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公开(公告)号：KR1020150014707A
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130090279
申请日：2013-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C5/025 , G11C7/06 , G11C7/14 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1693
Abstract: 자기 랜덤 억세스 메모리 등과 같은 불휘발성 메모리 장치에 사용하기 적합한 전류 센스앰프 회로가 개시된다. 그러한 전류 센스앰프 회로에서 센싱을 위한 기준 메모리 셀은 별도로 만들어질 필요 없이 노말 메모리 셀과 동일한 메모리 셀로써 구현된다. 본 발명에 따른 전류 센스앰프 회로는 공유결합된 제1,2 크로스 커플 차동 증폭기들로 이루어져, 센싱 기준 전류의 생성을 위한 전류 미러링 동작 없이, 메모리 셀의 센싱 노드에 흐르는 전류를 기준 센싱 노드들에 흐르는 전류와 직접적으로 비교한다.
Abstract translation: 电流传感器放大器电路技术领域本发明涉及一种适用于诸如磁性随机存取存储器的非易失性存储器件中使用的电流传感器放大器电路。 用于电流传感器放大器电路中的感测操作的参考存储单元可以利用等同于正常存储单元的存储单元来实现，而不使用单独的类型。 根据本发明的电流传感器放大器电路包括共价连接在一起的第一和第二交叉耦合差分放大器。 因此，本发明可以直接比较流过存储器单元的感测节点的电流与流过参考感测节点的电流而不进行电流镜像操作，以产生感测参考电流。
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公开(公告)号：KR1020140011162A
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020120078033
申请日：2012-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/10 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/165 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C29/32 , G11C29/34 , G11C2029/2602
Abstract: A semiconductor memory device includes a memory cell array including a plurality of STT-MRAM cells, a mode register set for setting a test mode, and a test circuit for performing a test which is set by the mode register set. Each STT-MRAM cell includes an MTJ element which includes a free layer, a tunnel layer and a fixed layer, and a cell transistor. A gate of the cell transistor is connected to a word line. One electrode of the cell transistor is connected to a bit line through the MTJ element. The other electrode of the cell transistor is connected to a source line.
Abstract translation: 一种半导体存储器件包括：包括多个STT-MRAM单元的存储单元阵列，用于设置测试模式的模式寄存器，以及用于执行由模式寄存器组设置的测试的测试电路。 每个STT-MRAM单元包括包括自由层，隧道层和固定层的MTJ元件和单元晶体管。 单元晶体管的栅极连接到字线。 单元晶体管的一个电极通过MTJ元件连接到位线。 单元晶体管的另一个电极连接到源极线。
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公开(公告)号：KR1020130129046A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120058810
申请日：2012-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C5/025 , G11C11/1697 , H01L27/222 , H01L43/08
Abstract: The present invention provides a semiconductor memory device having a plurality of STT-MRAM cells. The semiconductor memory device according to one embodiment of the present invention comprises: a cell array which includes at least one bank group, wherein each bank group includes a plurality of banks, wherein each bank includes a plurality of STT-MRAM cells; a source voltage generator which supplies voltage to source lines connected to the STT-MRAM cell; and a command decoder which decodes commands from the outside so as to perform read and write operations in the STT-MRAM cell, wherein the STT-MRAM cell includes an MTJ device having a free layer, a tunnel layer, and a pinned layer sequentially laminated, and a cell transistor, wherein a gate of the cell transistor is connected to a word line, wherein one electrode of the cell transistor is connected to a bit line through the MTJ device, wherein the other electrode of the cell transistor is connected to the source line.
Abstract translation: 本发明提供一种具有多个STT-MRAM单元的半导体存储器件。 根据本发明的一个实施例的半导体存储器件包括：单元阵列，其包括至少一个组组，其中每个组组包括多个存储体，其中每个存储体包括多个STT-MRAM单元; 源电压发生器，其向连接到STT-MRAM单元的源极线提供电压; 以及命令解码器，其对来自外部的命令进行解码，以在STT-MRAM单元中执行读和写操作，其中STT-MRAM单元包括具有自由层，隧道层和钉扎层的MTJ器件， 以及单元晶体管，其中，所述单元晶体管的栅极连接到字线，其中所述单元晶体管的一个电极通过所述MTJ器件连接到位线，其中所述单元晶体管的另一个电极连接到 源线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130128688A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120052594
申请日：2012-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: A magnetic memory device, a memory module installing same and a memory system are disclosed. The magnetic memory device includes magnetic memory cells switching to one among at least two states according to a magnetization direction, and includes a mode register for supporting a plurality of operational options of the magnetic memory device. The memory module includes a module board, at leat one magnetic memory device chip installed on the module board, and a buffer chip installed on the module board for managing operation of the magnetic memory device chip. The memory system includes a memory controller communicating with the magnetic memory device and transceives electrophotic conversion signals or photoelectric conversion signals via an photocoupler coupled between the magnetic memory device and the memory controller.
Abstract translation: 公开了磁存储器件，安装它的存储器模块和存储器系统。 磁存储器件包括根据磁化方向切换至少两种状态之一的磁存储器单元，并且包括用于支持磁存储器件的多个操作选项的模式寄存器。 存储器模块包括安装在模块板上的一个磁存储器件芯片的模块板和安装在模块板上用于管理磁存储器件芯片的操作的缓冲芯片。 存储器系统包括与磁存储器件通信的存储器控制器，并且经由耦合在磁存储器件和存储器控制器之间的光电耦合器收发电泳转换信号或光电转换信号。
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公开(公告)号：KR1020130087805A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：KR1020120008972
申请日：2012-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W72/04 , H04W28/06 , H04W36/00 , H04W72/0453 , H04W88/08 , H04W88/085
Abstract: PURPOSE: A multi-step base station device and an operating method thereof are provided to operate a plurality of sub base stations as one base station by connecting the sub base station with each other. CONSTITUTION: A plurality of sub base stations (311-313) takes one or more frequency assignments (FA) for one or more sectors. Each of remote devices (331-339) performs wireless communication for a random sector. A wireless resource expanding device (320) receives downlink data from each of the sub base stations. The wireless resource expanding device extracts an FA of the same sector from the downlink data. The wireless resource expanding device remaps the extracted FA by recombining the FA with the same sector. The wireless resource expanding device transmits the remapped FA to each remote device for the sectors. [Reference numerals] (311) Sub base station A; (312) Sub base station B; (313) Sub base station C; (320) Wireless resource expanding device; (331) Wireless remote device 1 sector 0; (339) Wireless remote device 9 sector 8
Abstract translation: 目的：提供一种多步基站装置及其操作方法，通过将子基站相互连接来操作多个子基站作为一个基站。 构成：多个子基站（311-313）为一个或多个扇区采取一个或多个频率分配（FA）。 每个远程设备（331-339）对随机扇区执行无线通信。 无线资源扩展装置（320）从每个子基站接收下行数据。 无线资源扩展装置从下行链路数据中提取同一扇区的FA。 无线资源扩展装置通过将FA与同一扇区重新组合来重新提取提取的FA。 无线资源扩展装置向扇区的每个远程设备发送重映射的FA。 （311）子基站A; （312）子基站B; （313）子基站C; （320）无线资源扩展装置; （331）无线远程设备1扇区0; （339）无线远程设备9扇区8
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公开(公告)号：KR1020010103273A
公开(公告)日：2001-11-23
申请号：KR1020000024613
申请日：2000-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강동석
IPC: G06Q50/10
CPC classification number: H04L65/4084 , H04L29/06027 , H04L51/00 , H04L67/02 , H04L67/26
Abstract: 본 발명은 동기 멀티미디어 통합언어 포맷을 이용한 전자 음악 배급 서비스 시스템 및 그 방법을 개시한다.
네트워크 환경에서 전자 음악 배급(EMD) 서비스 시스템은, 네트워크를 통해 접속된 사용자 단말기기의 웹 브라우저로부터 동기 멀티미디어 통합 언어(SMIL) 포맷을 이용하여 생성된 멀티미디어 파일을 업로드받고, 그에 대응하는 하이퍼텍스트 표시언어(HTML) 파일을 생성하여 사용자가 웹 브라우저를 통해 액세스가능하도록 웹 페이지로 디스플레이하는 웹 서버; 업로드된 멀티미디어 파일 및 대응하는 하이퍼텍스트 표시언어 파일을 저장하는 파일 데이터베이스; 및 웹 페이지에 접속한 웹 브라우저로부터 요구된 멀티미디어 파일을 파일 데이터베이스를 검색하여 스트리밍 서비스로 제공하는 스트리밍 서버를 구비한다.
본 발명에 의해 사용자가 직접 제작한 SMIL 파일을 다른 사용자들에게 용이하게 알릴 수 있도록 하며, SMIL 파일을 스트리밍 서비스함으로써 기존의 뮤직만으로 충족시키지 못했던 사용자의 욕구를 충족시키고, 네트워크를 통해 사용자로 하여금 자신만의 디지탈 앨범 등을 제작하여 재생할 수 있도록 하는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR100225125B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960051426
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B17/02
Abstract: 본 발명은 수송수단용 광디스크플레이어의 매거진고정장치에 관한 것으로, 광디스크플레이어의 상부에 구비된 고정구에 유동방지편의 절곡부에 형성한 고정홀을 삽입하고, 유동방지편의 후방에 구성한 걸림홈을 걸림돌기에 걸어서 광디스크플레이어의 상부에 고정시키며, 광디스크플레이어 상부의 소정부위에 형성한 삽입홀에 유동방지편의 만곡부를 위치시켜 매거진이 삽입될 때 매거진에 유동방지편이 접하도록 함으로써, 매거진을 상부에서 하부로 내리누르도록 하여 수송수단의 유동에도 탄력적으로 대응할 수 있도록 하고, 매거진의 이탈 및 삽입이 원할하게 되며, 유동방지편이 매거진에 접하는 면적을 넓게 하여 보다 안정적으로 매거진을 고정시키도록 하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980031865A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051428
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B17/02
Abstract: 본 발명은 수송수단용 광디스크플레이어에 관한 것으로, 광디스크플레이어의 회전기어가 회전하여 척킹캠을 작동시키는 소정부위에 유동방지수단을 형성하되 인쇄회로기판의 상부에 고정되도록 한 것으로, 상기 유동방지수단에 전방으로 두개의 조각편을 형성하고, 상기 조각편 중 일측을 절곡한 누름부를 형성하여 다른 조각편인 받침부와 소정의 높이를 두고 양측면이 마주 보도록 함으로써 척킹캠이 회전기어에 의하여 작동할 때에 발생하는 유동을 소정부위에서 척킹캠의 상부와 하부를 눌러주어 유동이 방지되도록 하며, 유동방지수단의 후방으로 일측을 측면으로 길게 돌출시켜 와이어접촉부를 형성함으로써, 인쇄회로기판에서 다른기기로 연결된 와이어를 외부기기가 접하지 않도록 와이어접촉부가 상부에서 눌러주어 와이어를 보호하도록 하는 것이다.
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