公开(公告)号：KR1020170054054A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：KR1020150156745

申请日：2015-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정진욱 ,  김시한 ,  김정진 ,  최번재 ,  강성돈 ,  우아영

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/52 ,  H01L33/50 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

Abstract: 본발명은반도체발광소자, 발광패키지, 및발광모듈에관한것으로서, 제 1 도전형반도체층, 활성층, 및제 2 도전형반도체층이순차적층된발광적층체; 상기제 2 도전형반도체층을적어도부분적으로둘러싸는봉지층; 및상기제 1 도전형반도체층을덮도록배치된파장변환층을포함하는발광패키지를제공한다. 상기봉지층또는상기파장변환층은 AlInGaN(0≤x,y,z≤1, x=y=z=0 및 x=y=z=1 제외) 화합물반도체의열팽창계수보다더 큰열팽창계수를가질수 있다. 본발명의반도체발광소자, 발광패키지, 또는발광모듈은동작온도에서열적드룹이완화되어발광효율이개선되는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，发光器件封装，以及发光模块，所述第一导电半导体层，有源层，第二mitje导电型半导体层为发光层依次层叠体; 密封层，其至少部分地围绕第二导电类型半导体层; 以及被布置为覆盖第一导电类型半导体层的波长转换层。 密封层或波长转换层由AlInGaN（0≤X，Y，z≤1，X = Y = Z = 0和X = Y = Z = 1除外）可以具有的热膨胀比化合物半导体的热膨胀系数的任何更大的系数 有。 的半导体发光器件，发光器件封装，或本发明的发光模块具有热下垂减轻操作温度以提高发光效率的效果。