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公开(公告)号：KR1020050057955A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030090187
申请日：2003-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/28 , G06K9/0014 , H01J2237/2814 , H01J2237/2817
Abstract: 여기에 개시되는 미세 패턴의 선폭 측정 방법은 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 대응하는 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일과 각각 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 또는 양호 여부를 판단하고 양호 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴에 대하여 선폭을 측정한다. 주사전자현미경 화상들 비교 결과 불량으로 판단되면 2차 전자 신호 프로파일들을 비교하여 최종적으로 패턴의 불량여부를 판단한다.
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公开(公告)号：KR1020080067436A
公开(公告)日：2008-07-21
申请号：KR1020070004712
申请日：2007-01-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01B11/30 , G01N21/8806 , G01N21/956
Abstract: A method for measuring a specimen surface is provided to maximize production yield by reducing weight of distorted information corresponding to an upper surface of a pattern relative to information corresponding to both side walls of the pattern. A method for measuring a specimen surface(200) comprises the steps of: allowing first incident light(201) to be incident into the specimen formed with an arbitrary pattern in a first direction(S1); detecting first diffraction light(202) diffracted in the specimen to be incident by the first incident light(S2); allowing second incident light(203) in a second direction opposite to the first direction to be incident into the specimen; detecting second diffraction light(204) diffracted in the specimen(S3); and comparing information corresponding to the first diffraction light and the second diffraction light respectively with each other, and judging if both side walls of the pattern are parallel to each other in the first direction and the second direction when the information is the same or similar(S4).
Abstract translation: 提供了一种用于测量样品表面的方法，以通过相对于对应于图案的两个侧壁的信息减小对应于图案的上表面的失真信息的重量来最大化生产产量。 一种测量样本表面（200）的方法包括以下步骤：使第一入射光（201）入射到沿第一方向（S1）以任意图形形成的样本中; 检测在所述样本中衍射的第一衍射光（202）以入射所述第一入射光（S2）; 允许在与第一方向相反的第二方向上的第二入射光（203）入射到样品中; 检测在所述试样（S3）中衍射的第二衍射光（204）; 以及将与第一衍射光和第二衍射光相对应的信息彼此分别进行比较，并且当信息相同或相似时，判断图案的两个侧壁是否在第一方向和第二方向上彼此平行（ S4）。
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公开(公告)号：KR100543467B1
公开(公告)日：2006-01-20
申请号：KR1020030090187
申请日：2003-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/28 , G06K9/0014 , H01J2237/2814 , H01J2237/2817
Abstract: 여기에 개시되는 미세 패턴의 선폭 측정 방법은 미리 준비된 기준 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일을 대응하는 검사 대상 패턴의 주사전자현미경 화상 및 그에 대한 2차 전자 신호 프로파일과 각각 비교하여 검사 대상 패턴의 불량 또는 양호 여부를 판단하고 양호 패턴으로 판단된 검사 대상 패턴에 대하여 선폭을 측정한다. 주사전자현미경 화상들 비교 결과 불량으로 판단되면 2차 전자 신호 프로파일들을 비교하여 최종적으로 패턴의 불량여부를 판단한다.
주사전자현미경, SEM 화상, 선폭 측정-
公开(公告)号：KR1019990009190A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970031503
申请日：1997-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01B11/02
Abstract: 본 발명은 광학부에 질소블럭과 진공라인을 설치하여 광학부의 파티클 오염을 방지하도록 한 분광식 두께측정장치에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 기어들의 회전에 의한 파티클로부터 광학부 오염을 방지하여 두께측정을 안정시키도록 한 분광식 두께측정장치를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 분광식 두께측정장치는 파장카운터기어와, 파장기어 및 파장바벨기어를 갖는 기어부; 상기 파장카운터기어와, 파장기어 및 파장바벨기어의 회전에 따라 발생하는 파티클을 불어내는 질소블럭; 그리고 상기 질소블럭에 의해 불리어지는 파티클을 흡수하는 진공라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1019980040770A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960060007
申请日：1996-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강민섭
IPC: H01L21/68
Abstract: 스테이지의 높이조절작업이 용이하고 수평을 정확하게 유지할 수 있도록 한 반도체 두께측정설비의 스테이지 높이조절장치에 관한 것이다.
본 발명은 베이스와 스테이지 사이에 조절나사가 수직방향으로 설치되고, 상기 조절나사에 스테이지의 높이를 조절하기 위한 조절노브가 나사맞춤된 구성의 반도체 두께측정설비의 스테이지 높이조절장치에 있어서, 상기 조절노브(24)가 베이스(21)를 관통하여 하부로 노출된 조절나사(23)의 하단부에 나사맞춤되어 베이스(21)의 하부에서 조절노브(24)를 조절할 수 있도록 구성된 것이다.
따라서 스테이지의 수평상태 조절작업이 매우 간편하게 이루어지고, 조절시간도 단축되어지며, 특히 스테이지 수평상태 조절시 스테이지로부터 작업자 손의 접촉을 피할 수 있어 이로 인한 틸팅오차가 방지되는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080003958A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020060062275
申请日：2006-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01B15/02 , G01N23/083
Abstract: An apparatus for X-ray analysis and a method of X-ray intensity calibration using the same are provided to perform a calibration work for maintaining the intensity of X-ray at a predetermined intensity without loading and unloading a standard sample on a stage. An apparatus for X-ray analysis includes a chamber, an X-ray generation part, a stage(140), and a detecting part. The chamber offers a space to measure thickness of a thin film and density of impurities on a substrate using X-ray. The X-ray generation part is disposed on an upper portion of the chamber and provides the X-ray to substrate inside the chamber. The stage, which supports the substrate, includes a standard sample(144) being used in calibrating sensibility of X-ray. The detecting part is disposed at one side of the chamber to detect the intensity of the X-ray reflected from the substrate.
Abstract translation: 提供了一种用于X射线分析的装置和使用其的X射线强度校准方法，以执行用于将X射线强度保持在预定强度而不在载物台上载置标准样品的校准工作。 用于X射线分析的装置包括腔室，X射线产生部件，平台（140）和检测部件。 该腔室使用X射线提供测量薄膜厚度和衬底上的杂质浓度的空间。 X射线产生部件设置在腔室的上部，并且将X射线提供到腔室内的衬底。 支撑基板的载物台包括用于校准X射线敏感性的标准样品（144）。 检测部设置在室的一侧，以检测从基板反射的X射线的强度。
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公开(公告)号：KR1020040074767A
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：KR1020030010163
申请日：2003-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: PURPOSE: An apparatus for opening and shutting a door of a load lock chamber is provided to distribute load due to a shaft and reduce generation of particles by installing a plurality of bearings at a support unit. CONSTITUTION: A driving unit(150) provides the driving force for moving a door(130) of a load lock chamber in order to open or shut the load lock chamber. A shaft(140) is used for connecting the driving unit to the door and transmitting the driving force of the driving unit to the door. A support unit(160) includes a main body(162), a pin(166), and a plurality of bearings(164). The pin is connected to one side of the main body. The bearings are coupled to the pin and are close to a lateral part of the shaft in order to be rotated around the pin according to the movement of the shaft.
Abstract translation: 目的：提供一种用于打开和关闭装载锁定室的门的装置，用于分配由轴引起的载荷，并通过在支撑单元处安装多个轴承来减少颗粒的产生。 构成：驱动单元（150）提供用于移动加载锁定室的门（130）的驱动力，以打开或关闭加载锁定室。 轴（140）用于将驱动单元连接到门并将驱动单元的驱动力传递到门。 支撑单元（160）包括主体（162），销（166）和多个轴承（164）。 销连接到主体的一侧。 轴承联接到销并且靠近轴的侧部，以便根据轴的运动围绕销旋转。
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公开(公告)号：KR1020010029983A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000041921
申请日：2000-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A method for measuring an etching state of a semiconductor wafer is provided to more precisely measure an over-etching degree, and to prevent a process accident by precisely measuring whether an over-etching process is completed. CONSTITUTION: Light is irradiated to a bare silicon, and a reference value is obtained from an electrical signal of the light having a predetermined wavelength band among the light reflect from the bare silicon. The light including the wavelength band is irradiated to a wafer that experiences an over-etching process as a measuring target. An output value corresponding to the reference value is obtained from the light reflected from the wafer. A ratio of the output value to the reference value is obtained. The ratio is compared with a predetermined reference ratio to determine whether the wafer is in an under-etched state.
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体晶片的蚀刻状态的方法，以更精确地测量过蚀刻度，并通过精确测量是否完成过蚀刻工艺来防止工艺事故。 构成：将光照射到裸硅上，并且从从裸硅反射的光中具有预定波长带的光的电信号获得参考值。 将包含波长带的光照射到经历过蚀刻处理的晶片作为测量对象。 从晶片反射的光获得与基准值对应的输出值。 获得输出值与参考值的比率。 将该比率与预定的参考比进行比较，以确定晶片是否处于欠蚀刻状态。
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公开(公告)号：KR100688478B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020000041921
申请日：2000-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 웨이퍼의 에칭 상태 계측방법에 관해 개시된다. 웨이퍼 에칭 상태 계측방법은: 플라즈마 오버 에칭 공정을 거친 웨이퍼에 소정 파장 대역의 광을 조사하는 단계; 상기 웨이퍼에서 반사된 광에 대응하는 전기적 신호로부터 소정의 광학적 임피던스 1과 2를 얻는 단계; 상기 광학적 임피던스 1을 기 설정된 기준 임피던스 1과 비교하여 상기 웨이퍼에 대한 오버 에칭 완료 여부를 판단하는 단계; 오버 에칭이 완료된 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계; 오버 에칭이 완료되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 광학적 임피던스 2를 기 설정된 기준 임피던스 2와 비교하여 상기 웨이퍼에 대한 오버 에칭 완료 여부를 판단하는 단계;오버 에칭이 완료된 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계;오버 에칭이 완료되지 않은 것으로 판단된 경우, 기설정된 오버 에칭 미완료 필름 스택을 적용한 레서피로 웨이퍼 필름을 계측하는 단계;를 포함한다. 이상과 같은 본 발명에 의하면, 오버 에칭 완료 여부와 그 정도를 보다 정밀하고 확실하게 측정할 수 있고, 측정 오류에 따른 공정 사고를 미연에 방지할 수 있다. 또한, 오버에칭 완료 여부를 보다 확실히 측정함으로써 반도체 수율을 제고할 수 있고, 오버에칭이 진행된 웨이퍼에 대해 오버에칭 정도를 모니터링할 수 있게 한다.
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公开(公告)号：KR1020050045300A
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030079313
申请日：2003-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 웨이퍼 홀더는 웨이퍼가 안치되는 스테이지를 포함한다. 스테이지 상에 웨이퍼의 측면을 지지하는 상기된 본 발명의 제 1 내지 제 3 가이드 핀이 배치된다. 제 1 가이드 핀은 스테이지에 고정되어, 웨이퍼의 플랫존을 지지한다. 제 2 가이드 핀은 스테이지에 고정되어, 웨이퍼의 제 1 측면을 지지한다. 제 3 가이드 핀은 스테이지에 이동 가능하게 배치되어, 웨이퍼의 제 2 측면을 지지한다. 제 3 가이드 핀은 벨로우즈에 연결되어 복원력을 부여받는다. 가이드 핀은 스크류, 및 스크류에 끼워져서 웨이퍼를 가이드하는 가이드 링을 포함한다. 스크류는 나사가 형성된 몸체부, 몸체부에 형성된 헤드부 및 헤드부에 형성되어 웨이퍼가 얹혀지는 것을 방지하는 경사부를 포함한다. 스테이지 상에 웨이퍼의 밑면을 탄력적으로 지지하는 수 개의 완충 패드들이 설치된다.
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