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公开(公告)号：KR101056429B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100023506
申请日：2010-03-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/1214 , H01L27/0248
Abstract: PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the decreasing of a semiconductor chip characteristic by static electricity which is generated in a manufacturing process. CONSTITUTION: A semiconductor layer(136) is located on a substrate. A second semiconductor layer(137) is located on the substrate and is adjacent to a first semiconductor layer. The first insulation layer is located on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and includes a first opening part(161) which forms a space between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A second insulation layer is located on the first insulation layer and fills the first opening.
Abstract translation: 目的：提供一种显示装置及其制造方法，以使制造工艺中产生的静电的半导体芯片特性的降低最小化。 构成：半导体层（136）位于衬底上。 第二半导体层（137）位于衬底上并与第一半导体层相邻。 第一绝缘层位于第一半导体层和第二半导体层上，并且包括在第一半导体层和第二半导体层之间形成空间的第一开口部分（161）。 第二绝缘层位于第一绝缘层上并填充第一开口。
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公开(公告)号：KR101056428B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020090026537
申请日：2009-03-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78627
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역, 이온을 포함하는 소오스/드레인 영역, 및 오프셋 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 제 1 절연막; 상기 제 1 절연막 상에 위치하는 제 2 절연막; 및 상기 제 2 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 소오스/드레인 영역 상의 상기 게이트 절연막 및 상기 제 1 절연막의 두께는 0 초과 내지 상기 소오스/드레인 영역에 포함된 이온의 수직 침투 깊이보다 작은 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
오프셋 영역, 박막트랜지스터Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。
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3.发明授权
公开(公告)号：KR101049806B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020080137239
申请日：2008-12-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 2 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인인 전극을 포함하며, 상기 제 1 반도체층은 상기 제 2 반도체층의 하부에 위치하며, 상기 제 1 반도체층의 면적은 제 2 반도체층의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제1 반도체층; 상기 제 1 반도체층 상에 위치하는 제 2 반도체층; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 2 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 소오스/드레인 전극 상에 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 위치하며 상기 소오스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 반도체층은 상기 제 2 반도체층의 하부에 위치하며, 상기 제 1 반도체층의 면적은 제 2 반도체층의 면적보다 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장 치에 관한 것이다.
금속촉매 결정화, 다결정 실리콘Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 设置在衬底上的缓冲层; 设置在缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层; 栅电极，与第一半导体层和第二半导体层绝缘; 栅绝缘膜，用于使第一半导体层和第二半导体层与栅电极绝缘; 以及源电极/漏电极，与栅电极电绝缘并且部分地连接到第二半导体层，其中第一半导体层位于第二半导体层下方，并且第一半导体层 并且第二半导体层的面积小于第二半导体层的面积及其制造方法。
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4.发明授权
公开(公告)号：KR101049805B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020080137242
申请日：2008-12-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/00
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L29/66757 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 유기전계발광표시장치에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 2 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 제 1 반도체층 상부에 상기 제 2 반도체층이 위치하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 제1 반도체층 및 제 2 반도체층; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 절연되는 게이트 전극; 상기 제 1 반도체층 및 제 2 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 전극과 절연되며, 상기 제 2 반도체층과 일부가 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 소오스/드레인 전극 상에 위치하는 절연막; 및 상기 절연막 상에 위치하며 상기 소오스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
금속촉매 결정화 방법, 다결정실리콘Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。 设置在衬底上的缓冲层; 设置在缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层; 栅电极，与第一半导体层和第二半导体层绝缘; 栅绝缘膜，用于使第一半导体层和第二半导体层与栅电极绝缘; 并且从所述栅电极绝缘，所述第一薄膜晶体管，其特征在于所述第二包括半导体层和源/漏电极部分联接，所述第一半导体层的上部位置和它的制备在第二半导体层 ＆lt;
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公开(公告)号：KR1020100108070A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026537
申请日：2009-03-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78627 , H01L27/1214 , H01L29/78618 , H01L29/78636
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electroluminescent display device thereof are provided to form an offset region according to a self-aligned method by executing an ion doping process after forming a first insulating layer. CONSTITUTION: A semiconductor layer(120) is formed on a substrate(100). A gate insulating layer(130) is formed on the semiconductor layer. A gate electrode(140) is formed on the gate insulating layer. A first insulating layer(150) is formed on the gate electrode. A second insulating layer(160) is formed on the first insulating layer. A source electrode and a drain electrode(171,172) are formed on the second insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法及其有机电致发光显示装置，通过在形成第一绝缘层之后执行离子掺杂工艺，根据自对准方法形成偏移区域。 构成：半导体层（120）形成在基板（100）上。 在半导体层上形成栅极绝缘层（130）。 栅电极（140）形成在栅极绝缘层上。 在栅电极上形成第一绝缘层（150）。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层（160）。 源电极和漏电极（171,172）形成在第二绝缘层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100099618A
公开(公告)日：2010-09-13
申请号：KR1020090018201
申请日：2009-03-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 박병건 , 양태훈 , 서진욱 , 이기용 , 리사첸코,막심 , 최보경 , 이대우 , 이길원 , 이동현 , 박종력 , 안지수 , 김영대 , 나흥열 , 정민재 , 정윤모 , 홍종원 , 강유진 , 장석락 , 정재완 , 윤상연
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。
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公开(公告)号：KR1020100007609A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080068314
申请日：2008-07-14
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/41733 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L21/3226 , H01L27/1214
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor is provided to remove a crystallization induction metal by performing gettering of the crystallization induction metal. CONSTITUTION: A gate electrode(230) is positioned on a gate insulation layer(220). An interlayer insulation layer(250) is positioned on the gate electrode. A source/drain electrode is positioned on the interlayer insulation layer. The source/drain electrode is electrically connected to the source/drain region of the semiconductor layer. A first gettering site(271) is positioned on both edges of a semiconductor layer(210). A second gettering site(272) is separated from the first gettering site. The gettering site performs the gettering of the crystallization induction metal remaining on a channel region(212).
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管的方法，通过吸收结晶诱导金属来除去结晶诱导金属。 构成：栅电极（230）位于栅绝缘层（220）上。 层间绝缘层（250）位于栅电极上。 源极/漏极位于层间绝缘层上。 源/漏电极电连接到半导体层的源/漏区。 第一吸气部位（271）位于半导体层（210）的两边缘上。 第二吸气部位（272）与第一吸气部位分离。 吸气位置对残留在通道区域（212）上的结晶诱导金属进行吸气。
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公开(公告)号：KR1020090103009A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080028324
申请日：2008-03-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/08 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/78615 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L27/1214 , H01L29/78618
Abstract: PURPOSE: A TFT, fabricating method of the TFT, and organic lighting emitting diode display device comprising the same are provided to form the gate body without extending an additional body contact region. CONSTITUTION: The thin film transistor includes the substrate(100), the semiconductor layer(104), the gate insulating layer, the gate electrode(111), the interlayer insulating film, and the source / drain electrode. The semiconductor layer is located on surface of the substrate. The semiconductor layer includes the channel region, and the source / drain region and body contact region. The gate insulating layer is located on the surface of the semiconductor layer. The gate insulating layer exposes the body contact region. The gate electrode is located on surface the gate insulating layer. The interlayer insulating film is located on surface the gate electrode. The body contact region is formed within the edge region(105) of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供TFT，TFT的制造方法和包括该TFT的有机发光二极管显示装置，以形成门体而不延伸附加的本体接触区域。 构成：薄膜晶体管包括基板（100），半导体层（104），栅极绝缘层，栅电极（111），层间绝缘膜和源极/漏极。 半导体层位于衬底的表面上。 半导体层包括沟道区，源/漏区和体接触区。 栅极绝缘层位于半导体层的表面上。 栅绝缘层露出身体接触区域。 栅电极位于栅极绝缘层的表面上。 层间绝缘膜位于栅电极的表面上。 体接触区域形成在半导体层的边缘区域（105）内。
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公开(公告)号：KR100894594B1
公开(公告)日：2009-04-24
申请号：KR1020060117147
申请日：2006-11-24
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 소자기판에 관한 것으로, 특히 누설전류의 감소가 용이하도록 멀티채널을 가지는 박막트랜지스터가 형성된 소자기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 표시장치용 소자기판은 기판; 상기 기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되고, 소스드레인영역과 멀티채널영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층을 덮도록 형성되는 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상에 형성되는 게이트전극; 상기 게이트전극을 덮도록 형성되는 층간절연막; 및 상기 층간절연막 상에 형성되고, 상기 층간절연막과 상기 게이트절연막에 형성된 콘택홀을 통해 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스드레인전극을 포함한다.
멀티채널, 누설전류, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020090020028A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020070084412
申请日：2007-08-22
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L27/1214
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof, an organic electroluminescent display device including the same and a manufacturing method thereof are provided to increase the electrical characteristic by removing the metallic catalyst remaining in the channel region of the semiconductor layer. A semiconductor layer(160) is located on the surface of substrate(100) and comprises a channel region(162) and source/drain regions(161,163). The gate electrode is positioned to be corresponded to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating layer(170) is positioned between the gate electrode and the semiconductor layer in order to insulate the semiconductor layer and the gate electrode. The metal layer and the metal silicide layer are positioned on the upper part (210b.211b) or the lower part(210a.211a) of the semiconductor layer. Source/drain electrodes(240a,240b) are electrically connected to the source/drain region of the semiconductor layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法，提供包括该薄膜晶体管的有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过去除残留在半导体层的沟道区域中的金属催化剂来增加电特性。 半导体层（160）位于衬底（100）的表面上，并且包括沟道区（162）和源极/漏极区（161,163）。 栅电极被定位成对应于半导体层的沟道区。 栅极绝缘层（170）位于栅电极和半导体层之间，以使半导体层和栅电极绝缘。 金属层和金属硅化物层位于半导体层的上部（210b.211b）或下部（210a.211a）上。 源极/漏极电极（240a，240b）电连接到半导体层的源极/漏极区域。
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