公开(公告)号：KR20210034146A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190115311A

申请日：2019-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 천진호 ,  안진호 ,  정태화 ,  진정기 ,  최주일 ,  아츠시 후지사키

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L23/525 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L33/36 ,  H01L2224/16227

Abstract: 재배선 기판 및 상기 재배선 기판 상에 실장되는 반도체 칩을 포함하는 반도체 패키지를 제공하되, 상기 재배선 기판은 하부 보호층, 상기 하부 보호층 상에 배치되는 제 1 도전 패턴, 상기 하부 보호층 상에서 상기 제 1 도전 패턴을 둘러싸는 제 1 절연층, 및 제 1 절연층 상에 배치되는 제 2 절연층을 포함하고, 상기 제 1 절연층은 상기 하부 보호층의 상면과 실질적으로 평행한 제 1 상면을 갖고, 상기 제 1 절연층은 상기 제 1 상면으로부터 상기 하부 보호층을 향하고 상기 제 1 도전 패턴에 인접하여 배치되고 상기 제 1 도전 패턴에 접하는 제 1 리세스를 가질 수 있다.

公开(公告)号：KR102162955B1

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：KR1020130130981

申请日：2013-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광하 ,  김도훈 ,  안진호 ,  오대일 ,  이재인 ,  이현석

IPC: G06F21/32 ,  G06F3/01 ,  G06F3/048

公开(公告)号：KR102161793B1

公开(公告)日：2020-10-06

申请号：KR1020140090916

申请日：2014-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강필규 ,  김석호 ,  김태영 ,  김효주 ,  박병률 ,  박연상 ,  안진호 ,  이호진 ,  장주희 ,  정덕영

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/31

公开(公告)号：KR102094017B1

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：KR1020130093166

申请日：2013-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박광하 ,  김도훈 ,  안진호 ,  오대일 ,  이재인 ,  이현석

IPC: H04W76/10 ,  H04W92/18

公开(公告)号：KR1020170084434A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：KR1020160003482

申请日：2016-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정덕영 ,  문광진 ,  박병률 ,  안진호

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/131 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 관통비아구조체를갖는반도체소자를제공한다. 이반도체소자는서로대향하는제1 면및 제2 면을갖는반도체기판, 상기반도체기판의제1 면상의전면절연층, 상기반도체기판의상기제2 면상의후면절연층, 상기후면절연층, 상기반도체기판및 상기전면절연층을관통하는관통비아구조체, 상기관통비아구조체의측면상의비아절연층, 및상기전면절연층을관통하는콘택구조체를포함한다. 상기관통비아구조체는제1 영역및 상기제1 영역상의제2 영역을포함하고, 상기제2 영역은상기제1 영역보다제1 원소를더 포함한다.

Abstract translation: 提供通孔结构。 其中，第二导电元件包括​​具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体衬底，在半导体衬底的第一表面上的前绝缘层，在半导体衬底的第二表面上的后绝缘层， 穿过半导体衬底和前绝缘层的通孔结构，在通孔结构的侧表面上的通孔绝缘层以及穿过前绝缘层的接触结构。 贯通通孔结构包括在第一区域上的第一区域和第二区域，并且第二区域还包括比第一区域更小的第一元件。

公开(公告)号：KR1020170021070A

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020150115413

申请日：2015-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  박병률 ,  안진호

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/18161

Abstract: 집적회로소자는 TSV (through-silicon-via) 공간의일부인제1 관통홀을한정하는제1 측벽을가지는기판과, TSV 공간의다른일부를제공하고제1 관통홀과연통되는제2 관통홀을한정하는제2 측벽과, 제1 관통홀에언더컷영역을제공하도록 TSV 공간의내측을향해돌출된돌출부를가지는층간절연막과, 기판및 층간절연막을관통하여제1 관통홀및 제2 관통홀내에서연장된 TSV 구조와, 제1 관통홀및 제2 관통홀내에서 TSV 구조를포위하는비아절연막을포함한다.

Abstract translation: 提供集成电路（IC）装置，其包括具有限定作为穿硅通孔（TSV）空间的一部分的第一通孔的第一侧壁的衬底，具有第二侧壁和突起的层间绝缘层，其中第二通孔 侧壁限定了提供TSV空间的另一部分并与第一通孔连通的第二通孔，并且突出部朝向TSV空间的内部突出，并且限定第一通孔中的底切区域，穿透基板的TSV结构， 所述层间绝缘层延伸穿过所述第一通孔和所述第二通孔;以及通孔绝缘层，其围绕所述第一通孔和所述第二通孔中的TSV结构。

公开(公告)号：KR1020160110658A

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020150033254

申请日：2015-03-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  박병률 ,  안진호

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/3205 ,  H01L2224/02371

Abstract: 본발명은관통전극을갖는반도체소자및 그의제조방법에관한것으로, 상면과그 반대면인하면을갖는반도체기판을제공하고, 상기반도체기판의상면을통해개구되고상기반도체기판의하면에이르지않는수직홀을형성하고, 상기수직홀의내면을덮는비아절연막을형성하고, 상기비아절연막상에상기비아절연막을일부덮는버퍼막을형성하고, 상기비아절연막을일부제거하여상기수직홀의바닥면을노출시키고, 그리고상기수직홀을채우는관통전극을형성하는것을포함한다. 상기관통전극은상기수직홀의바닥면을통해노출된상기반도체기판과전기적으로연결될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及具有不具有空隙的通硅通孔（TSV）的半导体器件及其制造方法。 根据本发明，该方法包括：提供具有与上表面相反的表面的上表面和下表面的半导体衬底的步骤; 形成通过半导体衬底的上表面但未到达半导体衬底的下表面的垂直孔的步骤; 形成通孔绝缘膜以覆盖垂直孔的内表面的步骤; 形成缓冲膜以覆盖通孔绝缘膜上的通孔绝缘膜的一部分的步骤; 去除所述通孔绝缘膜的一部分以暴露所述垂直孔的底表面的步骤; 以及形成填充垂直孔的TSV的步骤。 TSV电连接到通过垂直孔的底表面暴露的半导体衬底。

公开(公告)号：KR1020160065631A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：KR1020140169872

申请日：2014-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이호진 ,  박병률 ,  박지순 ,  안진호

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/32051

Abstract: 기판의전면상에배치된제1 층간절연층, 상기제1 층간절연층 및상기기판을관통하는 TSV 구조체, 상기 TSV 구조체의하단부는상기기판의후면으로부터돌출하고, 상기기판의후면상에형성된후면절연층 및후면패시베이션층, 상기후면절연층 및상기후면패시베이션층 내에매립되고상기 TSV 구조체의상기하단부상에형성된후면범핑패드를포함하는반도체소자가설명된다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件，包括：第一层间绝缘层，设置在基板的前面; 穿透第一层间绝缘层和基板的贯通硅通孔（TSV）结构，其中下端部从基板的后部突出; 后绝缘层和形成在基板的后部的后钝化层; 以及嵌入在后绝缘层和后钝化层中的后凸块，并且形成在TSV结构的下端部分上。

公开(公告)号：KR1020140100302A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：KR1020130013451

申请日：2013-02-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최주일 ,  김수경 ,  박건상 ,  손성민 ,  안진호 ,  이도선

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: An insulating layer is formed on a semiconductor substrate. A through hole which penetrates the semiconductor substrate and the insulating layer is arranged. A through silicon via (TSV) is formed in the through hole. A spacer is formed between the semiconductor substrate and the TSV. A line connected to the TSV is formed on the insulating layer. A barrier layer which covers the side and bottom of the line and the side of the TSV is formed. The barrier layer is an integrated form.

Abstract translation: 绝缘层形成在半导体衬底上。 布置贯穿半导体基板和绝缘层的通孔。 在通孔中形成贯通硅通孔（TSV）。 在半导体衬底和TSV之间形成间隔物。 连接到TSV的线形成在绝缘层上。 形成覆盖线的侧面和底部以及TSV侧的阻挡层。 阻挡层是一体化形式。

公开(公告)号：KR1020140087800A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020120158470

申请日：2012-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최원재 ,  안진호 ,  신현영 ,  변종원 ,  하영완

IPC: C12P7/22 ,  C07C51/50 ,  C07C57/30

CPC classification number: Y02P20/544 ,  C12P7/42 ,  C08F20/06 ,  C08F212/12 ,  C08F220/06 ,  C08F220/18

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a lignin degradation product by using a chemical and biological conversion, and manufacturing a cinnamic acid and cinnamic acid derivatives from the same by a biological process, wherein the biological process has a high specificity compared with a chemical process, is economical as it has the lignin as a base material, and is environmentally friendly as it effectively obtains the lignin degradation product and has the lignin degradation product as a substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种通过化学和生物转化制备木质素降解产物的方法，并且通过生物过程从其生产肉桂酸和肉桂酸衍生物，其中生物过程与化学物质相比具有高特异性 工艺经济，因为它具有木质素作为基础材料，并且是环境友好的，因为它有效地获得木质素降解产物并具有木质素降解产物作为底物。