유기 발광 표시 장치의 제조방법
    1.
    发明授权
    유기 발광 표시 장치의 제조방법 有权
    用于制造有机发光显示装置的方法

    公开(公告)号:KR100874458B1

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:KR1020070119756

    申请日:2007-11-22

    CPC classification number: H01L27/3267 H01L51/5218

    Abstract: A method for manufacturing an organic light emitting diode is provided to implement front side lighting and back side lighting at the same time, and improve the brightness. A substrate(100) including a first area(I) and a second area are prepared. A first layer is formed on the first and the second areas. A second layer is formed on the first and the second area. First electrode layer(191,191') are formed on the second layer on the first area, and the first layer on the second area. A reflective film(192) is formed on the first electrode layer of the first area. The second electrode layer(193) is formed on the reflective film.

    Abstract translation: 提供一种制造有机发光二极管的方法,以同时实现前侧照明和背面照明,并提高亮度。 准备包括第一区域(I)和第二区域的基板(100)。 在第一和第二区域上形成第一层。 在第一和第二区域上形成第二层。 第一电极层(191,191')形成在第一区域上的第二层上,第二区域上形成第一层。 在第一区域的第一电极层上形成反射膜(192)。 第二电极层(193)形成在反射膜上。

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
    2.
    发明公开
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 有权
    OANIC发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110059966A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:KR1020090116422

    申请日:2009-11-30

    CPC classification number: H01L51/5284 H01L27/3272 H01L27/3262

    Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of a device by forming a black matrix in the device and using compound semiconductor. CONSTITUTION: A substrate comprises a light emitting region and a non-emitting region. A black matrix(105) is located in a region except for one side of the light emitting region. A gate insulation layer is formed on the substrate and insulates a semiconductor layer and a gate electrode. A first electrode is located on a light emitting unit and is formed on the gate insulation layer. A pixel defining layer opens a part of the first electrode and is located on the substrate. An organic layer(180) is located on the first electrode. A second electrode(190) is located on the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法,以通过在器件中形成黑矩阵并使用化合物半导体来提高器件的效率。 构成:衬底包括发光区域和不发射区域。 黑矩阵(105)位于除了发光区域的一侧之外的区域中。 在基板上形成栅极绝缘层,并使半导体层和栅电极绝缘。 第一电极位于发光单元上并形成在栅极绝缘层上。 像素限定层打开第一电极的一部分并且位于衬底上。 有机层(180)位于第一电极上。 第二电极(190)位于衬底上。

    박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
    3.
    发明授权
    박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 有权
    薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的平板显示装置

    公开(公告)号:KR100986897B1

    公开(公告)日:2010-10-08

    申请号:KR1020080110925

    申请日:2008-11-10

    Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금으로 형성된 게이트 전극, 게이트 절연층에 의해 게이트 전극과 절연되는 활성층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 니켈 및 란탄을 포함하는 알루미늄 합금은 열 및 화학적으로 높은 안정성을 갖기 때문에 표면 형태가 양호하고 제조가 용이하며 낮은 비저항을 갖는다. 따라서 전기적 특성이 우수한 박막 트랜지스터 및 대형 표시 장치의 구현이 용이해진다.
    게이트 전극, 비저항, 알루미늄 합금, 니켈, 란탄

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
    4.
    发明授权
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 有权
    Oanic发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101125566B1

    公开(公告)日:2012-03-26

    申请号:KR1020090116422

    申请日:2009-11-30

    CPC classification number: H01L51/5284 H01L27/3272

    Abstract: 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판; 상기 발광영역의 일영역을 제외한 영역에 위치하는 블랙 매트릭스; 상기 기판 전면에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하며, 상기 비발광영역에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키며 기판 전면에 형성되어 있는 게이트 절연막; 상기 발광부 상에 위치하며, 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 제 1 전극; 상기 반도체층 및 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되어 있는 소스/드레인 전극; 상기 소스/드레인 전극과 상기 게이트 전극을 절연시키며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막; 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키며 기판 전면에 걸쳐 위치하는 화소정의막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막층; 및 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극은 투명 전도성 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
    유기전계발광표시장치, 블랙매트릭스

    유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
    5.
    发明公开
    유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
    有机发光二极管显示器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110032360A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:KR1020090089802

    申请日:2009-09-22

    Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode display and a method for manufacturing the same are provided to implement an oxide semiconductor thin film transistor having stability and reliability by including a metal oxide film. CONSTITUTION: In an organic light emitting diode display and a method for manufacturing the same, a gate electrode(121) is formed on a substrate body. A gate insulating layer is formed on the gate electrode. An oxide semiconductor layer(141) is formed on the gate electrode having a gate insulating layer between them. A metal oxide layer(241) has a plurality of openings exposing a part of the oxide semiconductor layer outside. A metal oxide layer is formed on the oxide semiconductor layer. A source electrode and a drain electrode are contacted with the oxide semiconductor layer respectively through the opening of the metal oxide film.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法,以通过包括金属氧化物膜来实现具有稳定性和可靠性的氧化物半导体薄膜晶体管。 构成:在有机发光二极管显示器及其制造方法中,在基板主体上形成栅电极(121)。 在栅电极上形成栅极绝缘层。 在栅电极上形成氧化物半导体层(141),栅极绝缘层在它们之间。 金属氧化物层(241)具有将氧化物半导体层的一部分暴露在外部的多个开口。 在氧化物半导体层上形成金属氧化物层。 源电极和漏极分别通过金属氧化物膜的开口与氧化物半导体层接触。

    박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
    6.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치 有权
    薄膜晶体管和平板显示装置

    公开(公告)号:KR1020100052060A

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:KR1020080110925

    申请日:2008-11-10

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and flat panel display device having the same are provided to have gate electrode formed by aluminum alloy, thereby embodying a surface shape in good condition and providing low resistivity. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed into aluminum alloy on a substrate. The aluminum alloy comprises nickl and lanthanum which has high stability in heat and chemically. A active layer(14) is insulated from the gate electrode by a gate insulation layer(13). A source electrode(16a) and a drain electrode(16b) is connected to the active layer. A insulation layer is formed between the active layer and the source and drain electrode, and has contact hole. The source and drain electrode is connected to the active layer through the contact hole.

    Abstract translation: 目的:提供具有这样的薄膜晶体管和平板显示装置以具有由铝合金形成的栅电极,从而体现良好状态的表面形状并提供低电阻率。 构成:栅极电极(12)在基板上形成铝合金。 铝合金包括镍和镧,其在热和化学上具有高稳定性。 有源层(14)通过栅极绝缘层(13)与栅电极绝缘。 源电极(16a)和漏电极(16b)连接到有源层。 在有源层和源漏电极之间形成绝缘层,并具有接触孔。 源极和漏极通过接触孔连接到有源层。

    유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
    7.
    发明授权
    유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
    유기발광표시장치및그제조방법

    公开(公告)号:KR101147414B1

    公开(公告)日:2012-05-22

    申请号:KR1020090089802

    申请日:2009-09-22

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L27/1225 H01L27/3262 H01L29/78606

    Abstract: 본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성된 박막 트랜지스터, 그리고 상기 박막 트랜지스터와 연결된 유기 발광 소자를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터는 산화물 반도체층 및 금속 산화막이 차례로 적층된 구조를 갖는다.
    산화물 반도체층, 금속 산화막, 박막 트랜지스터, 유기 발광 표시 장치

    Abstract translation: 一种显示器包括衬底主体,在衬底主体上的薄膜晶体管(TFT),所述TFT包括依次堆叠在彼此顶上的氧化物半导体层和金属氧化物膜。

    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
    8.
    发明授权
    유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 有权
    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR100965259B1

    公开(公告)日:2010-06-22

    申请号:KR1020080129326

    申请日:2008-12-18

    Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacture method thereof are provided to prevent the damage of a substrate due to the thermal process by eliminating an insulating layer in a non-pixel region. CONSTITUTION: A substrate(100) has a pixel region and a non-pixel region. A buffer layer(110) is formed on the substrate. A semiconductor layer(150) is formed on a buffer layer. A semiconductor layer has a channel region and a source/drain region. A gate electrode corresponds with the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating layer(160) insulates the semiconductor layer and the gate electrode. A source/drain electrode is electrically connected to the source/drain region of the semiconductor layer. An inter-layer insulating film insulates the gate electrode and the source/drain electrode. A first electrode, an organic film, and a second electrode are electrically connected to the source/drain electrode.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法,以通过消除非像素区域中的绝缘层来防止由于热处理而导致的基板的损坏。 构成:衬底(100)具有像素区域和非像素区域。 在衬底上形成缓冲层(110)。 半导体层(150)形成在缓冲层上。 半导体层具有沟道区和源极/漏极区。 栅电极对应于半导体层的沟道区。 栅极绝缘层(160)使半导体层和栅电极绝缘。 源极/漏极电连接到半导体层的源极/漏极区域。 层间绝缘膜使栅电极和源极/漏电极绝缘。 第一电极,有机膜和第二电极电连接到源极/漏极。

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