公开(公告)号：KR1020160141301A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：KR1020150076571

申请日：2015-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최번재 ,  고건우 ,  권용민 ,  우아영 ,  이준호 ,  정진욱

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/52 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/486 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

Abstract: 본발명의반도체발광소자패키지는제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층이순차적으로적층된복수의발광적층체들을포함하는발광구조체, 상기복수의발광적층체들중 서로인접하는발광적층체들을전기적으로직렬연결하는상호접속부(interconnector), 및상기금속가이드및 상기발광구조체를매립하며상기발광구조체의발광면을노출하는봉지부를포함한다.

Abstract translation: 一种半导体发光器件封装，包括：发光结构，具有第一表面，与第一表面相对的第二表面和设置在第一和第二表面之间的侧表面，发光结构包括第一发光 层叠体和第二发光层叠体，第一发光层叠体和第二发光层叠体各自包括：第一导电型半导体层; 有源层和第二导电型半导体层，设置在发光结构的第二表面上并被构造为电连接第一和第二发光层压板的互连器; 围绕发光结构的侧表面的金属引导件; 以及围绕所述金属引导件和所述发光结构的所述第二侧面和所述侧表面的密封剂，并且暴露所述发光结构的所述第一表面。

公开(公告)号：KR1020170054054A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：KR1020150156745

申请日：2015-11-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정진욱 ,  김시한 ,  김정진 ,  최번재 ,  강성돈 ,  우아영

IPC: H01L33/64 ,  H01L33/52 ,  H01L33/50 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

Abstract: 본발명은반도체발광소자, 발광패키지, 및발광모듈에관한것으로서, 제 1 도전형반도체층, 활성층, 및제 2 도전형반도체층이순차적층된발광적층체; 상기제 2 도전형반도체층을적어도부분적으로둘러싸는봉지층; 및상기제 1 도전형반도체층을덮도록배치된파장변환층을포함하는발광패키지를제공한다. 상기봉지층또는상기파장변환층은 AlInGaN(0≤x,y,z≤1, x=y=z=0 및 x=y=z=1 제외) 화합물반도체의열팽창계수보다더 큰열팽창계수를가질수 있다. 본발명의반도체발광소자, 발광패키지, 또는발광모듈은동작온도에서열적드룹이완화되어발광효율이개선되는효과가있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，发光器件封装，以及发光模块，所述第一导电半导体层，有源层，第二mitje导电型半导体层为发光层依次层叠体; 密封层，其至少部分地围绕第二导电类型半导体层; 以及被布置为覆盖第一导电类型半导体层的波长转换层。 密封层或波长转换层由AlInGaN（0≤X，Y，z≤1，X = Y = Z = 0和X = Y = Z = 1除外）可以具有的热膨胀比化合物半导体的热膨胀系数的任何更大的系数 有。 的半导体发光器件，发光器件封装，或本发明的发光模块具有热下垂减轻操作温度以提高发光效率的效果。