-
公开(公告)号：KR20210034146A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020190115311A
申请日：2019-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/525 , H01L23/485 , H01L23/498 , H01L33/36
CPC classification number: H01L23/525 , H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/485 , H01L23/49822 , H01L24/16 , H01L33/36 , H01L2224/16227
Abstract: 재배선 기판 및 상기 재배선 기판 상에 실장되는 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지를 제공하되, 상기 재배선 기판은 하부 보호층, 상기 하부 보호층 상에 배치되는 제 1 도전 패턴, 상기 하부 보호층 상에서 상기 제 1 도전 패턴을 둘러싸는 제 1 절연층, 및 제 1 절연층 상에 배치되는 제 2 절연층을 포함하고, 상기 제 1 절연층은 상기 하부 보호층의 상면과 실질적으로 평행한 제 1 상면을 갖고, 상기 제 1 절연층은 상기 제 1 상면으로부터 상기 하부 보호층을 향하고 상기 제 1 도전 패턴에 인접하여 배치되고 상기 제 1 도전 패턴에 접하는 제 1 리세스를 가질 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020140130915A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：KR1020130049494
申请日：2013-05-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05676 , H01L2224/05684 , H01L2224/1146 , H01L2224/11472 , H01L2224/13012 , H01L2224/13018 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
Abstract: 씨드 금속층 상에 사이드 리세스를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 도금 공정을 수행하여 상기 사이드 리세스를 채우는 헴을 갖는 도금층을 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자 형성 방법이 설명된다.
Abstract translation: 本发明涉及制造具有凸块的半导体器件的方法。 更具体地说，本发明涉及一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有凸块以减少欠切割。 根据本发明的实施例的制造具有凸块的半导体器件的方法包括在衬底上形成金属线的工艺，在金属线上形成具有开口的钝化层的工艺，形成 钝化层上的保形晶种金属层，形成光致抗蚀剂层的工艺，暴露第二部分种子金属层的工艺以及形成底切工艺。
-
公开(公告)号：KR1020140126196A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：KR1020130044439
申请日：2013-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/522 , H01L23/5225 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/0346 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05552 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06051 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/06517 , H01L2224/06519 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/014
Abstract: 반도체 소자, 반도체 패키지 및 전자 시스템을 제공한다. 이 반도체 소자는 전면 및 상기 전면에 대향하는 후면을 갖는 기판을 포함한다. 상기 기판의 상기 전면 상에 또는 근처에 내부 회로가 배치된다. 상기 기판 내에 신호 입/출력 관통 전극들이 배치된다. 상기 기판의 상기 후면 상에 상기 신호 입/출력 관통 전극들과 전기적으로 연결된 후면 도전성 패턴들이 배치된다. 상기 기판의 상기 후면 상에 상기 신호 입/출력 관통 전극들과 이격된 후면 도전성 구조체가 배치된다. 상기 후면 도전성 구조체는 평행한 서포터 부분들을 포함한다.
Abstract translation: 提供半导体器件，半导体封装和电子系统。 半导体器件包括具有顶表面和与顶表面相对的底表面的衬底。 内部电路放置在基板的顶表面上或附近。 用于信号输入/输出的穿透电极放置在基板中。 电连接到用于信号输入/输出的穿透电极的底表面导电图案被放置在基底的底表面上。 与用于信号输入/输出的穿透电极分离的底表面导电结构被放置在衬底的底表面上。 底面导电结构包括平行支撑件。
-
公开(公告)号：KR1020130139540A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020120063075
申请日：2012-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L23/293 , H01L23/3178 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/10126 , H01L2224/13005 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/207 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: The present invention relates to an electrical connection structure and a method for fabricating the same and comprises; a substrate having a bonding pad area in which a bonding pad is arranged, and a fuse area in which a fuse is arranged; an insulating film which is arranged on the substrate and has a bonding pad opening part for opening the bonding pad, and a fuse opening part for opening the fuse area; a connection terminal which is arranged with in the bonding pad area and is electrically connected to the bonding pad; and a protection film which is arranged on the insulating film and has a first protection film limited to the bonding bad area, and a second protection area for filling the fuse opening part.
Abstract translation: 电连接结构及其制造方法技术领域本发明涉及电连接结构及其制造方法， 具有焊盘区域的衬底，其中布置有接合焊盘;以及熔丝区域，其中布置有保险丝; 布置在基板上并具有用于打开焊盘的焊盘开口部分的绝缘膜和用于打开保险丝区域的保险丝开口部分; 连接端子，其被布置在所述接合焊盘区域中并且电连接到所述接合焊盘; 以及保护膜，其布置在所述绝缘膜上并具有限定于所述接合不良区域的第一保护膜，以及用于填充所述保险丝开口部的第二保护区域。
-
公开(公告)号：KR1020130131699A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020120055443
申请日：2012-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0347 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/10145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13012 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13183 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2924/01024 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2224/05552
Abstract: The present invention relates to an electrical interconnection structure and a method for fabricating the same. The electrical interconnection structure includes a substrate having a bonding pad, a protective layer opening the bonding pad and arranged on the substrate, a solder ball electrically connected to the bonding pad, a solder ball support layer providing an inner region filled with the solder ball and arranged on the bonding pad, and a metal having a lower ionization tendency compared to the metal of the bonding pad and arranged between the bonding pad and the solder ball support layer.
Abstract translation: 电互连结构及其制造方法技术领域本发明涉及电互连结构及其制造方法。 电互连结构包括具有接合焊盘的基板，打开接合焊盘并设置在基板上的保护层，与接合焊盘电连接的焊球，提供填充有焊料球的内部区域的焊球支撑层，以及 配置在接合焊盘上的金属和与接合焊盘的金属相比具有较低电离倾向的金属，并配置在接合焊盘和焊球支撑层之间。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR1020160040928A
公开(公告)日：2016-04-15
申请号：KR1020140134474
申请日：2014-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/3135 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L24/00 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05564 , H01L2224/05567 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/06181 , H01L2224/11462 , H01L2224/11472 , H01L2224/11825 , H01L2224/11906 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13552 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/13644 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/014 , H01L2924/01074
Abstract: 집적회로소자는반도체구조물과, 상기반도체구조물을관통하는 TSV 구조와, TSV 구조에연결되는연결단자와, 연결단자의상면을덮는평판형캡핑부와, 평판형캡핑부에일체로연결되고연결단자의측벽중 일부를덮는쐐기형캡핑부를포함하는금속캡핑막을포함한다. 금속캡핑막을형성하기위하여, 펄스형태의전류를인가하면서연결단자를금속스트라이크전해도금액에접촉시켜전해도금을수행한다.
Abstract translation: 集成电路装置包括：半导体结构; 穿透半导体结构的TSV结构; 连接到TSV结构的连接终端; 以及金属覆盖膜，其包括覆盖连接端子的上表面的平盖部分和与该扁平封盖部分一体地连接并且部分地覆盖连接端子的侧壁的一部分的楔形封盖部分。 通过使连接端子与金属冲击电镀溶液接触，同时施加脉冲型电流以形成金属覆盖膜来进行电镀工艺。
-
公开(公告)号：KR1020150116137A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140040773
申请日：2014-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/6835 , H01L21/76805 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76867 , H01L21/76883 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 집적회로가배치된반도체기판, 상기반도체기판상에제공되어상기집적회로를덮는층간절연막, 상기층간절연막상에제공되고상기집적회로와전기적으로연결된적어도하나의금속배선이포함된금속간절연막, 그리고상기층간절연막및 상기반도체기판을수직관통하여상기적어도하나의금속배선과전기적으로연결된관통전극을포함한다. 상기적어도하나의금속배선을향해바라보는상기관통전극의상단부는상기관통전극의구성성분이상기관통전극을벗어나이동하는것을방해하는그리고상기관통전극에자기정렬된제1 보호막으로캡핑될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有通孔及其制造方法的半导体器件。 本发明的半导体器件包括：布置有集成电路的半导体衬底; 层间绝缘膜，其通过设置在所述半导体基板上而覆盖所述集成电路; 金属间绝缘膜，设置在所述层间绝缘膜上，并且包括与所述集成电路电连接的至少一个金属线; 以及通过穿过层间绝缘膜和半导体基板而电连接到金属线的通孔。 穿过通孔的面向金属线的上部可以被阻挡通孔的分量偏离通孔的第一保护层盖住并且与通孔自对准。
-
公开(公告)号：KR1020120060665A
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100122280
申请日：2010-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/42 , H01L23/4334 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/30519 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1435 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: PURPOSE: A semiconductor package is provided to improve adhesion between a first molding unit and a second molding unit by arranging an adhesion unit between the first molding unit and the second molding unit. CONSTITUTION: A module board(20) is electrically connected to a semiconductor package(10). A first connection pattern(150) is arranged between a circuit board(140) and the module board. A connection substrate(108) includes a semiconductor substrate(100) and an interlayer insulation layer(102). A second connection pattern(110) electrically connects the circuit board and the connection substrate. A third connection pattern(132) electrically connects a semiconductor chip(130) and the connection substrate.
Abstract translation: 目的：提供半导体封装以通过在第一模塑单元和第二模塑单元之间布置粘合单元来改善第一模塑单元和第二模塑单元之间的粘附。 构成：模块板（20）电连接到半导体封装（10）。 第一连接图案（150）布置在电路板（140）和模块板之间。 连接衬底（108）包括半导体衬底（100）和层间绝缘层（102）。 第二连接图案（110）电连接电路板和连接基板。 第三连接图案（132）电连接半导体芯片（130）和连接基板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
