Abstract:
사용자의 음성에 의해 제품의 동작을 조작할 수 있는 가전제품을 개시한다. 가전제품은 외관을 형성하는 본체, 사용자의 음성을 감지하기 위하여 상기 본체의 전방을 향하도록 배치되는 적어도 하나의 감지부를 포함하는 마이크로폰 유닛, 상기 마이크로폰 유닛과 소정거리 이격되게 배치되는 스피커 유닛을 포함한다.
Abstract:
개시된 실시예는, 색상, 이미지 또는 텍스트와 같이 의류에 구현되는 디자인들이 변경 가능한 스마트 의류를 제공한다. 또한, 스마트 의류에 구현하고자 하는 다양한 디자인을 제공하는 서버와 서버로부터 다양한 디자인을 수신하여 스마트 의류로 전달함으로써 스마트 의류의 디자인을 변경할 수 있는 사용자 단말을 포함하는 시스템을 제공한다. 개시된 실시예에 따른 시스템은 스마트 의류에 대한 디자인 데이터 베이스를 포함하는 서버; 상기 서버로부터 상기 스마트 의류에 대한 디자인을 다운로드하는 사용자 단말; 및 상기 사용자 단말로부터 전송된 디자인을 구현하는 스마트 의류;를 포함한다.
Abstract:
개시된 실시예는, 정보표시 기능과 거울 기능을 수행할 수 있는 디스플레이 장치를 제공한다. 또한, 장치가 턴 오프된 상태에서 오브젝트를 표시하는 디스플레이 장치를 제공한다. 또한, 콜레스테릭 액정표시소자의 전극 사이의 공간에 마련된 격벽을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 또한, 콜레스테릭 액정을 사용하여 시인성이 향상된 투명 디스플레이 장치를 제공한다. 개시된 실시예에 따른 디스플레이 장치는 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널의 전면에 마련되고, 상기 디스플레이 패널의 구동이 종료되면 미리 정해진 오브젝트를 표시하는 보조패널;을 포함한다.
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A memory system includes a memory controller including a control unit to generate a control signal; a magneto-resistive random access memory (MRAM) cell array including MRAM cells; and an MRAM including control and voltage generation units which generate a driving voltage to drive the MRAM cells. The control and voltage generation units are synchronized to the control signal to generate the driving voltage.
Abstract:
The present invention relates to a device for repairing a memory cell on a memory system and an operation method thereof. A test device detects a fail address by testing a memory device according to a test command and temporarily saves the fail address into a fail address memory (FAM). After transmitting the fail address to the memory device according to a fail address transmission command and temporarily saving the fail address into the temporary FAM of the memory device, the fail address is stored in an anti-fuse array which is a non-volatile memory device. After reading the stored data to secure reliability of the data, the verification result value is transmitted to the test device via a test pin in serial or in parallel.
Abstract:
The present invention relates to a virtual device control method for controlling a virtual device by a computing device including a non-volatile memory. The virtual device control method of the present invention comprises the steps of: receiving a virtualization request; assigning a first portion of a non-volatile memory to a virtual memory; assigning a second portion of the non-volatile memory to a virtual storage; and generating a virtual device including the assigned virtual memory and the assigned virtual storage.
Abstract:
The present invention relates to a memory module and a memory system including a magnetic random access memory. The magnetic random access memory (MRAM) includes magnetic memory cells which are converted between the states along with a magnetization direction and an interface unit for providing various interface functions. The memory module includes a module board, one or more MRAM chips mounted on the module board, and a buffer chip for managing the operation of the MRAM chip mounted on the module board. The memory system includes a memory controller communicating with the MRAM and transmits and receives an electricity-light conversion signal or a light-electricity conversion signal using an optical connecting device connected between the MRAM and the memory controller.
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메모리 셀 어레이 층들과 독립적인 연결 층을 갖는 적층 구조의 반도체 메모리 장치가 개시된다. 반도체 메모리 장치는 기능 회로를 갖는 반도체 기판, 복수의 메모리 셀 어레이 층, 및 적어도 하나의 연결 층을 포함한다. 메모리 셀 어레이 층들은 상기 반도체 기판 위에 적층되어 있다. 연결층들은 상기 메모리 셀 어레이 층과 독립적으로 반도체 기판의 상부에 적층되어 있고, 메모리 셀 어레이 층들에 배열되어 있는 메모리 셀 선택 라인들을 기능 회로와 전기적으로 연결한다. 따라서, 반도체 메모리 장치는 적층 과정에서 높은 유연성을 갖는다.