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公开(公告)号：KR100887139B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070014450
申请日：2007-02-12
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/08
Abstract: 본 발명은 광추출효율이 개선된 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법을 제공한다. 상기 질화물 반도체 발광소자는 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층을 갖는 발광 적층구조물과, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층에 각각 전기적으로 접속되도록 형성된 제1 및 제2 전극패드와, 상기 제2 전극패드 하부에 적어도 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부까지의 깊이를 갖도록 형성된 복수의 홈과, 상기 복수의 홈에 의해 노출된 발광 적층구조물 영역과 상기 제2 전극패드가 전기적으로 절연되도록 상기 복수의 홈 내부면에 형성된 절연막을 포함한다.
광추출효율(light extraction efficiency), 반사층(reflective layer), 질화물 반도체(nitride semiconductor), LED(light emitting diode)-
公开(公告)号：KR100831713B1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：KR1020060108032
申请日：2006-11-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광다이오드에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 일부분에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p
++ 형 질화물 반도체층과, 상기 p
++ 형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드에 관한 것이다.
LED, ITO, p형 전극, 오믹 특성Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管，基板和形成在基板上，形成在n型氮化物半导体层上的一部分的活性层上的n型氮化物半导体层，形成在有源层上的p型氮化物半导体层和 P形成在p型氮化物半导体层上
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公开(公告)号：KR100674709B1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020060002961
申请日：2006-01-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/14
Abstract: A nitride semiconductor device is provided to improve a cladding effect of an N type clad layer structure and to enhance a current spread effect by using an additional N type clad layer with a delta doping layer between an N type clad layer and an active layer. A first N type clad layer(120) is formed on a substrate(100). A second N type clad layer(200) with a predetermined delta doping layer is formed on the first N type clad layer. An active layer(130) is formed on the second N type clad layer. A first P type clad layer(140) is formed on the active layer. A P type electrode(160) is formed on the first P type clad layer. An N type electrode(170) is formed on the first N type clad layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体器件以改善N型覆盖层结构的包层效应，并且通过在N型覆盖层和有源层之间使用具有δ掺杂层的附加N型覆盖层来提高电流扩展效应。 第一N型覆盖层（120）形成在基板（100）上。 在第一N型覆盖层上形成具有预定的δ掺杂层的第二N型覆盖层（200）。 在第二N型覆盖层上形成有源层（130）。 在有源层上形成第一P型覆盖层（140）。 在第一P型覆盖层上形成P型电极（160）。 N型电极（170）形成在第一N型覆盖层上。
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公开(公告)号：KR100664985B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020040085789
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 전자의 터널링이 가능한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
압전필드효과(piezoelectric field effect), 터널링(tunneling), 내부양자효율(internal quantum efficiency)-
公开(公告)号：KR100616596B1
公开(公告)日：2006-08-28
申请号：KR1020040053392
申请日：2004-07-09
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10S438/962 , Y10S438/964
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 질화물 결정 성장을 위한 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 제1 질화물 반도체층과, 상기 p형 제1 질화물 반도체층 상에 형성되며, 절연성 물질로 이루어진 미세구조의 전류확산패턴과, 상기 전류확산패턴이 형성된 상기 p형 제1 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 제2 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
질화물 반도체 소자(nitride semiconductor device), 전류확산(current spreading), 실리콘질화물(silicon nitride: SiNx), 유기금속화학기상증착(MOCVD)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体器件中，氮化物晶体生长形成在基板上的n型氮化物半导体层，和形成在所述层和形成在有源层上的p型，所述第一氮化物半导体层上的n型氮化物半导体有源层 并且，形成在第一p型氮化物半导体层上，由绝缘材料制成，并且其中，所述电流扩散图案是在氮化物半导体层上形成的第一p型p的上方形成的微观结构的电流扩散图案形成第二氮化物半导体 和氮化物半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568298B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020040021802
申请日：2004-03-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 광전자 소자에 사용되는 질화물 반도체에 관한 것이다. 상기 질화물 반도체에서, 기판 상에 n형 클래딩층이 형성되고, 상기 n형 클래딩층 상에는 다중양자우물구조를 갖는 활성층이 형성되고, 상기 활성층 상에 p형 클래딩층이 형성된다. 상기 p형 클래딩층 상에는 p형 캐핑층이 단결정이 성장되지 않는 저온 영역에서 형성되며, 상기 p형 캐핑층의 상면에는 고온 열처리에 의해 나노 치수의 요철 구조가 형성된다. 따라서, 상기 나노 치수의 미세 요철 구조는 질화물 반도체의 내부 반사를 감소시켜 외부양자효율을 개선한다.
질화물 반도체, 광전자 소자, 발광소자, 캐핑층, 요철 구조, 열처리-
公开(公告)号：KR1020050123421A
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020040048077
申请日：2004-06-25
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 상면과 하면을 갖는 양자우물구조의 활성층과, 상기 활성층의 하면에 위치한 제1 도전형 클래드층과, 상기 활성층의 상면에 위치한 제2 도전형 클래드층을 포함하며, 상기 제1 도전형 클래드층은 상기 활성층의 격자상수와 동일하거나 큰 격자상수를 갖는 InAlGaN인 4성분계 질화물 반도체로 이루어지며, 상기 활성층에 가까운 순서로 상기 활성층보다 밴드갭이 큰 제1 질화물 반도체층과, 상기 제1 질화물 반도체층보다 밴드갭이 작은 제2 질화물 반도체층과, 상기 제2 질화물 반도체층보다 밴드갭이 큰 제3 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100814920B1
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：KR1020060104417
申请日：2006-10-26
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride-based semiconductor light emitting structure having a vertical structure is provided to improve an ohmic contact by growing a high-density n-type nitride semiconductor layer on an n-type nitride semiconductor layer wherein the high-density n-type nitride semiconductor layer has a higher doping density than that of the n-type nitride semiconductor layer. A p-type electrode(150) is formed on a structure support layer(200). A p-type nitride semiconductor layer(140) is formed on the p-type electrode. An active layer(130) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. An n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on the active layer. A high-density n-type nitride semiconductor layer(300) is formed on the n-type nitride semiconductor layer, having a higher doping density than that of the n-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode(170) is formed on the high-density n-type nitride semiconductor layer. A transparent electrode(160) can be formed on the entire or a part of the surface of the high-density n-type nitride semiconductor layer in contact with the n-type electrode.
Abstract translation: 提供具有垂直结构的氮化物基半导体发光结构，以通过在n型氮化物半导体层上生长高密度n型氮化物半导体层来改善欧姆接触，其中高密度n型氮化物半导体层 具有比n型氮化物半导体层高的掺杂密度。 在结构支撑层（200）上形成p型电极（150）。 p型氮化物半导体层（140）形成在p型电极上。 在p型氮化物半导体层上形成有源层（130）。 在有源层上形成n型氮化物半导体层（120）。 在n型氮化物半导体层上形成具有比n型氮化物半导体层高的掺杂密度的高密度n型氮化物半导体层（300）。 在高密度n型氮化物半导体层上形成n型电极（170）。 可以在与n型电极接触的高密度n型氮化物半导体层的表面的整个或一部分上形成透明电极（160）。
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公开(公告)号：KR100703096B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050097623
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
Abstract: 정전기 내압이 개선된 고신뢰성 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 질화물 발광 소자는, 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하되, 상기 활성층은 다수의 양자장벽층과 양자우물층을 구비하는 다중 양자우물 구조로 이루어져 있고, 상기 양자장벽층들 중 일부 양자장벽층은 밴드갭 변조된 다층막으로 이루어져 있고, 상기 다층막은, 상기 양자우물층 사이에 개재된 양자장벽층들 중에서 상기 n형 질화물 반도체층에 인접한 1 또는 2개의 일부 양자장벽층 위치에만 형성되어 있다.
질화물 반도체, 발광 소자, LED, 정전기 방전Abstract translation: 本发明提供提高静电耐压的高可靠性氮化物半导体发光元件。 根据本发明的氮化物半导体发光器件，包括：n型氮化物半导体层，有源层和在衬底上依次形成p型氮化物半导体层，所述有源层具有良好的具有多个量子势垒层和量子阱层的多重量子 由结构，量子势垒层，可以由带隙调制多层膜的一些量子势垒层，所述多层膜具有邻近于量子阱层之间的量子势垒层之间的n型氮化物半导体层 仅形成一个或两个量子势垒层位置。
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公开(公告)号：KR100691277B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050078967
申请日：2005-08-26
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 하부 질화갈륨계 반도체층과, 상기 제2 도전형 하부 질화갈륨계 반도체 상에 형성된, MgN계 단결정으로 이루어진 극성변환층과, 상기 극성변환층 상에 형성된 제2 도전형 상부 질화갈륨계 반도체층을 포함하며, 상기 제2 도전형 상부 질화갈륨계 반도체층은 상기 극성변환층에 의해 그 표면이 N극성으로 전환되어 형성되는 다수의 피트로 인해 거친 상면을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화갈륨(GaN), 극성변환층(polarity conversion layer), MgN
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