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公开(公告)号：KR1020110134752A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100054504
申请日：2010-06-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78618 , G02F1/136286 , G02F2001/13685 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, an array substrate for a display apparatus using the TFT and manufacturing method of the same are provided to prevent damage to an active layer from over etch by forming a metal wire corresponding to the source region and the drain region of the active layer. CONSTITUTION: In a thin film transistor, an array substrate for a display apparatus using the TFT and manufacturing method of the same, a buffer layer(11), semiconductor layer, and a metal layer are formed in a substrate(10) successively. An active layer(112) includes a source region, a drain region, and a channel region. A metal wire(113) corresponds to the source region of the active layer and a drain region. A gate electrode(16) corresponds to the channel region of the active layer. A second insulating layer is laminated over the substrate having the gate electrode. A source electrode(18) and a drain electrode(19) are formed on the second insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，用于使用TFT的显示装置的阵列基板及其制造方法，以通过形成对应于源极区和漏极区的金属线来防止过度蚀刻对有源层的损伤 活动层。 构成：在薄膜晶体管中，依次在基板（10）上形成用于使用TFT的显示装置的阵列基板及其制造方法，缓冲层（11），半导体层和金属层。 有源层（112）包括源极区，漏极区和沟道区。 金属线（113）对应于有源层的源极区域和漏极区域。 栅电极（16）对应于有源层的沟道区。 在具有栅电极的基板上层叠第二绝缘层。 源电极（18）和漏电极（19）形成在第二绝缘层上。
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公开(公告)号：KR101065413B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020090060851
申请日：2009-07-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L2251/558
Abstract: 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 비발광영역에 위치하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 비발광영역 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치, 배면발광-
公开(公告)号：KR101048965B1
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：KR1020090005528
申请日：2009-01-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G09G3/30 , H01L29/786 , H05B33/26 , H01L51/50
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명의 실시예에 의한 유기 전계발광 표시장치는, 데이터선들, 주사선들의 교차부마다 위치되며, 복수의 박막트랜지스터 및 유기발광소자를 각각 포함하는 화소들과; 복수의 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 주사선들로 주사신호를 공급하는 주사 구동부와; 복수의 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 데이터선들로 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부가 포함되며, 상기 화소를 구성하는 복수의 트랜지스터 중 상기 유기발광소자와 연결된 제 1트랜지스터는 활성층이 산화물 반도체로 형성된 산화물 트랜지스터로 구현되고, 이외의 다른 박막트랜지스터들은 활성층이 폴리 실리콘으로 형성된 폴리 실리콘 트랜지스터로 구현됨을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110003201A
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：KR1020090060851
申请日：2009-07-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L2251/558 , H01L51/5203
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve the property of an organic electroluminescent display device by preventing the light transmittance degradation due to an organic layer which is located in a light emitting side. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises a light emitting region(a) and a non-light-emitting region(b). A buffer layer(110) is located on the substrate. A semiconductor layer(120) is located in the non-light-emitting region on the buffer layer. A gate insulating layer(130) is located on the substrate. A first electrode(132) is located on the gate insulating layer. An interlayer insulating layer(140) opens a part of the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过防止由位于发光侧的有机层引起的光透射率劣化来改善有机电致发光显示装置的性能。 构成：基板（100）包括发光区域（a）和非发光区域（b）。 缓冲层（110）位于基板上。 半导体层（120）位于缓冲层上的非发光区域中。 栅极绝缘层（130）位于衬底上。 第一电极（132）位于栅极绝缘层上。 层间绝缘层（140）打开第一电极的一部分。
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公开(公告)号：KR101100999B1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020090002650
申请日：2009-01-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/0688 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명의 실시예에 의한 CMOS 박막트랜지스터는, 기판 상에 형성된 P타입의 폴리 실리콘층과; 게이트 절연막에 의해 상기 폴리 실리콘층과 절연되며, 상기 폴리 실리콘층의 중앙부와 중첩되도록 게이트 절연막 상에 형성되는 게이트 전극과; 중간 절연막에 의해 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 게이트 전극과 중첩되도록 상기 중간 절연막 상에 형성되는 산화물 반도체층과; 상기 산화물 반도체층 상부 전면에 형성된 보호층과; 상기 보호층의 비아홀을 통해 상기 폴리 실리콘층 및 산화물 반도체층의 소스, 드레인 영역에 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함함을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110094456A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020100013842
申请日：2010-02-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H05B33/26 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5228 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/5225
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to form an second isogonic electrode without damage to an organic layer through the combination of the second electrode and a connection electrode. CONSTITUTION: In an organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof, a plurality of first electrodes(61) are electrically connected among one of a source electrode and drain electrode. A plurality of banks(60) are formed between first electrodes. A plurality of organic layers(62) are formed on the first electrodes. The plural second electrodes(63) are separated from each other in the organic layers. A connection electrode(64) electrically connects the second electrodes to the bank and the upper part of the second electrodes.
Abstract translation: 目的：提供有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过第二电极和连接电极的组合形成第二等离子体电极而不损坏有机层。 构成：在有机电致发光显示装置及其制造方法中，多个第一电极（61）电连接在源极电极和漏极电极之一中。 多个堤（60）形成在第一电极之间。 在第一电极上形成多个有机层（62）。 多个第二电极（63）在有机层中彼此分离。 连接电极（64）将第二电极电连接到堤岸和第二电极的上部。
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公开(公告)号：KR1020110059966A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090116422
申请日：2009-11-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3272 , H01L27/3262
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a device by forming a black matrix in the device and using compound semiconductor. CONSTITUTION: A substrate comprises a light emitting region and a non-emitting region. A black matrix(105) is located in a region except for one side of the light emitting region. A gate insulation layer is formed on the substrate and insulates a semiconductor layer and a gate electrode. A first electrode is located on a light emitting unit and is formed on the gate insulation layer. A pixel defining layer opens a part of the first electrode and is located on the substrate. An organic layer(180) is located on the first electrode. A second electrode(190) is located on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过在器件中形成黑矩阵并使用化合物半导体来提高器件的效率。 构成：衬底包括发光区域和不发射区域。 黑矩阵（105）位于除了发光区域的一侧之外的区域中。 在基板上形成栅极绝缘层，并使半导体层和栅电极绝缘。 第一电极位于发光单元上并形成在栅极绝缘层上。 像素限定层打开第一电极的一部分并且位于衬底上。 有机层（180）位于第一电极上。 第二电极（190）位于衬底上。
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公开(公告)号：KR100986897B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080110925
申请日：2008-11-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극, 게이트 절연층에 의해 게이트 전극과 절연되는 활성층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금은 열 및 화학적으로 높은 안정성을 갖기 때문에 표면 형태가 양호하고 제조가 용이하며 낮은 비저항을 갖는다. 따라서 전기적 특성이 우수한 박막 트랜지스터 및 대형 표시 장치의 구현이 용이해진다.
게이트 전극, 비저항, 알루미늄 합금, 니켈, 란탄-
公开(公告)号：KR1020100083322A
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：KR1020090002650
申请日：2009-01-13
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/0688 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L29/7869 , H01L27/092 , H01L27/3262
Abstract: PURPOSE: A CMOS thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electroluminescent display device including the same are provided to implement a high speed switching operation by using the high mobility property of a poly silicon tin film transistor. CONSTITUTION: A buffer layer(3) is formed on a substrate(1). A poly silicon layer(10) is formed on the buffer layer. A gate electrode(30) is formed on a gate insulating layer(20). An oxide semiconductor layer is overlapped with the gate electrode. A protective layer is formed on the upper side of the oxide semiconductor layer. Source and drain electrodes are respectively contacted with the source and drain areas of the oxide semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种CMOS薄膜晶体管及其制造方法和包括该CMOS薄膜晶体管的有机电致发光显示装置，以通过使用多硅锡膜晶体管的高迁移率特性实现高速切换操作。 构成：在衬底（1）上形成缓冲层（3）。 在缓冲层上形成多晶硅层（10）。 栅电极（30）形成在栅绝缘层（20）上。 氧化物半导体层与栅电极重叠。 在氧化物半导体层的上侧形成有保护层。 源极和漏极分别与氧化物半导体层的源极和漏极区域接触。
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公开(公告)号：KR101156444B1
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020100044049
申请日：2010-05-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/326 , H01L27/3246 , H01L51/5209 , H01L2251/558
Abstract: An organic light-emitting display device preventing edge defects between a pixel define layer and a pixel electrode, and a method of manufacturing the same. The organic light-emitting display device, comprises: a substrate; a pixel electrode disposed on the substrate and comprising a first pattern unit and a second pattern unit which are electrically disconnected; a pixel define unit disposed on the substrate and exposing the pixel electrode; an intermediate layer disposed on the pixel electrode and emitting light; and a counter electrode disposed on the intermediate layer and the pixel define layer.
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