公开(公告)号：KR100721160B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020050102824

申请日：2005-10-31

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 강상원 ,  김선운 ,  송근만 ,  이동율 ,  김제원

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 교대로 반복하여 다수회 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 전류확산층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.
전류확산층, 전자 이동도, 아세닉(As), 계면활성, 정전기방전(ESD)

公开(公告)号：KR100649749B1

公开(公告)日：2006-11-27

申请号：KR1020050100782

申请日：2005-10-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이동율 ,  강상원 ,  송근만 ,  김제원 ,  홍상수

IPC: H01L33/06

Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to increase internal photon efficiency and brightness of light emitting device by controlling generation of strain in an active layer. An active layer(103) of a multi quantum well structure is formed on an n-type nitride semiconductor layer(101), including a plurality of quantum well layers and a quantum barrier layers. A p-type nitride semiconductor layer(104) is formed on the active layer. The energy bandgap of a quantum well layer adjacent to the n-type nitride semiconductor layer is greater than that of a quantum well layer adjacent to the p-type nitride semiconductor layer. In composition of a quantum well layer adjacent to the n-type nitride semiconductor layer is lower than that of a quantum well layer adjacent to the p-type nitride semiconductor layer.

Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过控制有源层中的应变的产生来增加发光器件的内部光子效率和亮度。 多量子阱结构的有源层（103）形成在包括多个量子阱层和量子势垒层的n型氮化物半导体层（101）上。 在有源层上形成p型氮化物半导体层（104）。 与n型氮化物半导体层相邻的量子阱层的能带隙大于与p型氮化物半导体层相邻的量子阱层的能带隙。 与n型氮化物半导体层相邻的量子阱层的组成低于与p型氮化物半导体层相邻的量子阱层的组成。

公开(公告)号：KR1020070046301A

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：KR1020050102824

申请日：2005-10-31

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 강상원 ,  김선운 ,  송근만 ,  이동율 ,  김제원

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층과, 상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 교대로 반복하여 다수회 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 전류확산층과, 상기 전류확산층 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층과, 상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극 및 상기 전류확산층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.
전류확산층, 전자 이동도, 아세닉(As), 계면활성, 정전기방전(ESD)

Abstract translation: 本发明是一种氮化物涉及一种，在形成半导体器件衬底，n型包覆层的基板上，并且，在n型包覆层的一部分，彼此以顺序的氮化物半导体层交替地具有不同的电子迁移率 重复多次层叠形成在电流扩散层上的多层结构，在所述电流扩散层上形成的活性层的形成，以及形成在有源层上的p型包覆层，所述p型包覆层由 以及形成在其上未形成电流扩散层的p型电极和n型包覆层上的n型电极。

公开(公告)号：KR100674862B1

公开(公告)日：2007-01-29

申请号：KR1020050078419

申请日：2005-08-25

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 송근만 ,  이동율 ,  김선운 ,  김제원

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/32341

Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve a light emitting efficiency and to reduce an operation voltage by using an improved multilayer thin film structure as a current spread layer. An N side contact layer(103) is formed on a substrate. A current spread layer(105) is formed on the N side contact layer. An active layer(106) is formed on the current spread layer. A P type clad layer(107) is formed on the active layer. The current spread layer is formed like a multilayer thin film structure. The multilayer thin film structure is composed of first nitride semiconductor layers made of InxGa(1-x)N(0

Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件以通过使用改进的多层薄膜结构作为电流扩展层来提高发光效率并降低工作电压。 在基板上形成N侧接触层（103）。 电流扩展层（105）形成在N侧接触层上。 在电流扩展层上形成有源层（106）。 在有源层上形成P型覆盖层（107）。 电流扩展层形成为多层薄膜结构。 多层薄膜结构由由In x Ga（1-x）N（0

公开(公告)号：KR100650279B1

公开(公告)日：2006-11-27

申请号：KR1020050081144

申请日：2005-09-01

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 황석민 ,  김현경 ,  이동율 ,  홍상수 ,  신옥희 ,  한재호

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: An LED device is provided to prevent the loss of light emitted from an LED chip by mounting horizontally the LED chip in a package using a socket type lead terminal with a predetermined groove. An LED device includes a lead frame, a package, an LED chip, a reflective member, and a molding material. The lead frame has a pair of socket type lead terminals with predetermined grooves. The package(20) is made of a synthetic resin material to hold partially the lead frame. The LED chip(60) is inserted into the predetermined groove of the lead terminal. The reflective member is formed along an inner surface of the package. The molding material(80) is filled in the package to protect the LED chip.

Abstract translation: 提供LED器件以通过使用具有预定凹槽的插座型引线端子将LED芯片水平地安装在封装中来防止从LED芯片发射的光的损失。 一种LED器件包括引线框架，封装，LED芯片，反射构件和成型材料。 引线框架具有一对具有预定凹槽的插座型引线端子。 包装（20）由合成树脂材料制成以部分地保持引线框架。 LED芯片（60）插入到引线端子的预定凹槽中。 反射构件沿着包装的内表面形成。 模制材料（80）填充在封装中以保护LED芯片。