에칭을 수행하는 단계로서, 제 2 측벽은 제 1 골, 제 2 골 및 피크를 포함하고, 제 1 골은 제 1 측벽에 대응하고, 제 2 골은 제 2 측벽에 대응하며, 피크는 제 1 골과 제 2 골 사이에 배치되는, 제 2 수직 에칭을 수행하는 단계; 및 피크를 감소시키기 위해 제 3 에칭을 수행하는 단계를 포함한다.
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