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公开(公告)号：KR100703091B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050083726
申请日：2005-09-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 발광 효율이 높고 동작 전압이 낮으며 정전기 내성이 높은 고휘도 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명은, 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명 전도성 산화물 다층막을 포함하고, 상기 투명 전도성 산화물 다층막은 전기 전도도가 서로 다른 2층 이상의 투명 전도성 산화막을 포함하되, 상기 투명 전도성 산화물 다층막은 제1 산화막/제2 산화막/제3 산화막의 적층 구조를 포함하고, 상기 제2 산화막의 전기 전도도는 제1 및 제3 산화막의 전기 전도도보다 낮은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다.
질화물, 발광 소자, 동작 전압, 확산Abstract translation: 一种高亮度氮化物半导体发光器件，具有高发光效率，低工作电压和高静电电阻。 本发明中，n型氮化物半导体层顺序地形成在衬底上，有源层和p型氮化物，其包括半导体层和形成在p型氮化物半导体层上的透明导电氧化物的多层膜，所述透明导电氧化物的多层膜具有导电性， 彼此，其包括：透明导电氧化物膜或其它两层，透明导电氧化物的多层膜具有第二氧化膜的导电性，其包括第一氧化物/第二氧化物膜的层叠结构/第三氧化物是在第一和第三 并且氧化膜的电导率低于氮化膜的电导率。
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公开(公告)号：KR100703096B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050097623
申请日：2005-10-17
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
Abstract: 정전기 내압이 개선된 고신뢰성 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 질화물 발광 소자는, 기판 상에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함하되, 상기 활성층은 다수의 양자장벽층과 양자우물층을 구비하는 다중 양자우물 구조로 이루어져 있고, 상기 양자장벽층들 중 일부 양자장벽층은 밴드갭 변조된 다층막으로 이루어져 있고, 상기 다층막은, 상기 양자우물층 사이에 개재된 양자장벽층들 중에서 상기 n형 질화물 반도체층에 인접한 1 또는 2개의 일부 양자장벽층 위치에만 형성되어 있다.
질화물 반도체, 발광 소자, LED, 정전기 방전Abstract translation: 本发明提供提高静电耐压的高可靠性氮化物半导体发光元件。 根据本发明的氮化物半导体发光器件，包括：n型氮化物半导体层，有源层和在衬底上依次形成p型氮化物半导体层，所述有源层具有良好的具有多个量子势垒层和量子阱层的多重量子 由结构，量子势垒层，可以由带隙调制多层膜的一些量子势垒层，所述多层膜具有邻近于量子阱层之间的量子势垒层之间的n型氮化物半导体层 仅形成一个或两个量子势垒层位置。
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公开(公告)号：KR100674835B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050016521
申请日：2005-02-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/209 , H01S5/32316 , H01S5/32325 , H01S5/4087
Abstract: 본 발명은 다파장 반도체 레이저 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 적어도 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 제1 반도체 레이저를 위한 AlGaAs계 에피택셜층 및 Al
x Ga
y In
(1- xy) P(0≤x≤1, 0≤y≤1)로 이루어진 에칭스톱층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 기판의 제2 영역에서 상기 에칭스톱층과 AlGaAs계 에피택셜층을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 기판 상에 n형 GaAs 평탄화 버퍼층과 제2 반도체 레이저를 위한 AlGaInP 에피택셜층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층 상부에 위치한 상기 AlGaInP계 에피택셜층을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층 상부에서 상기 n형 GaAs 평탄화 버퍼층과 상기 에칭스톱층을 순차적으로 제거하는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층과 상기 AlGaInP계 에피택셜층이 분리하는 단계를 포함하는 다파장 반도체 레이저 제조방법을 제공한다.
다파장 반도체 레이저 소자(multi-wavelength semiconductor laser device), GaAs버퍼층(GaAs buffer layer), 에칭스톱층(etching stop layer)-
公开(公告)号：KR100649749B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050100782
申请日：2005-10-25
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to increase internal photon efficiency and brightness of light emitting device by controlling generation of strain in an active layer. An active layer(103) of a multi quantum well structure is formed on an n-type nitride semiconductor layer(101), including a plurality of quantum well layers and a quantum barrier layers. A p-type nitride semiconductor layer(104) is formed on the active layer. The energy bandgap of a quantum well layer adjacent to the n-type nitride semiconductor layer is greater than that of a quantum well layer adjacent to the p-type nitride semiconductor layer. In composition of a quantum well layer adjacent to the n-type nitride semiconductor layer is lower than that of a quantum well layer adjacent to the p-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过控制有源层中的应变的产生来增加发光器件的内部光子效率和亮度。 多量子阱结构的有源层（103）形成在包括多个量子阱层和量子势垒层的n型氮化物半导体层（101）上。 在有源层上形成p型氮化物半导体层（104）。 与n型氮化物半导体层相邻的量子阱层的能带隙大于与p型氮化物半导体层相邻的量子阱层的能带隙。 与n型氮化物半导体层相邻的量子阱层的组成低于与p型氮化物半导体层相邻的量子阱层的组成。
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公开(公告)号：KR100721160B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020050102824
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 교대로 반복하여 다수회 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 전류확산층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.
전류확산층, 전자 이동도, 아세닉(As), 계면활성, 정전기방전(ESD)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100568320B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020040085774
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 2파장 반도체 레이저 소자, 나아가 다파장 반도체 레이저 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 적어도 제1 영역과 제2 영역으로 분리된 상면을 갖는 기판을 마련하는 단계와, 상기 제1 영역만이 개방되도록 상기 기판 상에 제1 유전체 마스크를 형성하는 단계와, 상기 기판의 제1 영역 상에 제1 반도체 레이저를 위한 에피택셜층을 성장시키는 단계와, 상기 제2 영역만이 개방되도록 상기 기판 상에 제2 유전체 마스크를 형성하는 단계와, 상기 기판의 제2 영역 상에 제2 반도체 레이저를 위한 에피택셜층을 성장시키는 단계를 포함하는 다파장 반도체 레이저 제조방법을 제공한다.
2파장 반도체 레이저 소자(two wavelength semiconductor laser device), SAG MOCVD(selective area growth MOCVD), 유전체 마스크(dielectric mask)Abstract translation: 本发明涉及双波长半导体激光装置，更具体地涉及制造多波长半导体激光装置的方法，该方法包括：提供具有分离成至少第一区域和第二区域的上表面的衬底; 在衬底的第一区域上形成用于第一半导体激光器的外延层;以及在衬底上形成第一介质掩模，使得仅第二区域开放 形成第二电介质掩模，并且在衬底的第二区域上生长用于第二半导体激光器的外延层。
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公开(公告)号：KR1020070046301A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020050102824
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 교대로 반복하여 다수회 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 전류확산층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.
전류확산층, 전자 이동도, 아세닉(As), 계면활성, 정전기방전(ESD)Abstract translation: 本发明是一种氮化物涉及一种，在形成半导体器件衬底，n型包覆层的基板上，并且，在n型包覆层的一部分，彼此以顺序的氮化物半导体层交替地具有不同的电子迁移率 重复多次层叠形成在电流扩散层上的多层结构，在所述电流扩散层上形成的活性层的形成，以及形成在有源层上的p型包覆层，所述p型包覆层由 以及形成在其上未形成电流扩散层的p型电极和n型包覆层上的n型电极。
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公开(公告)号：KR100674862B1
公开(公告)日：2007-01-29
申请号：KR1020050078419
申请日：2005-08-25
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01S5/305 , H01S5/3215 , H01S5/3216 , H01S5/32341
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve a light emitting efficiency and to reduce an operation voltage by using an improved multilayer thin film structure as a current spread layer. An N side contact layer(103) is formed on a substrate. A current spread layer(105) is formed on the N side contact layer. An active layer(106) is formed on the current spread layer. A P type clad layer(107) is formed on the active layer. The current spread layer is formed like a multilayer thin film structure. The multilayer thin film structure is composed of first nitride semiconductor layers made of InxGa(1-x)N(0
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过使用改进的多层薄膜结构作为电流扩展层来提高发光效率并降低工作电压。 在基板上形成N侧接触层（103）。 电流扩展层（105）形成在N侧接触层上。 在电流扩展层上形成有源层（106）。 在有源层上形成P型覆盖层（107）。 电流扩展层形成为多层薄膜结构。 多层薄膜结构由由In x Ga（1-x）N（0
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公开(公告)号：KR100674709B1
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020060002961
申请日：2006-01-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/14
Abstract: A nitride semiconductor device is provided to improve a cladding effect of an N type clad layer structure and to enhance a current spread effect by using an additional N type clad layer with a delta doping layer between an N type clad layer and an active layer. A first N type clad layer(120) is formed on a substrate(100). A second N type clad layer(200) with a predetermined delta doping layer is formed on the first N type clad layer. An active layer(130) is formed on the second N type clad layer. A first P type clad layer(140) is formed on the active layer. A P type electrode(160) is formed on the first P type clad layer. An N type electrode(170) is formed on the first N type clad layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体器件以改善N型覆盖层结构的包层效应，并且通过在N型覆盖层和有源层之间使用具有δ掺杂层的附加N型覆盖层来提高电流扩展效应。 第一N型覆盖层（120）形成在基板（100）上。 在第一N型覆盖层上形成具有预定的δ掺杂层的第二N型覆盖层（200）。 在第二N型覆盖层上形成有源层（130）。 在有源层上形成第一P型覆盖层（140）。 在第一P型覆盖层上形成P型电极（160）。 N型电极（170）形成在第一N型覆盖层上。
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公开(公告)号：KR1020060095116A
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：KR1020050016521
申请日：2005-02-28
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/209 , H01S5/32316 , H01S5/32325 , H01S5/4087
Abstract: 본 발명은 다파장 반도체 레이저 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 적어도 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 제1 반도체 레이저를 위한 AlGaAs계 에피택셜층 및 Al
x Ga
y In
(1- xy) P(0≤x≤1, 0≤y≤1)로 이루어진 에칭스톱층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 기판의 제2 영역에서 상기 에칭스톱층과 AlGaAs계 에피택셜층을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 기판 상에 n형 GaAs 평탄화 버퍼층과 제2 반도체 레이저를 위한 AlGaInP 에피택셜층을 순차적으로 성장시키는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층 상부에 위치한 상기 AlGaInP계 에피택셜층을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층 상부에서 상기 n형 GaAs 평탄화 버퍼층과 상기 에칭스톱층을 순차적으로 제거하는 단계와, 상기 AlGaAs계 에피택셜층과 상기 AlGaInP계 에피택셜층이 분리하는 단계를 포함하는 다파장 반도체 레이저 제조방법을 제공한다.
다파장 반도체 레이저 소자(multi-wavelength semiconductor laser device), GaAs버퍼층(GaAs buffer layer), 에칭스톱층(etching stop layer)Abstract translation: 本发明是波长相关的用于制造半导体激光器件中，至少所述第一区域和用于舞台上的第一半导体激光的AlGaAs系外延和，在所述基板上的一种方法是提供一种具有由第二区域隔开的顶表面的衬底 Shay和Al
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