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公开(公告)号：KR100589471B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1019980049908
申请日：1998-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136 , G02F1/1335
Abstract: 흡광이 버스 라인이 형성된 하부판에서 이루어지도록 반사화소의 구조를 변경하고, 반사 화소 사이의 버스 라인에 의한 빛 반사 현상을 제거하기 위하여 반사판 하부에 버스 라인을 배치한 반사형 액정 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 반사 화소 영역 별로 컬러 필터가 형성된 상부 기판과, 소정 버스 라인들이 투명 기판 상에 패터닝되고, 그 상부에 유기 절연막이 형성되며, 유기 절연막 상에 상기 컬러 필터에 대응되는 위치에 소정 형상의 반사막이 패터닝된 하부 기판 및 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 주입되어 봉합되는 액정을 구비하여 이루어지고, 상기 버스 라인들의 패턴은 상기 반사막 하부에 형성된다.
따라서, 버스 라인들이 반사판 하부에 형성됨으로써 반사 화소 사이의 버스 라인에 의한 빛 반사 현상이 방지되며, 블랙 매트릭스가 제거된 흡광 구조를 가짐으로써 반사 화소의 유효 반사면이 증가되는 효과가 있고, 공정이 간소화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100601194B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1019990022989
申请日：1999-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
Abstract: 본 발명은 1매의 마스크를 사용하여 요철 구조의 표면 및 콘택홀 형성을 가능하게 하는 반사형 액정표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 반사형 액정표시장치는 제1 절연기판, 제2 절연기판, 액정층을 포함한다. 제1 절연기판은 투명전극이 형성되고, 제2 절연기판은 게이트 라인과 데이터 라인에 연결된 스위칭 소자와, 스위칭 소자와 전기적으로 연결되며, 불규칙적으로 형성된 돌기들과 돌기들의 경계에 일정폭을 갖는 복수의 골들이 형성된 반사전극을 포함한다. 액정층은 제1 절연기판의 투명전극과, 제2 절연기판의 반사전극 사이에 배치된다.
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公开(公告)号：KR100286978B1
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1019990007093
申请日：1999-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
Abstract: 본발명은반사효율을높일수 있는반사형액정표시기및 그의제조방법을개시한다. 본발명의반사형액정표시장치는, 반사전극의돌기가불규칙한모양의다각형으로배치되고, 그돌기사이의폭은일정하다. 이처럼, 각방향에서돌기의크기가불규칙한요철구조를갖고, 또한평평한영역이최대한감소하므로, 광효율이높으며, 깊은요부에의한배향의불균일성이최소화된다.
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公开(公告)号：KR1020010017383A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990032870
申请日：1999-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
Abstract: PURPOSE: A transflective liquid crystal display is provided to control transmittance and reflectance by the thickness of a metal film, thereby form a pixel electrode as a single film. CONSTITUTION: A pixel electrode includes a thin metal layer(45) with the transflective characteristics. The metal layer(45) is formed as an alloy of silver(Au) series with high conductivity. Transmittance and reflectance are controlled by the thickness of the reflective film layer(45). The transmittance is inversely proportional to the thickness and the reflectance is proportional to the thickness. The metal layer(45) has the thickness of hundreds of angstrom and the chemical resistance against sulfuric acid or sodium hydroxide. The transflective metal film(45) formed on uneven surface controls viewing angle, brightness, reflectance and transmittance.
Abstract translation: 目的：提供半透射型液晶显示器，以通过金属膜的厚度来控制透射率和反射率，从而形成像单个膜的像素电极。 构成：像素电极包括具有透反射特性的薄金属层（45）。 金属层（45）形成为具有高导电性的银（Au）系列的合金。 透射率和反射率由反射膜层（45）的厚度控制。 透光率与厚度成反比，反射率与厚度成正比。 金属层（45）具有数百埃的厚度和耐硫酸或氢氧化钠的耐化学性。 形成在不平坦表面上的透反射金属膜（45）控制视角，亮度，反射率和透射率。
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公开(公告)号：KR1019980048381A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960066952
申请日：1996-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768
Abstract: 반도체 장치의 배선을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 이는 소자 분리 영역을 형성하여 제1 활성 영역과 제2 활성 영역으로 구분된 활성 영역 각각의 기판에 형성된 게이트 산화막과 게이트 전극을 마스크로 이용하여 활성 영역 각각의 기판에 제1 불순물을 동시에 이온 주입하는 단계, 게이트 전극의 측벽에 스페이서를 형성한 후, 제2 활성 영역 기판을 노출시키며 제1 활성 영역의 노출된 기판을 감싸도록 형성된 감광막 패턴과 제2 활성 영역 상의 스페이서가 형성된 게이트 전극을 마스크로 이용하여 제2 활성 영역 기판에 제2 불순물을 이온 주입하는 단계, 감광막 패턴을 제거하고, 제1 활성 영역 기판의 소정부에 접촉된 커패시터를 감싸도록 도포된 후막의 층간 절연층을 패터닝하여 제1 및 제2 활성 영역 기판의 소정부를 노출시키는 층간 절연층 패턴을 형성하는 단계, 층간 절연층 패턴 상에 제1 활성 영 역의 층간 절연층 패턴을 노출시키며 제2 활성 영역의 층간 절연층 패턴을 감싸도록 형성된 감광막 패턴 및 제1 활성 영역의 노출된 층간 절연층 패턴을 마스크로 이용하여 제1 활성 영역 기판에 제3 불순물을 이온 주입하는 단계 및 감광막 패턴을 제거한 후, 층간 절연층 패턴 상에 도전 물질층을 증착하여 제1 및 제2 활성 영역의 층간 절연층 패턴에 의하여 노출된 기판의 소정부에 각각 접촉되는 배선층 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980041227A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960060506
申请日：1996-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 임베디드 메모리 논리소자의 트랜지스터 제조방법이 개시되어 있다. 이 방법은 셀 어레이 영역 및 논리회로 영역의 소오스/드레인 영역에 N형의 LDD 영역을 형성한 후에, 논리회로 영역의 게이트 패턴 및 LDD 영역에만 샐리사이드 공정을 이용하여 선택적으로 금속 실리사이드막을 형성함으로써, 소자의 동작속도가 저하되는 것을 방지함은 물론, 셀 어레이 영역의 LDD 영역에 이온주입 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 소자의 동작속도가 저하되는 것을 방지하면서 셀 어레이 영역의 메모리 셀 특성을 개선시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980028664A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960047802
申请日：1996-10-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/82
Abstract: 셀 어레이 영역 및 논리회로 영역을 구비하는 임베디드 메모리 논리소자의 트랜지스터 제조방법이 개시되어 있다. 이 방법은 샐리사이드 공정을 이용하여 논리회로 영역의 트랜지스터를 형성한 후에, 셀 어레이 영역에 낮은 도우즈로 이온주입된 N형의 저농도 소오스/드레인 영역을 구비하는 셀 트랜지스터를 형성함으로써, 소자의 동작속도가 저하되는 것을 방지함은 물론, 셀 트랜지스터의 저농도 N형 소오스/드레인 영역에 이온주입 손상이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 저농도 N형 소오스/드레인 영역의 접합 누설전류 특성을 개선시킬 수 있으므로, 소자의 수율 및 전력소모를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019940009597B1
公开(公告)日：1994-10-15
申请号：KR1019910014534
申请日：1991-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L21/28211 , Y10S438/906 , Y10S438/981
Abstract: annealing a semiconductor substrate in an ambience of nitrogen gas; carrying out wet oxidation at a low temperature and in an ambience of mixture of oxygen and hydrogen gases to form a gate oxide layer on the substrate; and annealing the substrate on which the gate oxide layer is formed in an ambient of nitrogen gas at a high temperature, thereby obtaining a gate oxide layer having high quality.
Abstract translation: 在氮气气氛下退火半导体衬底; 在低温和氧气和氢气混合气氛中进行湿式氧化，在基板上形成栅极氧化层; 并在高温下在氮气环境中对其上形成有栅极氧化物层的衬底进行退火，从而获得具有高质量的栅极氧化物层。
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