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公开(公告)号：KR1020070113768A
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：KR1020060047480
申请日：2006-05-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014
Abstract: An LED package for a back light unit is provided to maximize the quantity of light generated in a unit area by installing a plurality of LED chips as a three dimensional type in one package wherein the plurality of LED chips are separated from one another by a predetermined interval. A leadframe is made of a pair of lead terminals(120). A part of the leadframe is received in a package(110) having an irradiation window that is opened to irradiate light. A stack-type LED chip is mounted on the leadframe in the package wherein a flip-chip LED(160) and a top emitting LED(170) are sequentially stacked on the surface of the leadframe in the LED chip. The stack-type LED chip is connected to the leadframe by a conduction wire(150). A molding material(140) is filled in the package, protecting the stack-type LED chip and the conduction wire. An adhesion layer can be formed on an interface between the flip-chip LED and the top emitting LED.
Abstract translation: 提供一种用于背光单元的LED封装，以通过在一个封装中安装多个LED芯片作为三维类型来最大化在单位区域中产生的光量，其中多个LED芯片彼此分离预定的 间隔。 引线框由一对引线端子（120）制成。 引线框架的一部分被接收在具有被打开以照射光的照射窗口的封装（110）中。 堆叠式LED芯片安装在封装中的引线框架上，其中倒装芯片LED（160）和顶部发光LED（170）依次堆叠在LED芯片中的引线框架的表面上。 堆叠型LED芯片通过导线（150）连接到引线框架。 成型材料（140）填充在封装中，保护堆叠型LED芯片和导线。 可以在倒装芯片LED和顶部发光LED之间的界面上形成粘附层。
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公开(公告)号：KR100780175B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020060023747
申请日：2006-03-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있고 또한 칩 분리를 안정적으로 수행할 수 있게 하는 발광 다이오드 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법은, 복수의 소자 영역을 갖는 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 순차 적층된 발광 구조물을 형성하는 단계와; 상기 복수의 소자 영역들 간의 경계부에서 상기 n형 반도체층을 식각하여 상기 발광 구조물에 소자 분리용 트렌치를 형성하는 단계와; 상기 소자 분리용 트렌치에서 상기 기판을 절단하여 칩 분리하는 단계를 포함한다. 상기 소자 분리용 트렌치 형성 단계에서, 상기 트렌치 측면에 형성되어 상기 n형 반도체층에 거칠기를 제공하는 요철을 형성한다.
질화물 반도체, 발광 소자, LED, 광 추출 효율-
公开(公告)号：KR100738399B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020060035145
申请日：2006-04-18
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/04
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to maximize an electric conductivity difference between multiple layers by alternatively depositing an n-type nitride semiconductor layer and a c-doped nitride semiconductor layer. An n-type multi-layered film(220) is formed on a substrate(210) by alternatively depositing an n-type nitride semiconductor layer(220a) a nitride semiconductor layer(220b) doped with a p-type impurity. An active layer(230) is formed on the n-type multi-layered film, and a p-type nitride semiconductor layer(240) is formed on the active layer. A p-type electrode(260) is formed on the p-type nitride semiconductor layer, and an n-type electrode(270) is formed on the n-type multi-layered film with no active layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过交替地沉积n型氮化物半导体层和c掺杂氮化物半导体层来使多个层之间的导电率差异最大化。 通过交替地沉积掺杂有p型杂质的n型氮化物半导体层（220a）和氮化物半导体层（220b），在衬底（210）上形成n型多层膜（220）。 在n型多层膜上形成有源层（230），并且在有源层上形成p型氮化物半导体层（240）。 在p型氮化物半导体层上形成p型电极（260），在没有活性层的n型多层膜上形成n型电极（270）。
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公开(公告)号：KR100593912B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040040771
申请日：2004-06-04
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 결정성 및 전기전도성의 저하없이 p형 클래드층의 상부 표면에 나노 치수의 미세 요철 구조를 형성함으로서 광추출효율을 향상시킨 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판의 상부에, 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층과 활성층을 통상의 성장 조건으로 성장 한 후, MgN 계열의 단결정으로 이루어진 극성변환층을 개재하여 제2 도전형 질화갈륨계 반도체층을 성장함으로서, 제2 도전형 질화갈륨계 반도체층의 극성을 N 극성으로 변환 성장시켜, 거친 표면을 얻도록 한 것이다.
질화갈륨계, 발광 소자, 활성층, 극성변환층, MgN-
公开(公告)号：KR100576872B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040074656
申请日：2004-09-17
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L27/15 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 본 발명은 단일 기판 상에 구현된 발광소자와 다이오드를 포함하며 상기 발광소자와 다이오드가 공통의 전극을 사용하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명은, 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 순차적으로 형성되며, 절연성 아이솔레이션에 의해 제1 영역과 제2 영역으로 분리된 활성층 및 p형 질화물 반도체층; 상기 제1 영역의 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층; 상기 오믹콘택층 상에 형성되어 상기 제2 영역의 p형 질화물 반도체층 상으로 연장된 p측 전극; 및 상기 p측 전극과 이격되어 상기 제2 영역의 p형 질화물 반도체 상에 형성되며, 상기 제2 영역의 p형 질화물 반도체층과 활성층을 관통하여 상기 n형 질화물 반도체층에 접속된 n측 전극을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 소자의 크기를 증가시키지 않고 단일 기판 상에 질화물 반도체 발광소자와 다이오드를 동시에 구현하여 정전기로 인한 발광소자의 파손을 방지할 수 있는 효과가 있다.
질화물 반도체 발광소자, LED, ESD, 정전기, 다이오드, 쇼트키(Schottky), pn접합-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060036713A
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020040085789
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, n형 질화물 반도체층, p형 질화물 반도체층 및 상기 p형 질화물 반도체층과 상기 n형 질화물반도체층 사이에 형성되며 양자우물층과 양자장벽층을 갖는 활성층을 포함한 질화물 반도체 소자에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 활성층 사이에 서로 다른 조성을 갖는 제1 질화물반도체층과 제2 질화물반도체층이 적어도 2회 반복하여 형성된 전자방출층을 포함하고, 상기 제1 질화물반도체층은 상기 양자우물층보다 크고 상기 양자장벽층보다 작으며 상기 활성층에 가까울수록 작은 에너지밴드갭을 가지며, 상기 제2 질화물반도체층은 적어도 인접한 제1 질화물반도체층(들)의 에너지밴드갭보다 높은 에너지밴드갭을 가지며, 전자의 터널링이 가능한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.
압전필드효과(piezoelectric field effect), 터널링(tunneling), 내부양자효율(internal quantum efficiency)Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体器件中，在n型氮化物半导体层，p型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层具有量子阱层的有源层和量子势垒层之间形成 在氮化物半导体装置，包括，第一氮化物半导体层和具有n型氮化物半导体层和所述有源层之间的不同组合物中的第二氮化物半导体层包括由至少2倍形成的电子发射层，所述第一 的氮化物半导体层具有第二氮化物半导体层的能带隙可以大于比量子阱层的量子势垒层的至少相邻的第一氮化物半导体层（一个或多个）为少具有在有源层的紧密的小的能量带隙， 具有较高能带隙和能够电子隧穿的厚度的氮化物半导体， 提供字母。
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公开(公告)号：KR1020050096508A
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：KR1020040021905
申请日：2004-03-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/12
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 질소화처리된 상면을 갖는 사파이어 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, MgN계 단결정으로 이루어진 극성변환층과, 상기 극성변환층 상에 형성된 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화갈륨계 반도체층 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화갈륨계 반도체층을 포함한 질화갈륨계 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 질소화처리된 사파이어기판 상에 MgN계 극성변환층을 제공함으로써 후속 성장될 질화갈륨계 반도체층이 Ga극성표면을 갖도록 성장시킬 수 있으며, 종래의 N극성 표면을 갖는 질화갈륨계 반도체층에 비해 우수한 결정성과 표면특성을 갖는 질화갈륨계 반도체층을 제공함으로써, 최종적인 질화갈륨계 발광소자의 특성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR100887139B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070014450
申请日：2007-02-12
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/08
Abstract: 본 발명은 광추출효율이 개선된 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법을 제공한다. 상기 질화물 반도체 발광소자는 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층과 그 사이에 형성된 활성층을 갖는 발광 적층구조물과, 상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층에 각각 전기적으로 접속되도록 형성된 제1 및 제2 전극패드와, 상기 제2 전극패드 하부에 적어도 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 일부까지의 깊이를 갖도록 형성된 복수의 홈과, 상기 복수의 홈에 의해 노출된 발광 적층구조물 영역과 상기 제2 전극패드가 전기적으로 절연되도록 상기 복수의 홈 내부면에 형성된 절연막을 포함한다.
광추출효율(light extraction efficiency), 반사층(reflective layer), 질화물 반도체(nitride semiconductor), LED(light emitting diode)-
公开(公告)号：KR100838755B1
公开(公告)日：2008-06-17
申请号：KR1020060109851
申请日：2006-11-08
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 질화갈륨계 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 제1 n형 GaN층을 형성하는 단계와, 상기 제1 n형 GaN층의 상부 표면을 소정 두께 식각하는 단계와, 상기 식각된 제1 n형 GaN층 상에 재성장 공정을 통해 제2 n형 GaN층을 형성하는 단계와, 상기 제2 n형 GaN층 상에 활성층을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상에 p형 GaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
GaN, 결정성장, 격자정합-
公开(公告)号：KR100831713B1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：KR1020060108032
申请日：2006-11-02
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 발광다이오드에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층 상의 일부분에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p
++ 형 질화물 반도체층과, 상기 p
++ 형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극 및 상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광다이오드에 관한 것이다.
LED, ITO, p형 전극, 오믹 특성Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管，基板和形成在基板上，形成在n型氮化物半导体层上的一部分的活性层上的n型氮化物半导体层，形成在有源层上的p型氮化物半导体层和 P形成在p型氮化物半导体层上
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