-
公开(公告)号：KR1020160141301A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150076571
申请日：2015-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L33/60
Abstract: 본발명의반도체발광소자패키지는제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층이순차적으로적층된복수의발광적층체들을포함하는발광구조체, 상기복수의발광적층체들중 서로인접하는발광적층체들을전기적으로직렬연결하는상호접속부(interconnector), 및상기금속가이드및 상기발광구조체를매립하며상기발광구조체의발광면을노출하는봉지부를포함한다.
Abstract translation: 一种半导体发光器件封装，包括：发光结构，具有第一表面，与第一表面相对的第二表面和设置在第一和第二表面之间的侧表面，发光结构包括第一发光 层叠体和第二发光层叠体，第一发光层叠体和第二发光层叠体各自包括：第一导电型半导体层; 有源层和第二导电型半导体层，设置在发光结构的第二表面上并被构造为电连接第一和第二发光层压板的互连器; 围绕发光结构的侧表面的金属引导件; 以及围绕所述金属引导件和所述发光结构的所述第二侧面和所述侧表面的密封剂，并且暴露所述发光结构的所述第一表面。
-
2.发明公开
公开(公告)号：KR1020110082863A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002774
申请日：2010-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: PURPOSE: A supporting wafer for a semiconductor light emitting device, a manufacturing method thereof, and a method for manufacturing a vertical semiconductor light emitting device are provided to form a metal oxide film on a side of a wafer, thereby protecting the supporting wafer from chemical materials. CONSTITUTION: A supporting wafer(110) is prepared. The supporting wafer is made of an alloy of a semiconductor material and metal. A metal oxide film(112) is formed on a side of the supporting wafer. The metal oxide film is formed by anodizing an alloy ingot of the semiconductor material and metal.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体发光器件的支撑晶片，其制造方法和用于制造垂直半导体发光器件的方法，以在晶片的侧面上形成金属氧化物膜，从而保护支撑晶片免受化学 材料。 构成：制备支撑晶片（110）。 支撑晶片由半导体材料和金属的合金制成。 金属氧化物膜（112）形成在支撑晶片的一侧。 金属氧化物膜通过阳极氧化半导体材料和金属的合金锭而形成。
-
公开(公告)号：KR101601626B1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：KR1020090100912
申请日：2009-10-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은도전성기판, 제1전극층, 절연층, 제2전극층, 제2반도체층, 활성층및 제1반도체층이순차적으로적층된반도체발광소자를제공하되, 상기제1전극층과제1반도체층이접촉하는면적이상기반도체발광소자의면적의 3 내지 13%이되도록하여발광효율이높은반도체발광소자를제공하는것을목적으로한다.
Abstract translation: 提供一种半导体发光器件，其包括依次堆叠的导电衬底，第一电极层，绝缘层，第二电极层，第二半导体层，有源层和第一半导体层。 第一电极层和第一半导体层之间的接触面积为半导体发光元件的总面积的3〜13％，实现了高的发光效率。
-
公开(公告)号：KR101601621B1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：KR1020090110307
申请日：2009-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L25/13 , H01L25/0753 , H01L33/002 , H01L33/0025 , H01L33/0029 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/8592 , H01L2924/0002 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , H05B33/0803 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은수직수평구조반도체발광소자에관한것으로서, 본발명의일 실시형태는, 도전성기판과, 상기도전성기판상에순차적으로형성된제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을구비하는발광구조물과, 상기제1 도전형반도체층및 활성층을관통하여상기제2 도전형반도체층과그 내부에서접속된도전성비아및 상기도전성비아로부터연장되어상기발광구조물의외부로노출된전기연결부를구비하는제2 도전형전극과, 상기제2 도전형전극을상기도전성기판, 제1 도전형반도체층및 활성층과전기적으로분리시키기위한절연체및 적어도상기발광구조물중 상기활성층의측면을덮도록형성된패시베이션층과, 상기활성층에서방출된빛의경로상에형성된요철구조를구비하는반도체발광소자를제공한다. 본발명에따르면, 외부광 추출효율, 특히, 소자의측 방향광 추출효율이향상될수 있는반도체발광소자를얻을수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020120135997A
公开(公告)日：2012-12-18
申请号：KR1020110054945
申请日：2011-06-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to improve design freedom of a chip and to enhance reliability by simplifying connecting and wiring types of each unit LED cell. CONSTITUTION: A plurality of light emitting structures(10) is arranged on a conductive substrate(11). The plurality of light emitting structures comprises a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer which is arranged between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. An insulating layer is formed between the light emitting structures. First and second external connecting terminals(A,B) are connected to the corresponding conductive semiconductor layer of the light emitting structure, respectively.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，以通过简化每个单元LED电池的连接和布线类型来提高芯片的设计自由度并提高可靠性。 构成：多个发光结构（10）布置在导电基板（11）上。 多个发光结构包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。 在发光结构之间形成绝缘层。 第一和第二外部连接端子（A，B）分别连接到发光结构的相应的导电半导体层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120002708A
公开(公告)日：2012-01-09
申请号：KR1020100063352
申请日：2010-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to offer high electric current dispersion efficiency in a large area by decentralizing a plurality of contact holes into a proper location. CONSTITUTION: A semiconductor laminate(15) is divided into a first region and a second region by a separation groove. The semiconductor laminate comprises first and second major surfaces which face each other. The semiconductor laminate comprises first and second electrical conduction semiconductor layers(15a,15c) which provide the first and second major surfaces and an active layer(15b) which is formed between the first and second electrical conduction semiconductor layers. At least one or more contact holes(H) are connected to one region of the first electrical conduction semiconductor layer after passing through the active layer from the first and second major surfaces. A first electrode(12) is connected to the first electrical conduction semiconductor layer through the one or more contact holes. A second electrode(14) is connected to the second electrical conduction semiconductor layer. An electrode connecting part(17) interlinks the second electrode and the first electrical conduction semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，通过将多个接触孔分散到适当的位置，在大面积上提供高电流色散效率。 构成：通过分离槽将半导体层叠体（15）分割为第一区域和第二区域。 半导体层叠体包括彼此面对的第一和第二主表面。 半导体层叠体包括提供第一和第二主表面的第一和第二导电半导体层（15a，15c）和形成在第一和第二导电半导体层之间的有源层（15b）。 在从第一和第二主表面穿过有源层之后，至少一个或多个接触孔（H）连接到第一导电半导体层的一个区域。 第一电极（12）通过一个或多个接触孔与第一导电半导体层连接。 第二电极（14）连接到第二导电半导体层。 电极连接部分（17）将第二电极和第一导电半导体层互相连接。
-
公开(公告)号：KR1020110103686A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020100022865
申请日：2010-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L2924/12041
Abstract: 본 발명은 표면 플라스몬 공명을 이용하여 발광 효율이 향상될 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는, n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 상면에 요철 구조를 갖는 p형 질화물 반도체층; 및 표면 플라스몬이 상기 활성층에서 발광된 광과 상호 커플링되도록 상기 요철 구조의 오목면 상에 형성된 플라스몬 발생층;을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020110053319A
公开(公告)日：2011-05-20
申请号：KR1020110037781
申请日：2011-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L21/268 , H01L33/007 , H01L33/36 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A vertical structure semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve luminous efficiency and electrostatic withstanding voltage by efficiently spreading currents between an n type electrode and a p type electrode. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a p type semiconductor layer, an active layer, and an n type semiconductor layer which are successively laminated on a conductive substrate. An n type electrode(106) is formed on the upper side of the n type semiconductor layer. The n type semiconductor layer is made of hetero materials. The n type semiconductor layer includes a current blocking region(107) which induces a current flowing between the n type electrode and the conductive substrate in a lateral direction. A high reflective ohmic contact layer(104) is formed between a p type semiconductor layer and a conductive substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种垂直结构半导体发光器件及其制造方法，通过在n型电极和p型电极之间有效扩展电流来提高发光效率和耐静电电压。 构成：发光结构包括依次层叠在导电性基板上的p型半导体层，有源层和n型半导体层。 n型电极（106）形成在n型半导体层的上侧。 n型半导体层由异质材料制成。 n型半导体层包括电流阻挡区域（107），其在横向方向上引起在n型电极和导电基板之间流动的电流。 在p型半导体层和导电基板之间形成高反射欧姆接触层（104）。
-
公开(公告)号：KR101411256B1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020090110315
申请日：2009-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 제 1 도전형 반도체층, 활성층, 제 2 도전형 반도체층, 제 2 전극층, 절연층, 도전성 기판이 순차 적층된 반도체 발광소자로서, 상기 도전성 기판은 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속하기 위하여, 상기 제 2 도전형 반도체층 및 활성층과는 전기적으로 절연되어 상기 도전성 기판의 일면으로부터 제 1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 연장된 하나 이상의 콘택 홀을 포함하고, 상기 제 2 전극층은 상기 제 2 도전형 반도체층과의 계면 중 일부가 노출된 영역을 포함하고, 상기 노출 영역에는 식각 저지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 최대 발광면적을 확보하여 발광효율을 최대화하는 동시에 작은 면적의 전극으로 균일한 전류분산이 가능하며, 누설전류의 발생이 감소된다.
반도체 발광소자, 콘택 홀, 노출 영역, 식각 저지층, 전극 패드부Abstract translation: 本发明是一种半导体发光器件和涉及相同的，更具体地，第一导电半导体层，有源层，第二导电半导体层，第二电极层，绝缘层，半导体发光装置中的导电性基体依次堆叠的制造方法 作为导电性基板是电连接到所述半导体层的第一导电类型，第二导电类型半导体层和所述有源层和与所述第一导电类型半导体层的部分区域从所述导电性基板的表面电绝缘， 直到并包括至少一个接触孔延伸，并且所述第二电极层和所述第二导电类型包括半导体层之间的界面的一部分被暴露的区域和露出区域，它其特征在于，所述蚀刻阻挡层上形成 和一种半导体发光器件。 根据本发明的半导体发光器件可以在同一时间以最大化发光效率，获得最大的发光面积，得到在小面积电极的均匀的电流分布，并减少泄漏电流的发生。
-
公开(公告)号：KR1020130014950A
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020110076721
申请日：2011-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/05 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor light emitting device is provided to efficiently reduce the deviation of a chrominance index due to the thickness difference of a wavelength conversion layer by forming at least two wavelength conversion layers with different wavelength conversion material containing conditions. CONSTITUTION: A plurality of electrodes(16) are formed on a semiconductor laminate(15). Structures(17,18) with preset heights are formed on the plurality of electrodes. A wavelength conversion layer(19) is formed on the semiconductor laminate to cover the structure. The wavelength conversion layer includes a first layer(19a) and a second layer(19b). The first layer includes wavelength conversion materials(P) with relatively high density.
Abstract translation: 目的：提供一种制造半导体发光器件的方法，通过形成具有不同波长转换材料的条件的至少两个波长转换层，来有效地降低由于波长转换层的厚度差导致的色度偏差的偏差。 构成：在半导体层叠体（15）上形成有多个电极（16）。 具有预设高度的结构（17,18）形成在多个电极上。 在半导体层叠体上形成波长转换层（19）以覆盖该结构。 波长转换层包括第一层（19a）和第二层（19b）。 第一层包括具有较高密度的波长转换材料（P）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.034 seconds)
