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    질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
    1.
    发明授权
    질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 失效
    氮化物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR100905859B1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：KR1020070132482

    申请日：2007-12-17

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 박성은 ,  박영민

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

    Abstract: 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법이 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, 질화물 단결정 성장용 기판 상에 질화물 단결정 베이스층을 형성하는 단계, 질화물 단결정 베이스층 상에 다수의 윈도우 영역을 갖는 절연 패턴층을 형성하는 단계, 윈도우 영역에 노출된 상기 질화물 단결정 베이스층 상면 영역에 육각 피라미드 구조의 제1 질화물 단결정층을 성장시키는 단계, 제1 질화물 단결정층과 상이한 굴절률을 가지며, 육각 피라미드 구조의 제1 질화물 단결정층 사이의 공간을 충진시켜 평탄한 면을 가지는 제2 질화물 단결정층을 형성하는 단계, 제2 질화물 단결정층 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계, 질화물 단결정 성장용 기판, 질화물 단결정 베이스층 및 상기 절연 패턴층을 제거하여 제1 질화물 단결정층의 일 면에 요철 패턴을 형성하는 단계, 제1 질화물 단결정층 상에 제1 전극을 형성하는 단계 및 발광구조물 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
    발광소자, 육각 피라미드, 요철 패턴, GaN

    질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
    2.
    发明公开
    질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 失效
    氮化物半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020080079538A

    公开(公告)日：2008-09-01

    申请号：KR1020070019864

    申请日：2007-02-27

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 박영민 ,  오방원 ,  박길한 ,  김민호 ,  한재웅 ,  이성숙 ,  최락준 ,  박희석 ,  박성은

    IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04

    Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of light extraction by forming a self-assembled quantum dot layer having a plurality of protruded quantum dots. An n-type semiconductor substrate(102), an active layer(103), and a p-type nitride semiconductor layer(104) are formed on a substrate(101) in turn. A self-assembled quantum dot layer(110) having a plurality of protruded quantum dots is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The self-assembled quantum dot layer has a refractive index greater than that of the p-type nitride semiconductor layer. The self-assembled quantum dot layer is made of InGaN. A diameter of the quantum dot in the self-assembled quantum dot layer is 5 to 50 nm, and a height thereof is 1 to 10 nm. Distribution density of the quantum dot in the self-assembled quantum dot layer is 1X10^8 to 1X10^12 cm^-2.

    Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，通过形成具有多个突出量子点的自组装量子点层来提高光提取的效率。 依次在基板（101）上形成n型半导体基板（102），有源层（103）和p型氮化物半导体层（104）。 在p型氮化物半导体层上形成具有多个突出量子点的自组装量子点层（110）。 自组装量子点层的折射率大于p型氮化物半导体层的折射率。 自组装量子点层由InGaN制成。 自组装量子点层中的量子点的直径为5〜50nm，高度为1〜10nm。 自组装量子点层中量子点的分布密度为1×10 ^ 8〜1×10 ^ 12cm ^ -2。

    질화물 반도체 소자
    3.
    发明公开
    질화물 반도체 소자 有权
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号：KR1020080060053A

    公开(公告)日：2008-07-01

    申请号：KR1020060134120

    申请日：2006-12-26

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 박성은 ,  김민호 ,  한재웅

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04

    CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3416 ,  H01S5/34333

    Abstract: A nitride semiconductor device is provided to improve a recombination efficiency of electron-hole by effectively interrupting an electron introduced in a p-type nitride semiconductor layer. An active layer(15) alternatively stacked with plural quantum barrier layers(15b,15b') and quantum well layer(15a) is formed between an n-type nitride semiconductor layer(12) and a p-type nitride semiconductor layer(17). The active layer is formed in a super lattice structure having a thickness in such a way that a carrier introduced from the p- and n-type nitride semiconductor layers tunnels through the quantum barrier layer. At least one of the quantum barrier layers has an energy band gap larger than that of other quantum barrier layer.

    Abstract translation: 提供氮化物半导体器件以通过有效地中断在p型氮化物半导体层中引入的电子来提高电子 - 空穴的复合效率。 在n型氮化物半导体层（12）和p型氮化物半导体层（17）之间形成有层叠有多个量子势垒层（15b，15b'）和量子阱层（15a）的有源层（15） 。 有源层形成为超晶格结构，其具有使从p型和n型氮化物半导体层引入的载流子穿过量子势垒层的厚度。 至少一个量子势垒层具有比其它量子势垒层大的能带隙。

    반도체 단결정 및 반도체 발광소자 제조방법
    4.
    发明公开
    반도체 단결정 및 반도체 발광소자 제조방법 失效
    半导体单晶和半导体发光器件的制造方法

    公开(公告)号：KR1020080050168A

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：KR1020060121047

    申请日：2006-12-01

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 박성은 ,  오방원 ,  박길한

    IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02

    Abstract: A method for manufacturing a semiconductor single crystal and a semiconductor light emitting device are provided to prevent a laser from reaching a semiconductor single crystal layer by using a DBR(Distributed Bragg Reflector) structure. A substrate(21) for a single crystal growth is prepared. A sacrificial layer(23) is grown on the substrate. Two kinds of single crystal layers, which have different refractive indexes, are laminated in turn on the sacrificial layer to form a DBR(Distributed Bragg Reflector) structure(25). A semiconductor single crystal layer(26) is formed on the DBR structure. The sacrificial layer is removed by irradiating a laser to separate the substrate from the DBR structure. The semiconductor single crystal layer is made of nitride. The substrate for a single crystal growth is a GaN substrate. An undoped first GaN layer(22) is grown on the substrate after the substrate prepared before the sacrificial layer is grown.

    Abstract translation: 提供一种制造半导体单晶和半导体发光器件的方法，以通过使用DBR（分布式布拉格反射器）结构来防止激光到达半导体单晶层。 制备用于单晶生长的衬底（21）。 在衬底上生长牺牲层（23）。 具有不同折射率的两种单晶层依次层叠在牺牲层上以形成DBR（分布式布拉格反射器）结构（25）。 在DBR结构上形成半导体单晶层（26）。 通过照射激光将衬底与DBR结构分离来去除牺牲层。 半导体单晶层由氮化物制成。 用于单晶生长的衬底是GaN衬底。 在牺牲层生长之前制备的衬底之后，在衬底上生长未掺杂的第一GaN层（22）。

    인쇄회로기판 및 그 제조방법
    6.
    发明授权
    인쇄회로기판 및 그 제조방법 失效
    印刷电路板及其制造方法

    公开(公告)号：KR100771293B1

    公开(公告)日：2007-10-29

    申请号：KR1020050106102

    申请日：2005-11-07

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 김상욱 ,  박성은 ,  박상태 ,  엄후식 ,  김영선

    IPC: H05K3/24 ,  H05K3/46

    CPC classification number: H05K3/4647 ,  H05K3/064 ,  H05K3/281 ,  H05K3/421

    Abstract: A printed circuit board and a manufacturing method thereof are provided to form easily a micro circuit pattern by minimizing an amount of etching on a plating layer, when an unnecessary seed layer is removed. A printed circuit board includes a base substrate, an outerlayer circuit pattern(180), and a solder resist pattern(190). At least one inner circuit pattern is formed inside an insulation layer in the base substrate. The outerlayer circuit pattern is formed on at least one surface of the base substrate and electrically connected to the innerlayer circuit pattern. The outerlayer circuit pattern includes a metal layer and a metal protective layer which is formed on the metal layer. The solder resist pattern is formed on the outerlayer circuit pattern such that at least a portion of the outerlayer circuit pattern is exposed. Different etching conditions are applied on the metal protective layer and the metal layer.

    Abstract translation: 提供印刷电路板及其制造方法，以便在不需要的种子层被去除时，通过最小化镀层上的蚀刻量来容易地形成微电路图案。 印刷电路板包括基底基板，外层电路图案（180）和阻焊剂图案（190）。 至少一个内部电路图案形成在基底衬底中的绝缘层的内部。 外层电路图案形成在基底基板的至少一个表面上并与内层电路图形电连接。 外层电路图案包括形成在金属层上的金属层和金属保护层。 在外层电路图案上形成阻焊图案，使得外层电路图案的至少一部分露出。 在金属保护层和金属层上施加不同的蚀刻条件。

    발광소자용 반도체 기판 및 그 제조 방법
    9.
    发明公开
    발광소자용 반도체 기판 및 그 제조 방법 失效
    用于发光装置的半导体基板及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090061145A

    公开(公告)日：2009-06-16

    申请号：KR1020070128021

    申请日：2007-12-11

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 박성은 ,  박영민 ,  이정욱

    IPC: H01L33/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/08

    Abstract: A semiconductor substrate for a light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve crystallinity of a nitride monocrystalline layer by forming the nitride monocrystalline layer of a pyramid structure on an insulation layer including a plurality of window regions. A first nitride monocrystalline layer(120) is formed on a sapphire substrate(110). A first insulation layer(130) is formed on the first nitride monocrystalline layer. A plurality of window regions is included on the first nitride monocrystalline layer. A second nitride monocrystalline layer(140) is formed on the first insulation layer, and includes a top surface and a bottom surface. The top surface is smaller than the bottom surface. A second insulation layer(150) is formed on a top surface of the second nitride monocrystalline layer. A third nitride monocrystalline layer(160) is formed on a side of the second nitride monocrystalline layer and a top surface of the second insulation layer. The second insulation layer includes a pattern of the same size as a plurality of window regions.

    Abstract translation: 提供一种用于发光器件的半导体衬底及其制造方法，用于通过在包括多个窗口区域的绝缘层上形成金字塔结构的氮化物单晶层来改善氮化物单晶层的结晶度。 第一氮化物单晶层（120）形成在蓝宝石衬底（110）上。 第一绝缘层（130）形成在第一氮化物单晶层上。 在第一氮化物单晶层上包括多个窗口区域。 第二氮化物单晶层（140）形成在第一绝缘层上，并且包括顶表面和底表面。 顶面小于底面。 第二绝缘层（150）形成在第二氮化物单晶层的顶表面上。 第三氮化物单晶层（160）形成在第二氮化物单晶层的侧面和第二绝缘层的顶表面上。 第二绝缘层包括与多个窗口区域相同尺寸的图案。

    수직구조 반도체 발광소자 제조방법
    10.
    发明授权
    수직구조 반도체 발광소자 제조방법 失效
    垂直半导体发光装置的制造方法

    公开(公告)号：KR100887111B1

    公开(公告)日：2009-03-04

    申请号：KR1020070044144

    申请日：2007-05-07

    Applicant: 삼성전기주식회사

    Inventor： 박성은 ,  박희석 ,  박영민 ,  박기호

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  B82Y20/00

    Abstract: 본 발명은 반도체 단결정 및 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이며, 본 발명의 일 실시 형태는, 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계와, 상기 단결정 성장용 기판 상에 나노 사이즈의 공극을 갖는 다공성 중간층을 성장시키는 단계와, 상기 다공성 중간층 상에 상기 공극을 채우도록 제1 도전형 반도체층을 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 순차적으로 활성층, 제2 도전형 반도체층을 성장시키는 단계와, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 도전성 지지기판을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 반도체층이 나노패턴의 노출면을 갖도록 상기 단결정 성장용 기판 및 다공성 중간층을 제거하는 단계 및 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역 중 일부 영역에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
    본 발명에 따르면, 광추출효율을 향상시키기 위한 나노사이즈의 요철 패턴을 보다 용이하게 형성할 수 있는 수직구조 반도체 발광소자의 제조방법을 얻을 수 있다.
    수직구조, 발광소자, 다공성, SiN, 광추출효율, 요철, LED, 질화물, 자발 성장, 나노사이즈

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