公开(公告)号：KR20210024893A

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190104647A

申请日：2019-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이규하 ,  강필규 ,  김석호 ,  나훈주 ,  문광진 ,  박재형 ,  장주희 ,  홍의관

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L23/485 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76837 ,  H01L23/485 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/80 ,  H01L25/074 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/80001

Abstract: 상술한 과제를 해결하기 위한, 예시적인 실시예들에 따르면 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은, 기판 상에 제1, 제2 및 제3 절연층들을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제1, 제2 및 제3 절연층들을 식각하여 개구를 형성하는 단계; 상기 개구를 부분적으로 채우는 도전층을 형성하는 단계; 상기 개구의 적어도 일부를 채우는 제4 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 가장자리의 적어도 일부를 제거하는 트리밍 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR102161793B1

公开(公告)日：2020-10-06

申请号：KR1020140090916

申请日：2014-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강필규 ,  김석호 ,  김태영 ,  김효주 ,  박병률 ,  박연상 ,  안진호 ,  이호진 ,  장주희 ,  정덕영

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

公开(公告)号：KR102061695B1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：KR1020120115487

申请日：2012-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태영 ,  강필규 ,  박병률 ,  박진호

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/20

公开(公告)号：KR102018885B1

公开(公告)日：2019-09-05

申请号：KR1020120149598

申请日：2012-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강필규 ,  김태영 ,  박병률 ,  박점용 ,  박진호 ,  이규하 ,  정덕영 ,  최길현

IPC: H01L23/48

公开(公告)号：KR101867961B1

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：KR1020120014360

申请日：2012-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이규하 ,  이호진 ,  강필규 ,  박병률 ,  정현수 ,  최길현

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판의상면을향해개구되고상기기판을일부관통하는비아홀을형성하고, 상기비아홀의바닥면상에서는제1 두께를가지며상기비아홀의내측벽상에서는상기제1 두께보다작은제2 두께를가지는비아절연막을형성하고, 상기비아절연막이형성된상기비아홀내에관통전극을형성하고, 그리고상기기판의하면을패터닝하여상기관통전극을노출시키는것을포함할수 있다. 상기비아절연막을형성하는것은상기기판상에유동막을형성하고, 그리고상기유동막을변형시켜상기비아홀의바닥면상에상기제1 두께를갖는제1 유동성화학기상증착막을형성하는것을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170139342A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：KR1020160071736

申请日：2016-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태영 ,  강필규 ,  김석호 ,  문광진 ,  이호진

IPC: H01L21/18 ,  H01L23/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0537 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/365 ,  H01L2224/80

Abstract: 본발명의웨이퍼대 웨이퍼접합구조체는제1 절연층의내부에형성되면서상면이오픈되고하면과측면이제1 배리어층에의해둘러싸인제1 도전패드를구비한제1 웨이퍼와, 제2 절연층의내부에형성되면서상면이오픈되고하면과측면이제2 배리어층에의해둘러싸인제2 도전패드를구비하고, 상기제2 절연층은상기제1 절연층과접합됨과아울러상기제2 도전패드의상면은상기제1 도전패드의상면과부분적으로또는전체적으로접합된제2 웨이퍼와, 상기제1 웨이퍼및 제2 웨이퍼사이에서상기제1 도전패드와제2 도전패드가서로접합되지않은부분에배치된제3 배리어층을포함한다.

Abstract translation: 晶片到晶片的本发明的第一的内部的接合结构体的上表面被打开时所形成的绝缘层中，同时，现在的侧表面是第一晶片和具有第一导电焊盘的第二绝缘层是由第一阻挡层包围 作为在其顶面形成被打开并且侧现在一旦第二导电焊盘通过第二阻挡层围绕，所述第二绝缘层结合到所述第一绝缘层以及所述第二导电板的所述上表面是所述第一 所述第一导电板的上表面和至少部分地与接合所述第二晶片的第一晶片和第二处置部分2不是第一导电板和第二导电垫在晶片第三势垒层之间的相互键合 它包括。

公开(公告)号：KR101642834B1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：KR1020100032863

申请日：2010-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강필규 ,  배대록 ,  최길현 ,  이종명

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02381 ,  G02B6/13 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675

Abstract: 벌크실리콘웨이퍼상에 SOI 층을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제공된다. 본발명의기술적사상에의한반도체소자의제조방법은, 벌크실리콘웨이퍼에 SOI 층을형성하되, 상기 SOI 층에는제1비정질실리콘이절연층상에부분적으로형성되며, 상기제1비정질실리콘층을녹이는 1차어닐링공정을수행하고, 상기제1비정질실리콘층은에피택셜성장함으로써, 단결정실리콘층과다결정실리콘층으로전환되며, 상기다결정실리콘층을제2비정질실리콘층으로대체하며, 상기제2비정질실리콘층을녹이는 2차어닐링공정을수행하고, 상기제2비정질실리콘층은에피택셜성장함으로써, 단결정실리콘층으로전환되는것으로구성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150062626A

公开(公告)日：2015-06-08

申请号：KR1020130147475

申请日：2013-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한규희 ,  강필규 ,  임태진 ,  이내인

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그제조방법에관한것으로, 기판상에탄소가함유된금속간절연막을형성하고, 상기금속간절연막과상기기판을수직관통하는비아홀을형성하고, 상기비아홀을통해노출된상기금속간절연막의표면에상기탄소를보충하고, 상기비아홀의내벽을덮는비아절연막을형성하고, 그리고상기비아홀내에상기비아절연막으로둘러싸이는관통전극을형성하는것을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括通孔的半导体器件及其制造方法。 在基板上形成具有碳的金属间绝缘层。 形成垂直穿过金属间绝缘层和基板的通孔。 在通过通孔露出的金属间绝缘层的表面上补充碳。 形成用于覆盖通孔内壁的通孔绝缘层。 在通孔中形成由通孔绝缘层包围的贯通电极。

公开(公告)号：KR1020130092825A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：KR1020120014363

申请日：2012-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  강필규 ,  이규하 ,  최길현 ,  최용순 ,  박병률 ,  정현수

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a penetration electrode and a manufacturing method thereof are provided to sufficiently secure the etch margin of a penetration electrode insulating layer by forming a fluid chemical vapor deposition layer under the penetration electrode in a penetration electrode protruding process. CONSTITUTION: A hole (101) opened to the upper side of a substrate (100) is formed. A sacrificial layer (110) which partially fills the hole is formed. A penetration electrode (120) is formed in the hole filled with the sacrificial layer. A via insulation layer (112) is formed between the penetration electrode and the substrate. The penetration electrode is exposed through the lower side of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种包括穿透电极及其制造方法的半导体器件，以通过在穿透电极突出过程中在穿透电极下形成流体化学气相沉积层来充分确保穿透电极绝缘层的蚀刻余量。 构成：形成向基板（100）的上侧开口的孔（101）。 形成部分填充孔的牺牲层（110）。 在填充有牺牲层的孔中形成穿透电极（120）。 在穿透电极和基板之间形成通孔绝缘层（112）。 穿透电极通过衬底的下侧暴露。

公开(公告)号：KR1020130089544A

公开(公告)日：2013-08-12

申请号：KR1020120010983

申请日：2012-02-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  강필규 ,  이규하 ,  최길현 ,  박병률 ,  정현수

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: PURPOSE: A via connection structure, a semiconductor device including the same, and manufacturing methods thereof are provided to prevent a contact failure by including a wiring barrier layer. CONSTITUTION: A substrate has a first side and a second side. The second side faces the first side. A through via structure (45a) includes a first end and a second end. An insulation layer (30) has a rewiring groove. A rewiring structure (50) includes a rewiring barrier layer and a rewiring part.

Abstract translation: 目的：提供通孔连接结构，包括其的半导体器件及其制造方法，以通过包括布线阻挡层来防止接触故障。 构成：衬底具有第一面和第二面。 第二面朝向第一面。 通孔结构（45a）包括第一端和第二端。 绝缘层（30）具有重新布线槽。 重新布线结构（50）包括重新布线阻挡层和重新布线部分。