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公开(公告)号：KR101931115B1
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：KR1020120073432
申请日：2012-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는 서로 대향하는 제 1 면 및 제 2 면과, 제 2 면의 일부가 리세스된 패드 트렌치를 갖는 반도체 기판; 반도체 기판을 관통하며, 패드 트렌치에서 돌출된 관통 전극; 및 패드 트렌치 내에 매립되어 관통 전극을 둘러싸는 매립 패드를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150006611A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：KR1020130080204
申请日：2013-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B29C45/32 , B29C45/04 , B29C45/1744 , B29C45/1747 , B29C45/22 , B29C45/73
Abstract: 생산성을 증대시킬 수 있는 이중 탠덤 금형장치를 개시한다.
이중 탠덤 금형장치는 고정되어 마련되는 고정금형과, 고정금형으로부터 밀착 또는 이격되는 방향으로 상대 이동 가능하게 연결되는 이동금형과, 고정금형과 이동금형 사이에 적어도 한 개 이상 마련되며, 사출 성형 시 고정금형 또는 이동금형 중 적어도 일측으로 밀착되어 결합하도록 마련되는 가변금형유닛을 포함하고, 가변금형유닛은, 고정금형과의 사이에 제1캐비티를 형성하는 제1금형과, 이동금형과의 사이에 제2캐비티를 형성하는 제2금형으로 구성되는 제1가변금형부와, 제1금형과 제2금형 사이에 마련되며, 제1금형의 배면에 배치되는 제3금형과, 제3금형과의 사이에 제3캐비티를 형성하는 제4금형과, 제2금형의 배면에 배치되는 제5금형과, 제5금형 사이에 제4캐비티를 형성하는 제6금형으로 구성되는 제2가변금형부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Abstract translation: 公开了能够提高生产率的双串联注射模具装置。 双串联注射模具装置包括：固定的固定模具; 可移动模具，其被连接成在朝向或远离固定模具的方向上相对移动; 以及至少一个可变模具单元，其安装在固定模具和可移动模具之间，并且当注塑成型时通过粘附到固定模具或可移动模具的至少一侧来安装成组合。 可变模具单元包括：第一可变模具单元，包括在可变模具单元和固定模具之间形成第一空腔的第一模具和在可变模具和可移动模具之间形成第二空腔的第二模具; 以及第二可变模具单元，其包括第三模具，所述第三模具安装在所述第一模具和所述第二模具之间并且布置在所述第一模具的后表面上;第四模具，其在所述可变模具单元和所述第三模具之间形成第三空腔;第五模具， 布置在第二模具的后表面上的模具，以及在可变模具单元和第五模具之间形成第四模腔的第六模具。
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公开(公告)号：KR1020150043933A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020130122956
申请日：2013-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/6835 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L23/4985 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05096 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/14511 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01047 , H01L2924/00
Abstract: 집적회로소자는기판상의제1 영역에서서로다른레벨에형성된복수의제1 배선층과, 복수의제1 배선층을연결하는복수의제1 콘택플러그를포함하는제1 다층배선구조와, 기판상의제2 영역에서복수의제1 배선층중 적어도하나의제1 배선층과동일레벨에형성되는제1 패드층과, 복수의제1 콘택플러그중 적어도하나의제1 콘택플러그와동일레벨에형성되고제1 패드층에접하는제2 패드층을포함하는 TSV 랜딩패드와, TSV 랜딩패드위에형성된제2 다층배선구조와, 기판을관통하여 TSV 랜딩패드를통해제2 다층배선구조에연결되는 TSV 구조를포함한다.
Abstract translation: 集成电路装置包括：在基板上的第一区域上以不同层次形成的多个第一布线层; 第一多层布线结构，具有连接到所述多个第一布线层的多个第一接触插塞; 与所述基板的第二区域上的所述多个第一布线层中的一个以上的第一布线层相同水平的第一焊盘层; TSV着陆板，其具有与所述第一焊盘层上的所述多个第一接触插塞中的一个或多个第一接触插塞相同的水平层形成的第二焊盘层; 形成在TSV着陆板上的第二多层布线结构; 以及穿透基板并通过TSV着陆板连接到第二多层布线结构的TSV结构。
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公开(公告)号：KR1020140039895A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120106707
申请日：2012-09-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/30625 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/53238 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: The present invention relates to a semiconductor device and a method for fabricating the same. Provided are a substrate which includes a first surface and a second surface which faces the first surface, and a through electrode in a via hole which penetrates the substrate. Provided is an integrated circuit (IC) which is adjacent to the through electrode and provided in the first surface. The through electrode includes a metal layer which fills a part of the via hole and an alloy layer which fills the remaining part of the via hole. The alloy layer includes a metal element included in the metal layer and a metal element which is different from the metal element included in the metal layer.
Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 提供了一种基板，其包括面向第一表面的第一表面和第二表面，以及穿透基板的通孔中的通孔。 提供了一种集成电路（IC），其与贯通电极相邻并且设置在第一表面中。 贯通电极包括填充通孔的一部分的金属层和填充通孔的剩余部分的合金层。 合金层包括金属层中包含的金属元素和与金属层中包含的金属元素不同的金属元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140008552A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020120073432
申请日：2012-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are disclosed. The semiconductor device includes a semiconductor substrate having first and second surfaces facing each other and a pad trench recessing a part of the second surface; a through electrode protruding from the pad trench and passing through the semiconductor substrate; and an embedded pad surrounding the through electrode by being embedded in the trench.
Abstract translation: 公开了一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括具有彼此面对的第一和第二表面的半导体衬底和凹陷第二表面的一部分的焊盘沟槽; 从所述焊盘沟槽突出并穿过所述半导体衬底的贯通电极; 以及通过嵌入在沟槽中而围绕贯通电极的嵌入式焊盘。
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公开(公告)号：KR1020150057787A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130141569
申请日：2013-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 서로대면하는상면과하면을갖는반도체기판, 상기반도체기판의상면상에제공된집적회로가포함된층간절연막; 상기층간절연막상에제공되고상기집적회로와전기적으로연결된적어도하나의금속배선이포함된금속간절연막, 상기금속간절연막과상기층간절연막그리고상기반도체기판을관통하는관통전극그리고상기관통전극을둘러싸는그리고상기관통전극을상기반도체기판으로부터전기적으로절연시키는비아절연막을포함하고, 상기비아절연막은상기상부절연막과상기층간절연막사이에하나이상의에어갭들을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有硅通孔及其制造方法的半导体器件。 本发明包括：半导体层，其具有面向上侧的上侧和下侧; 层间电介质，其包括设置在所述半导体衬底的上侧的集成电路; 金属间电介质，其设置在所述层间电介质上，并且包括电连接到所述集成电路的至少一个金属线; 穿过所述金属间电介质，所述层间电介质和所述半导体衬底的贯穿硅; 以及通过绝缘层，该绝缘层围绕所述贯穿硅通孔并使上绝缘层与所述层间电介质电绝缘。 通孔绝缘层包括上绝缘层和层间电介质之间的一个或多个气隙。
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