公开(公告)号：KR100894594B1

公开(公告)日：2009-04-24

申请号：KR1020060117147

申请日：2006-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  정세환

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 소자기판에 관한 것으로, 특히 누설전류의 감소가 용이하도록 멀티채널을 가지는 박막트랜지스터가 형성된 소자기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 표시장치용 소자기판은 기판; 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되고, 소스드레인영역과 멀티채널영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층을 덮도록 형성되는 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상에 형성되는 게이트전극; 상기 게이트전극을 덮도록 형성되는 층간절연막; 및 상기 층간절연막 상에 형성되고, 상기 층간절연막과 상기 게이트절연막에 형성된 콘택홀을 통해 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스드레인전극을 포함한다.
멀티채널, 누설전류, 박막트랜지스터

公开(公告)号：KR1020080086967A

公开(公告)日：2008-09-29

申请号：KR1020080084445

申请日：2008-08-28

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  정세환 ,  이기용

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78618

Abstract: A thin film transistor and an organic light emitting device display having the same are provided to suppress a leakage current by removing metal catalyst from a channel region of a semiconductor layer. A thin film transistor includes a substrate(200), a semiconductor layer(202), a gate insulation film(204), a gate electrode(207), and source/drain electrodes(215S,215D). The semiconductor layer is formed on the substrate and includes a channel region, a source/drain region, and an edge region. The edge region contains P or PHx+, where X is one of zero to three, which is formed on the source/drain region. The gate insulation film insulates the semiconductor layer. The gate electrode is insulated from the semiconductor layer by the gate insulation film. The source/drain electrodes are electrically connected to the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管和具有该薄膜晶体管的有机发光器件显示器，以通过从半导体层的沟道区域去除金属催化剂来抑制漏电流。 薄膜晶体管包括基板（200），半导体层（202），栅极绝缘膜（204），栅极电极（207）和源极/漏极电极（215S，215D）。 半导体层形成在衬底上，并且包括沟道区，源极/漏极区和边缘区。 边缘区域包含P或PHx +，其中X是零到三之一，其形成在源极/漏极区域上。 栅极绝缘膜使半导体层绝缘。 栅极通过栅极绝缘膜与半导体层绝缘。 源极/漏极电连接到半导体层。

公开(公告)号：KR1020080047152A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：KR1020060117147

申请日：2006-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  정세환

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: A substrate for a display device and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of the manufacturing process and the ratio of brightness and contrast in a black image and to increase the reliability of the display device. A semiconductor layer(170) is formed on a substrate(110) and includes source/drain area and the multi-channel area. A gate insulating layer(130) covers the semiconductor layer. A gate electrode(180) is formed on the gate insulating layer. An interfacial insulating layer(140) covers the gate electrode. A source/drain electrode(190) is formed on the interfacial insulating layer and connected with the semiconductor layer through a contact hole formed on the gate insulating layer. The multi-channel area is formed to the channel area between the source and drain areas. The multi-channel area includes at least a doping portion doped by impurities. At least two channel portions are not doped by impurities.

Abstract translation: 提供了一种用于显示装置的基板及其制造方法，以提高制造工艺的可靠性以及黑色图像中亮度和对比度的比例，并提高显示装置的可靠性。 半导体层（170）形成在衬底（110）上并包括源极/漏极区域和多通道区域。 栅极绝缘层（130）覆盖半导体层。 在栅极绝缘层上形成栅电极（180）。 界面绝缘层（140）覆盖栅电极。 源极/漏极（190）形成在界面绝缘层上，并通过形成在栅绝缘层上的接触孔与半导体层相连。 多通道区域形成在源极和漏极区域之间的沟道区域。 多沟道区域至少包括由杂质掺杂的掺杂部分。 至少两个通道部分不被杂质掺杂。

公开(公告)号：KR100878284B1

公开(公告)日：2009-01-12

申请号：KR1020070023628

申请日：2007-03-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  정세환 ,  이기용

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244

Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 채널 영역 및 소오스/드레인 영역, 상기 채널 영역 및 소오스/드레인 영역에 형성된 제 1 불순물을 포함하는 에지 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층을 절연시키는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막에 의해 상기 반도체층과 절연된 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결된 소오스/드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터와 그의 제조방법 및 이를 구비한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
에지 효과, 금속 촉매, SGS 결정화법

公开(公告)号：KR1020080082827A

公开(公告)日：2008-09-12

申请号：KR1020070023628

申请日：2007-03-09

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  정세환 ,  이기용

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1214

Abstract: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic electro luminescent display comprising the same are provided to prevent a leakage current by removing a metal catalyzer remaining on a channel region of a semiconductor layer. A semiconductor layer(202) is located on a substrate(200) and includes a channel region(202C), source/drain regions(202S,202D), and an edge region. The edge region is formed on the channel region and the source/drain regions and includes a first impurity. A gate dielectric(204) insulates the semiconductor layer. A gate electrode(207) is insulated from the semiconductor layer by the gate dielectric. Source/drain electrodes(215S,215D) are electrically connected to the semiconductor layer. The first impurity is phosphorus. A wiring part is formed through contact holes(213S,213D) exposing the source/drain regions and the edge region. The wiring part is the source/drain electrode.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管，其制造方法和包含该薄膜晶体管的有机电致发光显示器，以通过去除残留在半导体层的沟道区上的金属催化剂来防止漏电流。 半导体层（202）位于衬底（200）上并且包括沟道区（202C），源/漏区（202S，202D）和边缘区域。 边缘区域形成在沟道区域和源极/漏极区域上并且包括第一杂质。 栅极电介质（204）绝缘半导体层。 栅电极（207）通过栅极电介质与半导体层绝缘。 源/漏电极（215S，215D）电连接到半导体层。 第一种杂质是磷。 通过暴露源极/漏极区域和边缘区域的接触孔（213S，213D）形成布线部分。 接线部分是源极/漏极。