公开(公告)号：KR1020140052998A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：KR1020137030018

申请日：2012-05-09

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 위닉젝자로스로우더블유. ,  린프랭크와이. ,  밀러알란제이 ,  수,칭 ,  허성준 ,  함진환 ,  윤상준 ,  루수카멜리아

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/00

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00619 ,  B81C2201/0112 ,  H01L21/3086

Abstract: 동작 압력 및 동작 바이어스를 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 실리콘을 에칭하기 위한 방법이 제공된다. 방법은: 제 1 깊이 및 측벽을 갖는 홀을 생성하기 위해 실리콘에서 제 1 수직 에칭을 수행하는 단계; 측벽 상에서 보호층의 증착을 수행하는 단계; 홀을 제 2 깊이로 깊게 하고 제 2 측벽을 생성하기 위해 제 2 수직 에칭을 수행하는 단계로서, 제 2 측벽은 제 1 골, 제 2 골 및 피크를 포함하고, 제 1 골은 제 1 측벽에 대응하고, 제 2 골은 제 2 측벽에 대응하며, 피크는 제 1 골과 제 2 골 사이에 배치되는, 제 2 수직 에칭을 수행하는 단계; 및 피크를 감소시키기 위해 제 3 에칭을 수행하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101941312B1

公开(公告)日：2019-01-23

申请号：KR1020137030018

申请日：2012-05-09

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 위닉젝자로스로우더블유. ,  린프랭크와이. ,  밀러알란제이 ,  수,칭 ,  허성준 ,  함진환 ,  윤상준 ,  루수카멜리아

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/00